公开(公告)号：CN107662900A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710633525.2

申请日：2017-07-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·德厄 ,  M·F·赫曼 ,  J·曼兹

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

Abstract: 本公开涉及一种微机电设备、微机电系统和制造微机电设备的方法，其中，微机电设备可以包括：衬底；隔膜，安装至衬底；第一电极，安装至隔膜；第二电极，安装至衬底；其中，第一电极与第二电极横向相邻；并且其中，隔膜布置在第一电极和第二电极之间的间隙上方。

公开(公告)号：CN106167246B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201610311685.0

申请日：2016-05-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·弗里扎 ,  A·德厄

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R19/04

CPC classification number: H04R1/023 ,  H04R1/086 ,  H04R19/005 ,  H04R19/02 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: 在各个实施例中，提供了一种微机电系统装置。该微机电系统装置可以包括：载体；粒子过滤器结构，该粒子过滤器结构耦合至载体，该粒子过滤器结构包括网格，其中网格包括多个网格单元，每个网格单元包括至少一个通孔；以及微机电系统结构，该微机电系统结构设置在粒子过滤器结构的与载体相对之侧。多个网格单元的高度大于对应网格单元的宽度。

公开(公告)号：CN106082110A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610244599.2

申请日：2016-04-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·德厄 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  M·梅纳特 ,  F·X·米尔鲍尔 ,  D·波尔沃尔 ,  J·瓦格纳

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00896 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0194 ,  B81C2201/053 ,  B81C1/00261 ,  B81B7/0058 ,  B81C1/00325 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019

Abstract: 本发明提出了一种制造芯片封装体的方法。在第一晶片上提供多个芯片。每个芯片都包括通向所述芯片的第一主表面的腔。所述腔被临时地填充或盖住。然后所述芯片被单片化。将单片化的芯片嵌设到封装材料中。然后重新暴露所述腔。

公开(公告)号：CN106066305A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610252273.4

申请日：2016-04-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·贝尔 ,  S·贝尔 ,  A·德厄 ,  F·约斯特 ,  S·科尔布 ,  G·鲁尔 ,  R·M·沙勒 ,  H·托伊斯

IPC: G01N21/17

CPC classification number: G01N29/2425 ,  G01N29/032 ,  G01N2291/021 ,  G01N21/1702 ,  G01N2021/1704

Abstract: 本发明涉及光声传感器并且涉及光声气体传感器模块。所述光声气体传感器包括：光发射器单元，其包括光发射器，所述光发射器被配置为发射具有预定的重复频率和与待感测气体的吸收频带相对应的波长的光脉冲的光束；以及检测器单元，其包括麦克风；其中，所述光发射器单元被布置成使得所述光脉冲的光束横穿被配置为容纳所述气体的区域，并且所述检测器单元被布置成使得所述麦克风能够接收以所述重复频率振荡的信号。

公开(公告)号：CN104576917A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410547327.0

申请日：2014-10-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·艾克金格 ,  S·科尔布 ,  A·德厄 ,  G·鲁尔

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/14

CPC classification number: G01R33/072 ,  G01R33/0052 ,  H01L27/092 ,  H01L43/065 ,  H01L43/14

Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯探测层的霍尔效应传感器和用于制造所述霍尔效应传感器的方法，在选择用于在BiCMOS工艺中集成的情况下，该传感器实现为各种几何结构，包括所谓的“全3-d”霍尔传感器的可能性。

公开(公告)号：CN104418291A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410425943.9

申请日：2014-08-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： I·埃舍尔-珀佩尔 ,  E·富尔古特 ,  A·德厄

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R1/021 ,  H04R1/086 ,  H04R19/005 ,  H04R31/006 ,  H04R2201/003 ,  H04R2201/02 ,  H04R2231/003

Abstract: 本发明提供了一种封装的MEMS器件，其可以包括：嵌入装置；设置在嵌入装置中的MEMS器件；设置在嵌入装置中并且声学耦合至MEMS器件的声音端口；以及位于声音端口中的格栅。本发明的一些实施例涉及一种声音换能器部件，其包括：嵌入材料；以及和嵌入至嵌入材料中的衬底剥离型MEMS裸片。MEMS裸片可以包括用于声音换能的膜片。声音换能器部件可以进一步包括，位于嵌入材料内并且与膜片流体接触或声学接触的声音端口。其它实施例涉及一种用于封装MEMS器件的方法，或者涉及一种用于制造声音换能器部件的方法。

公开(公告)号：CN104284290A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410331308.4

申请日：2014-07-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·德厄

IPC: H04R31/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0094 ,  B81B7/0016 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/16152

Abstract: 本发明公开了一种具有MEMS结构和在支撑结构中的通风路径的装置，该装置包括：支撑结构；设置在支撑结构中的声音端口；以及包括声学地耦合至声音端口的隔膜的MEMS结构。隔膜将接触隔膜的第一侧的第一空间与接触隔膜的相对的第二侧的第二空间分隔开。装置进一步包括设置在支撑结构中并且从声音端口延伸至第二空间的可调通风路径。