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公开(公告)号：CN110337693A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201880012085.1
申请日：2018-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: G11B7/2578 , G11B7/243 , G11B7/26
Abstract: 本发明的目的在于提供在直接层叠的氧化物系记录层中可进行良好的信息记录且无需预防健康问题的措施、耐久性高的电介质层。本发明的电介质层由含有Sn元素、以及Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素中的至少一种元素的氧化物形成，在相对于氧化物的氧以外的所有元素而将Sn元素的含有率设为a摩尔％、Zn元素的含有率设为b摩尔％、Zr元素的含有率设为c摩尔％、Si元素的含有率设为d摩尔％、及Ga元素的含有率设为e摩尔％的情况下，满足下述式(1)～式(7)。0≦b/(a+b)≦0.6···(1)0≦(c+d)/(a+b+c+d+e)≦0.5···(2)0≦b≦50···(3)0≦c≦40···(4)0≦d≦45···(5)0≦e≦40···(6)20≦b+c+d+e≦80···(7)。
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公开(公告)号：CN106337171B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610490806.2
申请日：2016-06-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供了一种在Ni镀覆工艺中使用的沉积有底层的基板，其允许Ni镀覆层在应用NiP镀覆工艺期间充分生长，使其可以有效地形成均匀的Ni镀覆层，并且此外展现出对Ni镀覆层的良好粘附性。所述在Ni镀覆工艺中使用的沉积有底层的基板包括在用于磁性记录介质的铝基板表面上沉积的底层，并且所述底层是Al合金膜，所述Al合金膜含有Zn或Ni作为合金元素。
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公开(公告)号：CN102859596B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201180018935.7
申请日：2011-04-06
IPC: G11B7/24038 , G11B7/2578 , G11B7/243
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明的目的是提供可以应用于具有约每一层25GB的高容量的一次写入光学记录介质、且在提供多层化的记录层构造时具有良好记录特性的光学记录介质。该光线记录介质包括基板21和两个到四个记录层221和222。这些记录层221和222中的至少一者或多者是特定记录层，特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn(也就是说，In2O3、ZnO、Al2O3和SnO2)中的至少一者、PdO、以及PdO2的组分。与特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层的电介质层232a和232b。
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公开(公告)号：CN102165846A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137599.0
申请日：2009-11-09
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01L51/5218 , H01B1/02 , H01L27/3244 , H01L2251/5315 , H05B33/26 , Y10T428/12896 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的目的在于，不会在构成有机EL层的有机材料中形成针孔，能够避免黑点等有机EL显示器特有的劣化现象。本发明的用于有机EL显示器的反射阳极电极在基板(1)上形成，包括含有0.01～1.5原子％Nd的Ag基合金膜(6)和与该Ag基合金膜(6)上直接接触的氧化物导电膜(7)。
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公开(公告)号：CN102150211A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135535.7
申请日：2009-09-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2585 , G11B7/266 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种使用蓝色激光的只读光信息记录媒体(例如双层BD-ROM)，其具有的反射膜既可确保制造时所需要的透光性，又具有充分高的反射率，并且在用于光信息记录媒体时再生稳定性优异，且耐久性也优异。本发明涉及一种只读光信息记录媒体，是包含在基板上多层形成有反射膜和透光层的叠层的构造，通过蓝色激光进行信息的再生的只读光信息记录媒体，其中，所述反射膜之中距所述基板最近的反射膜，实质上由含有Ti为0.5～3.0原子％的Al基合金构成，并且该反射膜的膜厚为10nm以上、30nm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102084421A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980125743.9
申请日：2009-09-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G11B7/258
CPC classification number: C23C14/205 , G11B7/2585
Abstract: 本发明提供反射膜表面高精度再现形成于基板上的凹槽或凹点等，实现光信息记录介质的噪声的减小，并且具有高的反射率的Al基合金反射膜，以及对形成这样的反射膜有用的溅射靶材。本发明的光信息记录介质用反射膜用于光信息记录介质，实质上由含有2.0～15.0原子％的稀土类元素的Al基合金形成，反射膜的厚度方向的微晶尺寸为30nm以下。
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公开(公告)号：CN101996653A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010254835.1
申请日：2010-08-13
IPC: G11B7/243
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , Y10T428/21
Abstract: 本发明涉及一种光学记录介质，其包括：衬底；信息记录层，其形成于衬底上，并且具有记录膜，记录膜包含锌或铝、钯和氧，在记录膜中，氧的量大于当锌或铝完全氧化成ZnO或Al2O3时的化学计量成分中的量；和光透射层，其形成于信息记录层上。
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公开(公告)号：CN1901053B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610101951.3
申请日：2006-07-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/165 , C22C5/06 , C23C14/3414 , G11B7/258 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: 一种银合金反射膜被用于光学信息记录介质，并包含作为主成分的银、总共1-10原子％的至少一种稀土元素，和总共1-15原子％的选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种，其中所述至少一种稀土元素与所述选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5原子％或更高。该银合金反射膜优选还包含0.01-3原子％的Bi和Sb中的至少一种。银合金溅射靶具有与该银合金反射膜相同的组成。
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公开(公告)号：CN100416681C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510079173.8
申请日：2005-06-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G11B7/24038 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/266 , Y10T428/21
Abstract: 用于光学信息记录介质的各种半反射膜或者反射膜以及一种Ag基合金溅射靶包含Li含量为0.01-10原子百分比的Ag基合金。该Ag基合金显示出高抗粘结性、高耐光性、高耐热性、高反射率、高透射率、低吸收率和高热导率，这些性能是用纯Ag或者常规的Ag合金不能获得的。所得到的包含Ag基合金的用于光学信息记录介质的半反射膜和反射膜显示出优异的录写/读取性能和长期可靠性。半反射膜和反射膜沉积中使用光学信息记录介质用溅射靶。使用该半反射膜和/或反射膜制造光学信息记录介质。
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公开(公告)号：CN1925037A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610125772.3
申请日：2006-08-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/3414 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B2007/24304 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312
Abstract: 提供了不仅初始反射率、记录标记的生成等优异，而且在高温和高湿环境中的耐久性也特别优异的光学信息记录介质用记录层，它可以适用于采用蓝－紫色激光束的下一代光盘。通过照射激光束产生记录标记的所述光学信息记录介质用记录层包含含有5－50原子百分数的In和/或12－40原子百分数的Zn的Sn基合金。
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