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公开(公告)号：CN207320168U
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201721140292.4
申请日：2017-09-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型公开一种阻变存储器，包括：底电极、沉积在底电极上的第一阻变层、沉积在第一阻变层上的第二阻变层和沉积在第二阻变层上的上电极，其中，底电极为电阻率小于10-4Ω·cm的重掺杂硅电极，第一阻变层为Sr1-yBiyTiO3薄膜，第二阻变层为SrTi1-xMgxO3薄膜，上电极为金属电极。本实用新型提供的自整流阻变存储器，通过对SrTiO3阻变薄膜分别进行施主、受主掺杂，使之既具有阻变特性，又能实现p-n结的整流作用，可避免应用于三维集成存储器时其1R结构存在的串扰问题。同时，本实用新型提供的阻变存储器，并没有增加存储单元的面积，能够保证存储密度，以Si为衬底还能与目前的Si集成电路工艺兼容。
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