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公开(公告)号：CN104291792A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410507261.2
申请日：2014-09-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/10 , C04B35/04 , C04B35/48 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种氧化物陶瓷靶材及其制备方法，所述氧化物陶瓷靶材由30-70wt%的In2O3、5-40wt%的XO、10-50wt%的ZnO组成，上述三者比例之和为100%，其中XO是铝、镁、锡或铪的氧化物。所述制备方法包括如下步骤：（1）将30-70wt%的In2O3、5-40wt%的XO和10-50wt%的ZnO装入粉碎机中粉碎；（2）将球磨后得到的混合物粉体压制成型，获得平面或管状的素坯；（3）将平面或管状的素坯脱脂；（4）将脱脂后的素坯进行烧结，获得高密度的陶瓷靶材。本发明用于替代现有的含镓氧化物陶瓷靶材，在保持性能的同时，实现靶材及TFT器件成本的降低。
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公开(公告)号：CN102244010B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110150070.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法，(1)采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备p-CAO透明导电薄膜后，再采用超声喷雾热解(USP)工艺制备n-AZO透明导电薄膜；(2)制备p-CAO薄膜时需多次匀胶、分层预热处理；(3)p-CAO薄膜需经退火处理，且退火在氩气气氛下进行；(4)采用USP工艺，在已覆盖CAO薄膜衬底上沉积n-AZO透明导电薄膜；(5)沉积n-AZO透明导电薄膜时衬底需加热，且衬底温度不超过320℃，样品自然冷却即得p-CuAlO2/n-ZnO:Al(p-CAO/n-AZO)透明薄膜异质结。该方法新颖、简单，且能满足大面积成膜工艺要求，其制备的p-CAO/n-AZO异质结为全透明结构并能实现p-n结功能，具有良好的光电性能。
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公开(公告)号：CN102424577B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110278893.2
申请日：2011-09-20
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01C7/10 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低压压敏电阻陶瓷材料及其制备方法，它是在ZnO-Bi2O3基低压压敏陶瓷中同时添加V2O5和TiO2来实现，用料量V2O5︰TiO2︰ZnO-Bi2O3基的摩尔比为0.05-0.08︰0.80-1.30︰98.62-99.15，其中ZnO-Bi2O3基包括ZnO、Bi2O3、Co2O3、MnCO3组成成分，且ZnO︰Bi2O3︰Co2O3︰MnCO3的摩尔比为97.40-98.20︰0.60-0.80︰0.80-1.20︰0.40-0.60，用传统制陶工艺烧制而成。本发明的优点是：（1）Ti掺杂可提高压敏陶瓷材料的非线性系数，降低电位梯度；（2）V掺杂可降低陶瓷材料的烧结温度，并节约能耗，降低成本；（3）预烧能增强粉体活性；（4）分段升温、保温的工艺可以提高陶瓷的质量和性能，同时降低能耗，节约成本。
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公开(公告)号：CN102180704A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110052767.5
申请日：2011-03-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 本发明公开了一种Si衬底Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12自然超晶格铁电薄膜的制备方法，采用溶胶-凝胶工艺，直接形成自然超晶格结构；为弥补Bi2O3在高温下易于挥发，在Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12名义成分配料的基础上，采用Bi适度过量的成分配方；采用多次匀胶、分层退火；成膜退火在氧气气氛下进行。该方法简单且能满足硅平面工艺的要求，其制备的Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12铁电薄膜具有超晶格结构和突出的铁电性能、优异的抗疲劳特性及良好的综合性能。
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公开(公告)号：CN203415628U
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201320459034.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种肖特基特性自整流阻变存储器，包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极，所述底电极是导电薄膜电极，所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜，所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。本实用新型不仅保持器件具有较好的双极性存储功能，而且增加了存储器的自整流功能，可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题，其自整流功能具有肖特基特性，较之pn结自整流阻变存储器，具有肖特基二极管带来的开关速度快，开关损耗小等一切优点，降低了功耗，提高了读写速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN207320168U
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201721140292.4
申请日：2017-09-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型公开一种阻变存储器，包括：底电极、沉积在底电极上的第一阻变层、沉积在第一阻变层上的第二阻变层和沉积在第二阻变层上的上电极，其中，底电极为电阻率小于10-4Ω·cm的重掺杂硅电极，第一阻变层为Sr1-yBiyTiO3薄膜，第二阻变层为SrTi1-xMgxO3薄膜，上电极为金属电极。本实用新型提供的自整流阻变存储器，通过对SrTiO3阻变薄膜分别进行施主、受主掺杂，使之既具有阻变特性，又能实现p-n结的整流作用，可避免应用于三维集成存储器时其1R结构存在的串扰问题。同时，本实用新型提供的阻变存储器，并没有增加存储单元的面积，能够保证存储密度，以Si为衬底还能与目前的Si集成电路工艺兼容。
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公开(公告)号：CN205542905U
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201620088826.2
申请日：2016-01-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种紫外有机发光器件。所述器件包括衬底层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和反射金属阴极层，电子注入层为厚度是1.5nm?6nm的LiF；衬底层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层顺序叠接为一体。本实用新型利用厚绝缘层作为电子注入层，通过减少电子的注入，提高发光层中电子?空穴的平衡性，因而在达到同等数量的电子?空穴对数目时只需要更低的电流密度，增加了电子与空穴在发光层中复合的概率，产生高效率的近紫外光发射，提高了紫外OLED器件的发光效率和辐照度。
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公开(公告)号：CN203225281U
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201320173422.X
申请日：2013-04-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L51/52
Abstract: 本实用新型公开了一种光谱随视角变化甚微的微腔结构倒置型顶发射有机电致发光器件，包括微腔结构和在微腔结构内从下向上倒置设置的衬底、反射金属阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、半透明金属阳极、出射发光线，通过半透明金属阳极由正向负连接反射金属阴极通以直流电构成外电路。其特征是：在半透明金属阳极之上不设有折射率匹配层和扩散层。本实用新型简化制作工艺流程、降低生产成本。通过调节发光层的厚度及其在微腔中的适当位置，器件的EL光谱在偏离发光面法线方向60O视角范围内光谱峰值位置、光谱形状及其对应的色坐标变化甚微，而且出射光线是通过微腔干涉效应发出的。
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公开(公告)号：CN206931732U
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201720585538.2
申请日：2017-05-24
Applicant: 桂林恒昌电子科技有限公司 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种超细间距集成电路连接器，包括印制电路板、联接器及集成电路板，印制电路板、联接器、集成电路板按从下至上顺序叠放，联接器通过施加固定压缩比率实现集成电路板引脚与印制电路板铜焊盘之间的压缩接触导通。采用本实用新型的技术方案可以实现集成电路板与印制电路板在细间距条件下导电互连的可靠性，缩小集成电路芯片的封装尺寸、可代替细间距集成电路再流组装工艺、降低组装成本和集成电路芯片的制造成本，除连接器的成本大幅降低外，总体成本还能大幅降低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205429011U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620211105.6
申请日：2016-03-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L43/10
Abstract: 本实用新型公开了一种低漏电流铁酸铋薄膜，所述薄膜包括衬底，以及衬底上的Bi4?xNdxTi3O12薄膜层，Bi4?xNdxTi3O12薄膜层上是BiFeO3薄膜层，并且Bi4?xNdxTi3O12薄膜层与BiFeO3薄膜层交替搭配，形成Bi4?xNdxTi3O12/BiFeO3复合薄膜，其中X的取值范围是0.4?0.85。本实用新型通过在BiFeO3薄膜与衬底间引入Bi4?xNdxTi3O12铁电薄膜缓冲层来降低BiFeO3薄膜的漏电流，提高铁电性能，在高电场下，该复合薄膜的漏电流密度比纯BiFeO3薄膜降低了4个数量级，铁电性能也得到了很大的提高。
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