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公开(公告)号：CN103400936A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310324856.X
申请日：2013-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成；所述肖特基特性自整流阻变存储器，包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极，所述底电极是导电薄膜电极，所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜，所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能，而且增加了存储器的自整流功能，可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题，其自整流功能具有肖特基特性，较之pn结自整流阻变存储器，具有肖特基二极管带来的开关速度快，开关损耗小等一切优点，降低了功耗，提高了读写速度。
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公开(公告)号：CN103194011A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310129116.0
申请日：2013-04-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C08L9/06 , C08L7/00 , C08K13/06 , C08K9/06 , C08K7/22 , C08K7/24 , C08K5/053 , C08K5/521 , C08K5/3492 , C08K3/32 , C08K3/36 , C08K5/39 , C08K3/22 , C08K5/09 , H01B3/28 , H01B13/24
Abstract: 本发明公开了一种无卤磷-氮膨胀型阻燃剂阻燃橡胶电缆料，主要由下列重量份原料组成：天然胶25-60份；丁苯胶40-75份；IFR70-120份；白炭黑5-10份；二甲级二硫代氨基甲酸锌1-2份；硫化剂1-5份；氧化锌6-8份；硬脂酸1-3份；抗氧剂1-2份。本发明的有益效果：电缆料易加工，挤包工艺良好；所得无卤磷-氮膨胀型阻燃剂阻燃橡胶电缆料的基体与阻燃剂等配合剂相容性好，无配合剂迁移现象，产品具有优良的阻燃性能，力学性能、低温柔性良好。
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公开(公告)号：CN103183848B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310129105.2
申请日：2013-04-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C08L7/00 , C08L9/00 , C08L9/06 , C08K13/02 , C08K5/39 , C08K3/22 , C08K5/09 , C08K3/36 , C08K3/38 , C08K3/24
Abstract: 本发明公开了一种快速硫化的低烟无卤阻燃橡胶电缆料，主要由下列重量份原料组成：天然胶20-80份；丁苯胶20-80份；阻燃抑烟剂130-150份；阻燃抑烟协效剂4-10份；偶联剂1-3份；二甲基二硫代氨基甲酸锌1-3份；硫化剂1-5份；氧化锌6-8份；硬脂酸1-3份；抗氧剂1-2份。本发明的有益效果：电缆料易加工，挤包工艺良好；产品力学性能、低温柔性良好。
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公开(公告)号：CN103219464B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310155422.1
申请日：2013-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MMA/BMI共聚物有机阻变存储器及其制备方法，包括衬底，衬底上的底电极，旋涂于底电极上的共聚物有机阻变存储层和顶电极，其特征是：有机阻变存储层由甲基丙烯酸甲酯（MMA）和双马来酰亚胺（BMI）共聚物有机膜组成。制备时，将制备好的MMA/BMI预聚物溶液旋涂于底电极上，直接在底电极上完成共聚反应得到MMA/BMI共聚物，可以减少底电极与MMA/BMI共聚物有机功能层之间的接触电阻；所得MMA/BMI共聚物有机阻变存储器的性能优异，关态电流小于4nA，开关比高达108，具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN103219466B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310154664.9
申请日：2013-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103254454A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310176825.4
申请日：2013-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种流延法制备合成高分子增强改性淀粉薄膜的方法，先将一定比例的淀粉与去离子水制成混合物放入反应器中，在80~95℃的环境下用搅拌器以250~320r/min的转速搅拌，糊化30min~1h，自然冷却到30~60℃；加入5~25份合成高分子水溶液或水乳液，搅拌1~2h；制得的溶液在凹型塑料薄膜模板上均匀地流延平铺成膜，在60~70℃真空干燥箱中烘干即可。本发明制备工艺简单，不需要任何有机小分子添加剂，制得的淀粉薄膜达到了包装薄膜（GB/T4456-1996）对拉伸强度性能的要求，且成本低，可降解，大大减少了白色污染。
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公开(公告)号：CN103219464A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310155422.1
申请日：2013-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MMA/BMI共聚物有机阻变存储器及其制备方法，包括衬底，衬底上的底电极，旋涂于底电极上的共聚物有机阻变存储层和顶电极，其特征是：有机阻变存储层由甲基丙烯酸甲酯（MMA）和双马来酰亚胺（BMI）共聚物有机膜组成。制备时，将制备好的MMA/BMI预聚物溶液旋涂于底电极上，直接在底电极上完成共聚反应得到MMA/BMI共聚物，可以减少底电极与MMA/BMI共聚物有机功能层之间的接触电阻；所得MMA/BMI共聚物有机阻变存储器的性能优异，关态电流小于4nA，开关比高达108，具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN103400936B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310324856.X
申请日：2013-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成；所述肖特基特性自整流阻变存储器，包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极，所述底电极是导电薄膜电极，所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜，所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能，而且增加了存储器的自整流功能，可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题，其自整流功能具有肖特基特性，较之pn结自整流阻变存储器，具有肖特基二极管带来的开关速度快，开关损耗小等一切优点，降低了功耗，提高了读写速度。
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公开(公告)号：CN103219466A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310154664.9
申请日：2013-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
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公开(公告)号：CN103183848A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310129105.2
申请日：2013-04-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C08L7/00 , C08L9/00 , C08L9/06 , C08K13/02 , C08K5/39 , C08K3/22 , C08K5/09 , C08K3/36 , C08K3/38 , C08K3/24
Abstract: 本发明公开了一种快速硫化的低烟无卤阻燃橡胶电缆料，主要由下列重量份原料组成：天然胶20-80份；丁苯胶20-80份；阻燃抑烟剂130-150份；阻燃抑烟协效剂4-10份；偶联剂1-3份；二甲级二硫代氨基甲酸锌1-3份；硫化剂1-5份；氧化锌6-8份；硬脂酸1-3份；抗氧剂1-2份。本发明的有益效果：电缆料易加工，挤包工艺良好；产品力学性能、低温柔性良好。
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