-
公开(公告)号：CN117348680A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311344846.2
申请日：2023-10-17
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于CAN总线的摆率控制电路，包括译码器U0、n个NMOS管、n个阻值为R的电阻和输出端的峰值保持电路U1共同构成了新型电阻阵列；所述峰值保持电路U1的输出端VO与电压跟随器U2的正相输入端相连，电压跟随器U2的反相输入端与输出端相连，并接入MOS器件M0的栅极；密勒电容CM的两端分别接入MOS器件M0的栅极与漏极；负载电容CL的一端连接MOS器件M0的漏极，另一端接地；负载电阻RL的一端接入输出节点VOUT，另一端接地。本发明能够过滤掉过冲电压，保持电阻阵列输出电压的稳定性；在高压功率MOS器件的输出端与输入端串接米勒电容，以稳定MOS器件漏极电流的摆率，进而稳定输出电压的变化速度，达到摆率控制的目的。
-
公开(公告)号：CN117459343A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311346240.2
申请日：2023-10-17
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H04L12/40 , H03K5/24 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种适用于CAN的振铃抑制电路，包括减法器电路、振铃采样电路、振铃采样电路的复位电路以及动态比较器电路及其复位电路；所述减法器电路用于对总线信号做减法，得到纯净的振铃信号；所述振铃采样电路用于将得到的振铃信号进行峰值采样并保存；所述振铃采样电路的复位电路用于控制振铃采样电路的使能与复位功能；所述动态比较器电路及其复位电路用于将振铃采样电路得到的信号与参考电平作比较，进而输出信号控制MOS电阻导通，达到振铃抑制的目的。本发明采用动态比较器，不需要额外的外部控制信号，减少振铃抑制电路对总线的影响。通过振铃采样电路，用较简单的结构就可较好地保持振铃信号的峰值，同时降低了对器件工作频率的要求。
-
公开(公告)号：CN120034144A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510064108.5
申请日：2025-01-15
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种低延时的CAN接收电路的振铃去除结构，包括时间检测电路、比较器电路、边沿检测提取电路、减法器电路、延时采样电路，以及逻辑门和D触发器；所述时间检测电路用于检测输入信号的显性和隐性状态的持续时间；所述比较器电路用于对时间检测电路的输出信号进行放大和整形；所述边沿检测提取电路用于提取比较器电路的输出信号的上升沿和下降沿；所述减法器电路和延时采样电路用于延时补偿，补偿提取出的边沿信号和实际信号的相位差；逻辑门和D触发器用于整个电路结构的信号输出。本发明实现对输入接收信号的准确处理和稳定传输，减少因振铃信号导致的通信错误。
-
公开(公告)号：CN117453593A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311339459.X
申请日：2023-10-17
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种摆率可调的低电磁辐射CAN总线发送器，包括N个高侧电流开关、N个高侧电流源、N个低侧电流开关和N个低侧电流源；电流源用于提供输出电流，高侧电流开关和低侧电流开关用于控制电流源的导通与关断，电流源的电流由功率管提供；高侧电流开关和低侧电流开关通过移位寄存器控制。本发明利用移位寄存器来控制多级电流开关，通过改变时钟频率来控制每一级电流开关的导通延迟，最终达实现摆率可控。由于移位寄存器的作用，相邻两级电流镜的延时固定，这个特点同时解决了CANH与CANL之间的不匹配问题，减弱了工艺因素对CANH与CANL的匹配度的影响，使CANH与CANL的对称性更好，减小共模不匹配引起的电磁辐射。
-
公开(公告)号：CN116599535A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310673322.1
申请日：2023-06-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明公开了一种基于单位桥接电容的三段式电容阵列结构及方法，包括高段电容阵列、中段电容阵列以及低段电容阵列，其中高段电容阵列为M位、中段为K位且低段为L位，用于实现N位精度的模数转换；高段电容阵列与中段电容阵列之间的桥接电容CB1、中段电容阵列与低段电容阵列之间的桥接电容CB2均为单位电容C；在高段电容阵列中增加权重为0.5C电容用于补偿由单位电容作为桥接电容所引起的增益误差；在中段电容阵列相应位置增加3个2C和2个1C冗余位电容；在低段电容阵列中增加一位0.5C的电容其作用为补偿非二进制权重码值转换为二进制码值后的误差。本发明能够大幅减少电容阵列面积，并且易于实现电容匹配。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115220134B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202210659856.4
申请日：2022-06-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于红外隐身领域，具体涉及一种疏水红外低发射镜面低反射材料及其制备方法。本发明通过把表面微/纳结构的疏水性及低反射特性与金属材料本身的低发射率特性相结合，改变薄膜的厚度，调控薄膜的疏水性及发射率特性，降低镜面反射，使其镜面反射率≤0.1，红外发射率≤0.63，从而同时实现兼具疏水性的红外低发射镜面低反射特性，有效改善了当前红外隐身材料的全方位、全天候红外隐身效果，以解决当前红外隐身材料不能兼具低发、低反和防污导致红外隐身性能降低的问题。并且所用材料成本低廉、便于大量采购，且制备工艺简单、便于大规模的制备。
-
公开(公告)号：CN116032281A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310021435.3
申请日：2023-01-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03M1/06
Abstract: 本发明公开了一种降低开关活性的随机旋转DEM结构，包括数模转换器，所述数模转换器的数字输入被分为输入码与随机旋转数，所述随机旋转数与经过D触发器延时一周期的桶形移位器输出结果输入开关活性降低结构，所述开关活性降低结构的反馈输出作为输入反馈至桶形移位器，所述桶形移位器旋转过后的输出控制相应的开关，并连接至相应的单元阵列上。本发明通过使用输入数据替代伪随机数生成器，同时使用较为简单的逻辑实现开关活性降低功能，以降低复杂度。
-
公开(公告)号：CN112928481B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110072401.8
申请日：2021-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及人工电磁超表面，具体为一种工作在C波段的耐高温宽带RCS减缩超表面结构。本发明利用PB相位，将基本单元按两种方式组合成方阵，排布于整个超表面结构的1、2、3和4四个象限，相邻象限反射波干涉相消，从而实现宽带RCS减缩。本发明超表面结构基于高介电、低损耗的氧化铝陶瓷板，为高温隐身材料设计提供新的思路；所设计的超表面结构不仅能耐高温，而且还具备优异的温度稳定性；将基本单元通过两种相对旋转90°的方式排布使得工程应用更为方便；在4.3‑7.3GHz频率范围内实现‑10dB以下的低反射，最小反射率在6GHz时可达到‑22dB，具有优异的温度稳定性，适用于高温的工作环境。
-
公开(公告)号：CN115258124A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210981410.3
申请日：2022-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于高空风力发电系统AWES领域，具体涉及一种用于浮空风力发电平台的自适应高度调节装置。本发明通过采用摄像机和/或多种传感器实时采集数据，以测量整个系留索范围内的各高度的风速，进而控制自动卷缆装置收放高空风力发电系统AWES的浮空部；集成自动高度调节系统后，可以全自动自适应实时调节浮空部的高度至最佳风速区间，提高风能利用率的同时实现无人值守，大大降低了浮空器的维护成本，并提高了系统整体的发电效率。
-
公开(公告)号：CN115036703A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210669151.0
申请日：2022-06-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明涉及超材料领域，具体涉及一种基于相位相消的RCS减缩二面角结构及其设计方法。本发明采用相位抵消原理通过加载超表面，对二面角结构引入的波程差进行相位补偿，从而实现了二面角RCS减缩。基于本发明设计的基本单元结构能覆盖2π的相位变化，且反射幅值都大于0.8；本发明提供的二面角结构的RCS减缩值在5GHz时大于10dB，能有效降低二面角结构的RCS，并在大角度处也有较为明显的减缩效果。仿真和实验结果与理论分析相符，为低RCS二面角结构提供了一种新的设计思路；并且本发明不需要任何吸收材料或成型设计，可操作性强、易修复，对于高温下吸波性能恶化的应用背景，具有较大潜力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
119
records
(took 0.03 seconds)
