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发明公开
光半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN118077110A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202180103198.4

申请日：2021-10-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 伊藤彰悟 , 松本启资

IPC: H01S5/024 , G02B6/12 , H01S5/20

Abstract: 光半导体装置(100)具备半导体基板(8)和包含形成于半导体基板(8)的光波导层(2)的半导体构造部(30)。半导体构造部(30)具备：包层(1)，与光波导层(2)的半导体基板侧的面亦即第一面(23a)以及与半导体基板(8)相反侧的面亦即第二面(23b)连接；和半导体材料的加热层(3)，从光波导层(2)的第一面侧或/和第二面侧经由包层(1)加热光波导层(2)。

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