公开(公告)号：CN102169906B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201110037224.6

申请日：2009-07-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/46 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的在于提供具有电特性及可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及量产性高地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于：包括作为半导体层使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN101645463B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200910163621.0

申请日：2009-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  宫入秀和 ,  宫永昭治 ,  秋元健吾 ,  白石康次郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L27/02 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一在于提供一种在使用包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜的薄膜晶体管中减少源电极或漏电极的接触电阻的薄膜晶体管及其制造方法。通过在源电极层及漏电极层和IGZO半导体层之间意图性地设置载流子浓度比IGZO半导体层高的缓冲层，形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN101131923B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200710146856.X

申请日：2007-08-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  田中幸一郎 ,  小路博信 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  B23K26/36 ,  B41M5/24

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明提供不使用光掩模和抗蚀剂而以简单的工序精确地进行薄膜加工的方法。而且，本发明提供以低成本制造半导体器件的方法。在衬底上形成第一层；在第一层上形成光吸收层；在光吸收层上形成具有透光性的层；从具有透光性的层一侧向光吸收层选择性地照射激光束。由于光吸收层吸收激光束的能量，通过光吸收层中的气体释放、光吸收层的升华或蒸发等，来去除光吸收层的一部分和与光吸收层接触的具有透光性的层的一部分。通过将残留了的具有透光性的层或光吸收层用作掩模蚀刻第一层，可以在所希望的区域中以所希望的形状对第一层进行加工，而不使用常规的光蚀刻技术。

公开(公告)号：CN101308772B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810088431.2

申请日：2008-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1266

Abstract: 本发明的目的在于提供高性能且廉价的半导体装置及其制造方法。在衬底上设置具有分开单晶半导体层的第一区域和具有非单晶半导体层的第二区域。另外，更优选为在所述分开单晶半导体层或所述非单晶半导体层的任一方上形成覆盖膜，而从所述覆盖膜的上方向所述第一区域及所述第二区域照射激光束。

公开(公告)号：CN102592977A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210057692.4

申请日：2008-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于抑制在制造SOI衬底时发生的金属污染的影响。对半导体衬底照射氢离子来形成损伤区域，然后接合基底衬底和半导体衬底。通过加热处理使半导体衬底劈开，以制造SOI衬底。即使在氢离子的照射工序中金属离子与氢离子一起注入到半导体衬底中，也可以通过吸杂处理抑制金属污染的影响。因此，可以肯定地使用离子掺杂法照射氢离子。

公开(公告)号：CN101743616B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200880022572.2

申请日：2008-06-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  沟井达也 ,  宫入秀和 ,  田中幸一郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66772

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其中可以使转置在多个地方的半导体膜之间的间隔变得很小。进行多次从接合衬底到基底衬底的半导体膜的转置。当使先转置的半导体膜和后转置的半导体膜相邻时，通过利用其端部被部分地去掉了的接合衬底来进行后转置。对用于后转置的接合衬底来说，其对应于被去掉的端部的区域在垂直于接合衬底的方向上的宽度大于先转置的半导体膜的厚度。

公开(公告)号：CN102312220A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110179764.8

申请日：2011-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小松立 ,  神保安弘 ,  宫入秀和

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/515 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个方式提供一种以高生产率制造电特性优良的半导体装置的方法。在第一条件下形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的种子，然后在第二条件下以使混合相微粒生长来填埋混合相微粒之间的空隙的方式在种子上层叠形成微晶半导体膜。在第一条件中，将氢流量设定为含有硅或锗的沉积气体流量的50倍以上且1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为67Pa以上且1333Pa以下。在第二条件中，使含有硅或锗的沉积气体与氢的流量比周期性地增减并将其供应到处理室内，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上且13332Pa以下。

公开(公告)号：CN102243992A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110126400.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 手塚祐朗 ,  神保安弘 ,  佐佐木俊成 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L29/78648 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种高生产率地制造电特性优良的半导体装置的方法。在微粒密度低地提供高晶性的混合相微粒的第一条件下，在氧化绝缘膜上形成第一微晶半导体膜。然后，在使混合相微粒进行结晶生长来填充混合相微粒之间的空隙的第二条件下，在所述第一微晶半导体膜上层叠第二微晶半导体膜。

公开(公告)号：CN1971849B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200610163673.4

申请日：2006-11-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/14 ,  B23K26/06 ,  B23K26/42 ,  B23K101/40

CPC classification number: B23K26/073 ,  B23K26/032 ,  B23K26/142 ,  B23K26/705 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/13

Abstract: 由于传统的激光照射装置所用的排放气体的板的尺寸较大，并且在激光光线最后通过的光学系统与板之间的距离不足，因此很难检查从激光光线最后通过的光学系统传输的激光光线的状态。提供了一种激光照射装置，包括：激光振荡器、用于对激光振荡器产生的激光光线进行整形的光学系统、具有用于排放气体的开口的送风器、设置在送风器下面的台、在台上的用于在送风器与台之间保持恒定距离的构件、和设置在光学系统与送风器之间用于观测透射通过光学系统的激光光线的构件。

公开(公告)号：CN101136438B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200710142239.2

申请日：2007-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/04 ,  B23K26/0626 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0738 ,  B23K26/0884 ,  B23K2101/006 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种通过激光晶化法使晶界在一个方向上一致的晶态半导体膜及其制造方法。当通过利用线状激光使形成在衬底上的半导体膜晶化时，使用凹凸被形成为条形的相移掩模。形成在相移掩模上的条形凹凸与线状激光的长轴方向形成近似于垂直的角度地被形成。使用连续振荡激光作为激光，并且该激光的扫描方向与条形凹凸(槽)的方向大体上平行。通过在长轴方向上周期性地改变激光的亮度，可以控制完全熔化的半导体膜的结晶核生成位置。