一种激光扫描用全光纤模块
    72.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118151122A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202211505713.4

    申请日:2022-11-29

    发明人: 孙小荣 张爱爱

    摘要: 本发明公开了一种激光扫描用全光纤模块,本发明涉及扫描技术领域,所述全光纤模块设有四个光路段,所述四个光路段分别为第一光路段、第二光路段、第三光路段以及第四光路段,所述第一光路段由红外激光器、第一可调节式分光比保偏分束器、第二可调节式分光比保偏分束器、可调光纤衰减器、第二50:50保偏耦合器以及高倍率光电转换器组成并连接,本发明结构简单,稳定性高,适合非相干的测量环境,工艺装配简单,通过第一光路段实现简化光路调试的难度,使后续的信号激光和测量激光的光强相等,更容易产生距离相关的拍频信号。

    硅基片上异质集成III-V族有源器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN117310873B

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202311248852.8

    申请日:2023-09-26

    发明人: 蒋成涛 郝沁汾

    摘要: 本发明涉及硅基光电异质集成技术领域,具体公开了一种硅基片上异质集成III‑V族有源器件及其制备方法,包括:硅片基底;硅波导,形成在硅片基底上;III‑V族有源器件,朝向硅片基底的表面形成凹槽结构,以容纳硅波导,凹槽结构的宽度不小于硅波导的宽度,深度不小于目标深度;薄膜覆盖层,形成在硅片基底上,其厚度全部覆盖硅波导且至少部分覆盖所述III‑V族有源器件;第一金属电极,一端与凹槽结构的端面接触,另一端延伸至薄膜覆盖层表面;第二金属电极,位于III‑V族有源器件背离硅片基底的表面。本发明提供的硅基片上异质集成III‑V族有源器件能够提高III‑V族有源器件与硅波导的耦合效率且工艺难度低。

    一种集成微纳粒子和光波导的光子学器件结构

    公开(公告)号:CN114296185B

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202210135028.0

    申请日:2022-02-14

    IPC分类号: G02B6/12

    摘要: 本发明提出一种集成微纳粒子和光波导的光子学器件结构。该光子学器件结构包括微纳粒子(101),光波导(201,202),以及基底层(301)。其特征在于微纳粒子(101)位于光波导(201,202)的轴线延长线方向;微纳粒子(101)和光波导(201)属于横向光散射层(200);横向光散射层制备在基底层(301)上。所述微纳粒子和光波导的材料包括但不限于,硅、锗、或者氮化硅等电介质材料。该光子学器件结构实现入射光束(401)耦合进光波导(201)和/或光波导(202),或者入射光束(401)实现等强度或者不等强度分光进光波导(201,202)。该光子学器件结构及其阵列可以实现传感器功能。

    改善光波导损耗和偏振敏感性的波导结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN118091838A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410018302.5

    申请日:2024-01-05

    摘要: 本发明公开了一种改善光波导损耗和偏振敏感性的波导结构及其制备方法,涉及硅光技术领域,其技术方案要点是:改善光波导损耗和偏振敏感性的波导结构,设置于基底上,波导结构包括第一分体、第二分体和第三分体;其中,第一分体设置于第二分体的一侧,第三分体设置于第二分体的另一侧且与第一分体正相对,第一分体与第三分体的形状相同且相对于第二分体对称;第二分体为平板型结构;基底位于第三分体的远离第二分体的一侧,基底与第三分体的部分外表面接触;基底包括衬底和下包层。其特点是具有较低的光传输损耗低和较低的偏振相关性。

    薄膜铌酸锂模斑转换器
    76.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118091835A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410465200.8

    申请日:2024-04-18

    IPC分类号: G02B6/12 G02B6/14

    摘要: 本发明实施例提供了一种薄膜铌酸锂模斑转换器,涉及光通信领域,薄膜铌酸锂模斑转换器包括:衬底层;绝缘层;铌酸锂光波导;填充层;第二光波导;引导片;引导片布设于第二光波导两侧,引导片的侧边接触于第二光波导的边沿,引导片用于引导光信号从第二光波导进入铌酸锂光波导。本发明实施例提供的薄膜铌酸锂模斑转换器通过高折射率的引导片引导光信号自第二光波导耦合进入铌酸锂光波导,提高了耦合效率,降低了对光波导特征尺寸要求,从而无需电子束光刻制作,降低了制作成本。

    一种3D光学相控阵结构及其光刻设备

    公开(公告)号:CN118091833A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410001384.2

    申请日:2024-01-02

    摘要: 本发明公开了一种3D光学相控阵结构及其光刻设备,属于光学元件技术领域,3D光学相控阵结构包括分支成多个波导路径的公共路径,每一个所述波导路径终止于多个边缘发射器中的一个单独的波导路径;多个所述边缘发射器在第一坐标轴上彼此间隔设置,每两个边缘发射器之间的间距是非周期性的,光刻设备包括底座,底座上圆周均匀设置有多个腔体,腔体的内部转动设置有转台,转台内部设置有负压吸盘,转台上放置有晶圆,横杆在底座上方转动,横杆上安装有滴胶组件和引流组件,滴胶组件用于将光刻胶滴加到晶圆上,引流组件用于与旋转后的晶圆接触,对晶圆边缘堆积的光刻胶进行引流,保证涂胶质量。

    光半导体装置
    78.
    发明公开
    光半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118077110A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202180103198.4

    申请日:2021-10-19

    IPC分类号: H01S5/024 G02B6/12 H01S5/20

    摘要: 光半导体装置(100)具备半导体基板(8)和包含形成于半导体基板(8)的光波导层(2)的半导体构造部(30)。半导体构造部(30)具备:包层(1),与光波导层(2)的半导体基板侧的面亦即第一面(23a)以及与半导体基板(8)相反侧的面亦即第二面(23b)连接;和半导体材料的加热层(3),从光波导层(2)的第一面侧或/和第二面侧经由包层(1)加热光波导层(2)。

    光器件、光发送装置和光接收装置

    公开(公告)号:CN118068482A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202311359491.4

    申请日:2023-10-19

    发明人: 杉山昌树

    摘要: 本申请涉及光器件、光发送装置和光接收装置。提供了一种光器件,该光器件包括:第一波导,其输入具有第一光特性的第一信号光;以及第一转换器,其将从第一波导行进的第一信号光转换成具有第二光特性的第二信号光。该器件包括光路,该光路在经转换的第二信号光穿过光路时对第二信号光执行第一光处理。该器件包括第二转换器,其将从光路行进并经受了第一光处理的第二信号光转换成具有第一光特性的第三信号光。该器件包括光路,该光路在经转换的第三信号光穿过光路时对第三信号光执行第二光处理;以及第二波导,其输出从光路行进并经受了第二光处理的第三信号光。

    片上集成激光雷达
    80.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118068297A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410215495.3

    申请日:2024-02-27

    IPC分类号: G01S7/481 G02B6/12 G01S7/48

    摘要: 本公开提供一种片上集成激光雷达,包括:端面耦合器,用于将调制激光耦合进片上集成激光雷达,所述调制激光耦合进片上集成激光雷达后被分束为本振光和信号光;光学相控阵,用于改变所述信号光的相位从而实现光束偏转和扫描,以使信号光作用于目标后得到反射信号光;以及平衡接收及处理模块,用于接收经光学透镜聚焦后的反射信号光,并通过耦合复用的方式实现多通道平衡探测。