-
公开(公告)号：CN104620316A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380034295.8
申请日：2013-06-24
申请人： 西部数据技术公司 , 独立行政法人物质·材料研究机构
CPC分类号： G11B5/8404 , G11B5/7325 , G11B5/851 , Y10T428/1121
摘要： 一种垂直磁性记录介质，包括：基板；在基板顶部上以第一取向沉积的缓冲层；缓冲层顶部上以第二取向沉积的底层，该底层包括导电氧化物；以及磁性记录层，其沉积在底层的顶部上并具有与其表面基本上垂直的磁性各向异性的轴线。
-
公开(公告)号：CN102804266B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201080032150.0
申请日：2010-06-07
申请人： 山阳特殊制钢株式会社
CPC分类号： G11B5/667 , C22C19/07 , C22C38/002 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/105 , C22C38/12 , C22C38/14 , C23C14/3414 , G11B5/851 , H01F10/131 , H01F10/132
摘要： 本发明公开了一种提供一种具有优异的饱和磁通密度、非晶形性、耐腐蚀性和硬度的用于垂直磁记录介质的软磁性Co-Fe-Ni合金。所述Co-Fe-Ni合金包含以原子％计的以下各项：70至92％的Co+Fe+Ni(包括0％的Ni)，1至8％的Ta；和多于7％但是20％以下的B。Co-Fe-Ni合金的组成(以原子％表达)满足如下各项的比率：0.1至0.9的Co/(Co+Fe+Ni)；0.1至0.65的Fe/(Co+Fe+Ni)；0至0.35的Ni/(Co+Fe+Ni)；以及1至8的B/Ta。
-
公开(公告)号：CN104395497A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380010823.6
申请日：2013-01-15
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC分类号： H01J37/3426 , C23C14/0688 , C23C14/14 , C23C14/3414 , C23C14/564 , G11B5/851 , H01J37/3429 , H01J2237/332 , C23C14/3407 , G11B5/64 , G11B5/656
摘要： 一种强磁性材料溅射靶，其含有包含钴；或者钴、铬；或者钴、铂；或者钴、铬、铂的基体相和至少包含铬氧化物的氧化物相，其特征在于，含有合计为100重量ppm以上且15000重量ppm以下的Zr、W中的任意一种以上元素，相对密度为97％以上。本发明的课题在于提供在保持高密度的同时使氧化物相的颗粒均匀地微细化且粉粒产生少的含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶。
-
公开(公告)号：CN104246882A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020064.1
申请日：2013-08-06
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
发明人： 荻野真一
CPC分类号： G11B5/653 , C23C14/3414 , G11B5/851
摘要： 本发明涉及一种Fe基磁性材料烧结体，其为含有BN的Fe基磁性材料烧结体，其特征在于，氧含量为4000重量ppm以下。本发明的课题在于提供能够制作热辅助磁记录介质中的磁性薄膜、并且在加工成溅射靶等时抑制裂纹、碎裂的产生的烧结体。
-
公开(公告)号：CN104169457A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380013940.8
申请日：2013-02-26
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC分类号： C23C14/34 , C22C1/05 , C22C5/04 , C22C19/07 , C22C32/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , G11B5/64 , G11B5/851
CPC分类号： H01J37/3426 , B22F3/15 , C04B35/6455 , C22C1/10 , C22C19/07 , C22C27/04 , C22C32/0021 , C22C32/0026 , C22C33/0278 , C22C38/002 , C22C2202/02 , C22F1/10 , C23C14/3414 , G11B5/851
摘要： 一种磁性材料溅射靶，其为含有氧化物的磁性材料溅射靶，其特征在于，氧化物的平均粒径为400nm以下。一种含有氧化物的磁性材料溅射靶的制造方法，其特征在于，通过PVD或CVD法在基板上将磁性材料成膜，接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，接着将该成膜后的磁性材料粉碎而得到靶用原料，然后将该原料烧结。本发明的课题在于得到能够抑制导致溅射时产生粉粒的氧化物的异常放电的磁性材料靶、特别是非磁性材料颗粒分散型强磁性材料溅射靶。
-
公开(公告)号：CN102656290B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201080056252.6
申请日：2010-10-13
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/06 , C23C14/14 , G11B5/64 , G11B5/851 , H01F10/16 , H01F10/18 , H01F41/18
CPC分类号： G11B5/851 , C23C14/3414 , G11B5/65 , H01F10/16 , H01F41/183
摘要： 本发明涉及在Co或Co合金相中分散有氧化物相的溅射靶，其由含有Co的金属基质相、和含有SiO2且形成粒子并分散存在的6~14摩尔%的氧化物的相(以下，称为“氧化物相”)构成，其特征在于，除构成所述金属基质相和氧化物相的成分之外，还含有在所述氧化物相内或其表面散布的0.3摩尔%以上且低于1.0摩尔%的Cr氧化物，氧化物相的各粒子的平均面积为2.0μm2以下。本发明的课题在于提供在Co或Co合金相中分散有氧化物相的溅射靶，其可减少飞弧，用磁控溅射装置可以得到稳定的放电，且密度高、在溅射时产生的粉粒少。
-
公开(公告)号：CN103080368B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201180042894.5
申请日：2011-12-06
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C1/0433 , C22C1/10 , C22C5/04 , C22C19/07 , C22C32/0026 , C22C2202/02 , G11B5/851 , H01F10/123 , H01F41/183
摘要： 一种强磁性材料溅射靶，其为包含Pt为5摩尔%以上、其余为Co的组成的金属的溅射靶，其特征在于，该靶的组织具有金属基质（A）和在所述（A）中的、含有40～76摩尔%的Pt的Co-Pt合金相（B）。一种强磁性材料溅射靶，其为包含Pt为5摩尔%以上、Cr为20摩尔%以下、其余为Co的组成的金属的溅射靶，其特征在于，该靶的组织具有金属基质（A）和在所述（A）中的、包含含有40～76摩尔%的Pt的Co-Pt合金的相（B）。本发明得到提高漏磁通、通过磁控溅射装置可以稳定放电的强磁性材料溅射靶。
-
公开(公告)号：CN103842549A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280046696.0
申请日：2012-09-20
申请人： 山阳特殊制钢株式会社
CPC分类号： G11B5/667 , C22C38/002 , C22C38/008 , C22C38/04 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/14 , C22C38/24 , C22C38/26 , C22C38/28 , C22C38/30 , C23C14/165 , C23C14/3414 , G11B5/851 , H01F10/16 , H01F41/183
摘要： 本发明提供了一种用于垂直磁记录介质的软磁性合金，其在室温展现低饱和磁通密度，并且具有在高温小的饱和磁通密度下降。该合金包含，按原子％计，Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Al、B、C、Si、P、Zn、Ga、Ge和Sn中的一种或两种以上，和余量的Co、Fe，以及不可避免的杂质，并且满足以下全部：表达式(1)0≤Fe％／(Fe％+Co％)≤0.5；表达式(2)5≤Ti％+Zr％+Hf％+V％+Nb％+Ta％+B％／2；和表达式(3)0.3≤0.813×Fe％／(Fe％+Co％)-0.062×TNM+1.751≤1.2(其中，Fe％／(Fe％+Co％)是Fe的含量与Fe和Co的总含量之间的比例；并且TNM是所加入的Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Cu、Al、B、C、Si、P、Zn、Ga、Ge和Sn的量的总百分数，其中，仅对于B，使用其1／2的值)。
-
公开(公告)号：CN103687977A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201280032640.X
申请日：2012-06-29
申请人： 宇部材料工业株式会社 , 日本钨株式会社
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/053 , C04B35/5607 , C04B35/5611 , C04B35/5626 , C04B35/58014 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/3847 , C04B2235/3886 , C04B2235/5445 , C04B2235/761 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C23C14/081 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , G11B5/851 , H01J37/34 , H01J37/3426
摘要： 本发明提供一种溅射用MgO靶材，即使在使用MgO作为溅射用靶材的情况下，也能够在形成MgO膜时使成膜速度高速化。本发明的溅射用MgO靶材以MgO和导电性物质作为主要成分，其特征在于，所述导电性物质在通过DC溅射法与MgO一起成膜时，能够为所形成的MgO膜赋予取向性。
-
公开(公告)号：CN103262166A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180061201.7
申请日：2011-10-19
申请人： 吉坤日矿日石金属株式会社
IPC分类号： G11B5/851 , B22F3/14 , C22C1/05 , C22C19/07 , C22C32/00 , C22C38/00 , C23C14/34 , G11B5/64 , G11B5/65
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/14 , C22C5/04 , C22C19/07 , C22C32/0026 , C22C33/0292 , C22C2202/02 , G11B5/851 , H01F41/183
摘要： 一种磁记录膜用溅射靶，其含有SiO2，其特征在于，在X射线衍射中石英的（011）面相对于背景强度的峰强度比（石英峰强度/背景强度）为1.40以上。本发明的课题在于得到如下的磁记录膜用溅射靶：可以抑制在靶中造成溅射时产生粉粒的方英石的形成，并且可以缩短预烧时间，可以将成膜后的单磁畴粒子微细地磁隔离，并且可以提高记录密度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
302 条记录 (耗时 0.015 秒)
