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公开(公告)号：CN117906764A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311824222.0
申请日：2023-12-27
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种瞬态反射率显微热成像装置及使用该装置的方法，涉及半导体设备领域。本发明采用具有单光子级别灵敏度和高速响应特性的硅光电倍增器阵列和多通道电荷电压转换器，优化了照明光脉冲、激励脉冲信号和电荷电压转换器积分门之间的时序设定，从而使得激励脉冲信号与照明光脉冲可以达到更高频率，大幅提高了瞬态反射率显微热成像装置的时间分辨率。
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公开(公告)号：CN119573873A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411703625.4
申请日：2024-11-26
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
Abstract: 本发明公开了基于SiPM光子探测效率的测试装置及其方法，基于SiPM光子探测效率的测试方法，包括步骤S1：对SiPM施加允许范围内的反向偏压；步骤S2：获取有光条件下SiPM的输出信号；步骤S3：获取暗环境下的SiPM的输出信号；步骤S4：获取施加合适脉冲光源后SiPM的输出信号；步骤S5：根据脉冲光条件下光功率计读数以及n1和n2，从而计算光子探测效率PDE。本发明公开的基于SiPM光子探测效率的测试装置及其方法，通过计算非光子脉冲与总脉冲的比值，排除了相关噪声的干扰，能够获取不同工作条件下SiPM更准确的光子探测效率，使SiPM的表征和应用更加可靠。
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公开(公告)号：CN119290959B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411811681.X
申请日：2024-12-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于测量阻性负载样品瞬态温度特性的方法及系统。该方法包括：保持光源常亮，通过将样品调整为不同温度并采集对应的灰度值，绘制样品不同材料对应区域的平均灰度值‑温度曲线图；选择不同平均灰度值‑温度曲线图的线性拟合斜率绝对值最大的材料，计算热反射校准系数；向待测样品施加低频周期性方波激励，用相机获取样品稳态温度变化；查找样品稳态温度变化最大的区域，标记为热点区域；调整光源强度使光电探测器处在线性动态范围内；向待测样品施加高频周期性方波激励，用光电探测器采集样品热点区域瞬态温度变化。本发明避免了光源因脉冲工作模式引入的测量误差，提高了瞬态温度特性测量的时间分辨率和测量准确性。
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公开(公告)号：CN119290959A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411811681.X
申请日：2024-12-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种用于测量阻性负载样品瞬态温度特性的方法及系统。该方法包括：保持光源常亮，通过将样品调整为不同温度并采集对应的灰度值，绘制样品不同材料对应区域的平均灰度值‑温度曲线图；选择不同平均灰度值‑温度曲线图的线性拟合斜率绝对值最大的材料，计算热反射校准系数；向待测样品施加低频周期性方波激励，用相机获取样品稳态温度变化；查找样品稳态温度变化最大的区域，标记为热点区域；调整光源强度使光电探测器处在线性动态范围内；向待测样品施加高频周期性方波激励，用光电探测器采集样品热点区域瞬态温度变化。本发明避免了光源因脉冲工作模式引入的测量误差，提高了瞬态温度特性测量的时间分辨率和测量准确性。
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