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公开(公告)号：CN103475357A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310392076.9
申请日：2013-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K19/094 , H01L23/64
Abstract: 本发明公开一种可应用于射频集成电路的基于有源电感实现的片上半有源电感，包括一个片上无源电感、一个负阻结构单元和一个有源电感单元三个部分。其中，片上无源电感的一端为输入端，另一端接地；负阻结构单元是一个二端口电路，其中端口1接输入端，端口2接有源电感单元的输入端；有源电感单元是一个单端输入有源电感，其输入端与负阻结构单元的端口2相连接。本发明采用负阻结构单元补偿了无源片上电感的损耗，将有源电感连接负阻结构单元的负载，占用芯片面积小，提高了片上无源电感在高频下的Q值。
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公开(公告)号：CN103297049A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310192069.4
申请日：2013-05-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明提供一种数模转换器动态校正装置，附加于电流舵数模转换器的输入、输出之间，包括延迟电路、校正电流产生器、电流开关和逻辑控制电路。由延迟电路、校正电流产生器和电流开关形成的校正通道，其层数可根据校正精度灵活设定。本发明中的数模转换器动态校正方法：校正准备阶段，对毛刺采样、转换成校正信息并存储；正常工作阶段读取校正信息，输出电流脉冲对毛刺信号补偿。本发明利用多路校正电流脉冲叠加，逐次分时段对数模转换器输出电流进行校正，补偿、抵消输出电流毛刺，解决了毛刺导致动态性能过低的技术问题，本发明不改变数模转换器内部结构；在提高电路动态性能同时，对电路速度、精度影响小，使用范围广泛。
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公开(公告)号：CN1779988A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510096163.5
申请日：2005-10-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L27/00 , H01L21/336 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在N型外延层4与衬底1的界面上设有N型埋层2，在N型外延层上设有P型体沟道区11和深N+扩散区5及P型阱6，该P型体沟道区的四周设有P型场限环7，该P型体沟道区的内部设有源区，源区内设有N+环12s和P+接触区13，该深N+扩散区与N型埋层相连接构成漏区引出，在栅氧化层和场氧化层表面设置有多晶硅栅和场板。其制备过程是：注入埋层、生长外延层，在外延层上注入深N+扩散区、P型阱、场限环，并对外延层进行氧化、淀积、刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极及场板，用自对准工艺制备体沟道区，在体沟道区内注入源区和在深N+扩散区内注入漏区的接触区。具有击穿电压高的优点，可用于高压功率集成电路。
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公开(公告)号：CN119218405A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411345484.3
申请日：2024-09-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电子材料技术及雷电防护领域，特别涉及一种兼容防雷/边缘散射控制的渐进阻抗薄膜材料。本发明基于法拉第笼概念的被动防护方法应用到典型边缘散射抑制结构的雷击防护中，采用整个全覆盖的周期性镂空阻抗膜覆着于典型边缘散射抑制结构表面，通过计算设置各个镂空图形的参数值不对原本的电性能产生负面影响，而防雷渐进的阻抗薄膜能有效的导走注入在目标体的雷电流，使得雷电流顺利流入导体很好的保护了在其下方的吸波材料，达到很好的防雷效果，使得防雷击的效果能够同时兼备。本发明工艺简单、可操作性强、易于工业化实施，适合推广。
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公开(公告)号：CN113489491B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110785744.9
申请日：2021-07-12
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种用于动态比较器的自适应校准电路，自适应校准电路包括速度自适应电路和失调校准电路，速度自适应电路用于对比较器因温度T和工艺P引起的转化速度变化的校准，而失调校准电路用于比较器因晶体管失配产生的失调电压的校准。本发明在比较器上挂载两个额外的电路后，能够有效降低失调电压，并增大比较速度的PT容忍度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117891014A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410067781.X
申请日：2024-01-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及辐射传热领域，具体涉及一种宽带红外辐射定向控制器及其设计方法。本发明提供的控制器基于几何光学，将上下层分别采用高、低发射率两种材料设置成特定的结构，使得仅在中心位于面法线(垂线)周围的视区内表现高(低)发射率，而在视区之外表现低(高)发射率，从而实现红外辐射定向控制。之所以设计上下层高、低发射率两种材料对调的两种结构是为了应对不同的应用环境，这是由于整个控制器包括多个相互之间满足红外隔离的凹槽。最终本发明在结构参数a和H均>10倍特征波长范围内，实现了X轴方向的一维宽带红外辐射定向控制，且可应用于红外伪装、太阳能加热、辐射制冷和废热回收等辐射传热领域。
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公开(公告)号：CN116936007A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310981567.0
申请日：2023-08-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/27 , G06N20/00 , G06F111/06 , G06F111/04
Abstract: 本发明涉及太阳能热辐射选择性吸收材料领域，具体涉及一种太阳能热辐射选择性吸收材料的设计方法。本发明充分考虑了太阳能热辐射选择性吸收材料设计过程中复杂的材料结构参数与光谱响应之间的关系，通过构建多目标双重退火算法，并辅以深度学习网络加速，消除了迭代和耗时计算，多目标和全局、局域双重退火的结合大大加快了设计过程，极大节省了微纳光子结构参数设计时间和硬件成本；该设计方法还提供了各种候选材料，使得可以选择适合的材料和每层的厚度，以满足所需的光学要求。最终本发明有效解决了当前太阳能热辐射选择性吸收材料设计过程中存在的设计时间成本较高、高维设计适用性低、多目标设计效果差等问题。
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公开(公告)号：CN116003141B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202211685859.1
申请日：2022-12-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/628 , C04B35/56 , H05K9/00
Abstract: 本发明涉及电磁波吸波材料技术领域，具体为一种耐高温多壳层TAC基吸收剂及其制备方法。本发明利用在Ti3AlC2表面原位沉积梯度多壳层高温抗氧化陶瓷层，得到的耐高温多壳层Ti3AlC2@SiO2@Al2O3吸收剂中，其梯度陶瓷层可有效减小Ti3AlC2与氧气气氛之间的传输通道，大幅提高基体的高温抗氧化性能；并且该梯度陶瓷层可有效调控基体的电磁参数，降低复介电常数的实部，增加介电常数虚部，明显增强基体的微波吸收性能，克服了现有包覆类材料会恶化基体吸波性能的问题。本发明的耐高温多壳层Ti3AlC2基吸收剂，兼具良好高温特性和吸波性能，可应用于高温微波吸收领域；制备工艺简单，成本低廉，易于工业化生产。
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公开(公告)号：CN115036703B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202210669151.0
申请日：2022-06-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及超材料领域，具体涉及一种基于相位相消的RCS减缩二面角结构及其设计方法。本发明采用相位抵消原理通过加载超表面，对二面角结构引入的波程差进行相位补偿，从而实现了二面角RCS减缩。基于本发明设计的基本单元结构能覆盖2π的相位变化，且反射幅值都大于0.8；本发明提供的二面角结构的RCS减缩值在5GHz时大于10dB，能有效降低二面角结构的RCS，并在大角度处也有较为明显的减缩效果。仿真和实验结果与理论分析相符，为低RCS二面角结构提供了一种新的设计思路；并且本发明不需要任何吸收材料或成型设计，可操作性强、易修复，对于高温下吸波性能恶化的应用背景，具有较大潜力。
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公开(公告)号：CN115348129B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210862115.6
申请日：2022-07-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种CAN收发器接收电路，分为三级结构，为第一级保护电路、第二级主体结构为运算放大器、第三级为迟滞比较器；所述保护电路可以将总线异常电压衰减到可被后级电路接收的范围内；所述运算放大器中预处理保护电路的输出差分信号，将其变为更易被检测的单端信号，且该单端信号可以有效区分总线信号的显性与隐性状态；所述迟滞比较器检测运放输出的单端信号并转化成数字信号输出，迟滞量可以防止比较器因输入波动而导致的输出翻转。本发明使差分信号可以正常输入到转换电路，并在该结构的基础上调整收发器结构，将差分信号转化成单端信号，单端信号经过迟滞比较器，输出一个抗干扰能力强的数字信号。
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