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公开(公告)号：CN113222181A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110473993.4
申请日：2021-04-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种面向k‑means聚类算法的联邦学习方法，该方法包括纵向联邦学习与横向连邦学习。横向联邦学习，包括如下步骤：1)初始化K个聚类，不同参与者将本地样本分给距离该样本最近的聚类2)对每个聚类，计算该聚类的新的聚类中心。3)如果聚类中心发生变化，那么回到步骤1)；纵向联邦学习，包括如下步骤：1)L个参与者分别在本地运行k‑means聚类算法得到T个聚类且做交集得到新的TL个聚类或AP聚类算法得到Ti个聚类且做交集得到新的个聚类。2)将新的个聚类中心作为输入样本，初始化K个聚类。3)将每个样本分给距离它最近的聚类。4)对每个聚类，计算该类的新的聚类中心。5)如果聚类中心发生变化，那么回到步骤3)。
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公开(公告)号：CN111583292A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010393173.X
申请日：2020-05-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种面向双光子钙成像视频数据的自适应图像分割方法。从双光子钙成像视频中选取第k帧到第n帧构建训练样本；根据训练样本构建初始化的单模态背景模型；对上述单模态背景模型的持续实时更新；利用实时更新的单模态背景模型对实时输入的图像进行分割检测。本发明解决了缺少针对双光子钙成像视频数据特性而专门设计背景建模进而图像分割方法的问题，克服了一些现有方法无法适应与利用双光子钙成像视频数据特性的问题，有效保证了处理的准确性和运算效率。
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公开(公告)号：CN107039282B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710198903.9
申请日：2017-03-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种制备高性能半导体场效应晶体管器件的方法，该方法首先在半导体衬底上定义源极和漏极区域，对源极和漏极区域进行刻蚀，分别形成凹槽；通过常温或低温物理气相沉积在刻蚀好的凹槽中沉积半导体材料作为源极和漏极；其次通过激光退火使源极和漏极区域内沉积的半导体发生重结晶，形成源极和漏极p‑n结；最后沉积栅极绝缘层和金属栅极，形成半导体场效应晶体管器件。本发明方法通过常温/低温物理气相沉积技术，在半导体衬底刻蚀好的凹槽中沉积半导体材料作为源极和漏极，增大MOSFET器件中源漏p‑n结的掺杂浓度，减小源漏区域半导体沉积过程中的掺杂离子扩散。同时结合激光退火技术中激光脉冲时间极短的特点，抑制退火过程中掺杂离子的扩散。
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公开(公告)号：CN108400232A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810201506.7
申请日：2018-03-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于镍锗合金/锗肖特基结的压力传感器件及其制造方法。该压力传感器件包括n型掺杂的锗衬底，锗衬底上表面设置绝缘层，绝缘层上开有贯穿的接触电极凹槽和测试电极凹槽，接触电极凹槽和测试电极凹槽下方的锗衬底中分别设置n型重掺杂区域和镍锗合金区域，镍锗合金区域和锗衬底构成镍锗合金/锗肖特基结结构，镍锗合金区域上设置测试电极，n型重掺杂区域上设置接触电极；本发明利用应变状态下锗材料的能带变化形成势垒高度不同的镍锗硅合金/锗肖特基结，从而改变镍锗硅合金/锗肖特基结在反偏压状态下的电阻，实现压力值的传感。本发明传感器具有灵敏度高、器件尺寸小、易于在集成电路芯片中集成等优势，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN119290959B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411811681.X
申请日：2024-12-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于测量阻性负载样品瞬态温度特性的方法及系统。该方法包括：保持光源常亮，通过将样品调整为不同温度并采集对应的灰度值，绘制样品不同材料对应区域的平均灰度值‑温度曲线图；选择不同平均灰度值‑温度曲线图的线性拟合斜率绝对值最大的材料，计算热反射校准系数；向待测样品施加低频周期性方波激励，用相机获取样品稳态温度变化；查找样品稳态温度变化最大的区域，标记为热点区域；调整光源强度使光电探测器处在线性动态范围内；向待测样品施加高频周期性方波激励，用光电探测器采集样品热点区域瞬态温度变化。本发明避免了光源因脉冲工作模式引入的测量误差，提高了瞬态温度特性测量的时间分辨率和测量准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119833095A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510001842.7
申请日：2025-01-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请实施例公开了基于智能牙椅的操作习惯分类方法、装置、设备及介质。方法应用于智能牙椅，智能牙椅包括多种配套的治疗工具，各治疗工具中均安装有位置传感器以及压力传感器，方法包括：当智能牙椅启动后，获取当前智能牙椅的使用信息；在智能牙椅的使用过程中，通过各治疗工具上的位置传感器以及压力传感器，分别获取各治疗工具分别对应的使用信息，使用信息包括使用时间、使用轨迹以及使用力度；根据各治疗工具分别对应的使用时间、使用轨迹以及使用力度确定当前治疗方案中各治疗步骤的步骤特征信息；根据各治疗步骤分别对应的操作时长以及力度控制精准度确定当前医生标识对应的目标操作习惯。通过方案可提高口腔医生的操作习惯分类精度。
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公开(公告)号：CN119811572A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510283695.7
申请日：2025-03-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了智慧医疗数据的安全传输方法及系统，是先获取智慧医疗设备信息及待安全传输数据集；构建加密通道集；基于数据分级加密策略对待安全传输数据集中各待安全传输数据子集分别进行加密，得到各加密数据子集；基于加密通道确定策略获取与各加密数据子集对应的目标加密通道并基于对应的目标加密通道传输至服务器。通过上述方法，能够对智慧医疗设备所采集到了待安全传输数据集中的各待安全传输数据子集基于数据分级加密策略进行分级加密后，再基于智慧医疗设备与服务器之间的加密通道进行传输，并在服务器中进行安全存储，提高了待安全传输数据集在本地存储和传输过程中的数据安全性，使得患者用户数据得到有效保护。
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公开(公告)号：CN118136678A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410553697.9
申请日：2024-05-07
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种双栅双沟道LDMOS器件及制造方法。所述LDMOS器件包括：衬底，形成于衬底上的掩埋层、漂移区、体区、源区和漏区，以及位于体区上表面的栅氧化层和第一栅极；体区与源区及漂移区相接，漂移区与源区及漏区相接，掩埋层位于漂移区的底部，掩埋层与器件本体外的第二栅极相连；体区与栅氧化层及第一栅极组成MOSFE结构，使得体区表面形成第一沟道；体区与漂移区、掩埋层及第二栅极组成JFET结构，使得漂移区表面形成第二沟道。本发明通过双导电沟道的方式，提高击穿电压同时降低器件的比导通电阻，该器件的结构简单，制造工艺复杂度较低且可与CMOS工艺集成。
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公开(公告)号：CN117590747A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311542652.3
申请日：2023-11-17
Applicant: 浙江大学
IPC: G05B13/04
Abstract: 本发明公开了一种基于高程图的四足机器人高效鲁棒落足规划方法，包括如下步骤：首先根据激光点云和里程计信息构建高程地图，并计算地形特征，进而得到通行性地图，在通行性地图中根据目标点得到局部质心轨迹，并在候选落足点周围提取足端子图并做地图分割，在分割后的子图中做凸包提取，同时优化候选落足点和凸包，得到最优落足点，最后利用最优落足点反算质心位置，与质心轨迹做滚动优化，最终求得同时满足质心轨迹与足端运动的局部规划结果。本发明通过在高程图中提取凸包，实现了将地形信息转化为凸约束，提高了四足机器人整个运动控制的求解成功率，提升了四足机器人跨越复杂地形时的运动鲁棒性。
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公开(公告)号：CN116419652A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211671409.7
申请日：2022-12-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H10N30/30 , H10N30/01 , H10N30/082 , H10N30/06
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI衬底的围栅场效应晶体管的压力传感器件及其制备方法。本发明采用SOI衬底的场效应晶体管进行压力传感，当压力施加于背面硅晶圆时，硅晶圆发生变形，受到张应力，引起沟道内载流子迁移率的变化，而漏极电流和开启电压也将发生变化，从而得到电学特性与压力的曲线，实现压力值的传感。本发明采用这SOI衬底材料制成的传感器还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、及特别适用于低压低功耗电路等优势。
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