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公开(公告)号:CN1592738A
公开(公告)日:2005-03-09
申请号:CN02823446.4
申请日:2002-11-28
Applicant: 和光纯药工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D409/14 , C07D487/04 , G03F7/039
CPC classification number: C07D209/48 , C07D487/04 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , Y10S430/121
Abstract: 本发明涉及作为在半导体元件等的制造中使用的化学放大型抗蚀剂组合物的酸产生剂或用于耐热性高分子合成原料有用的新的双二酰亚胺化合物,使用它们的酸产生剂和抗蚀剂组合物以及用该组合物的图案形成方法,进一步涉及作为双二酰亚胺化合物的合成中间体,例如耐热性高分子化合物,感光材料等的功能性化合物的中间体等有用的双(N-羟基)苯邻二甲酰亚胺化合物,即提供通式[1]所示的双二酰亚胺化合物,[式中,R,A1分别如权利要求1定义]使用它们的酸产生剂以及抗蚀剂组合物和用该组合物的图案形成方法。
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公开(公告)号:CN1524200A
公开(公告)日:2004-08-25
申请号:CN02802641.1
申请日:2002-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/115 , Y10S430/146 , Y10S430/167 , Y10S430/168
Abstract: 一种具有含以[化1]表示的单元的基体树脂和酸产生剂的图案形成材料,(其中,R1是氢原子、氯原子、氟原子、烷基或含氟原子烷基;R2是由酸而离去的保护基。)
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公开(公告)号:CN1475029A
公开(公告)日:2004-02-11
申请号:CN01819060.X
申请日:2001-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76819 , H01L21/31051
Abstract: 一种半导体装置的制造方法,对形成了具有台阶差的层的基板的表面供给具有流动性的物质,在形成了流动性膜后,利用具有平坦的按压面的按压构件将流动性膜按压到基板上,使流动性膜的表面平坦化。在该状态下,通过加热流动性膜使该流动性膜固化,形成具有平坦的表面的被固化了的膜。
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公开(公告)号:CN1461040A
公开(公告)日:2003-12-10
申请号:CN03131009.5
申请日:2003-05-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/16 , G03F7/0045 , H01L21/0271 , H01L21/31055 , H01L21/31058 , H01L21/31144
Abstract: 一种图案形成方法,在基板(10)上面形成表面粗糙的低介电常数绝缘膜(11)之后,在腔室(12)的内部,通过超临界流体(14)对低介电常数绝缘膜(11)进行表面处理,使低介电常数绝缘膜(11)的表面平滑化。然后在表面被平滑化的低介电常数绝缘膜(11)上面涂布化学放大型抗蚀剂,而形成抗蚀剂膜(16)之后,对该抗蚀剂膜(16)进行图案曝光。对经图案曝光的抗蚀剂膜(16)进行显影、冲洗和干燥,形成抗蚀图(19)。通过上述图案形成方法,在化学放大型抗蚀图中不产生或褶边缝边或咬边,提高图案形状。
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公开(公告)号:CN1417843A
公开(公告)日:2003-05-14
申请号:CN02148111.3
申请日:2002-10-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0045
Abstract: 一种图案形成方法,其特征在于,首先形成由含有丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯中的至少一种酯的基本聚合物和受光照后会产生酸的酸发生剂的化学放大型抗蚀材料构成的抗蚀膜;然后对该抗蚀膜选择性地照射波长为1-30nm波段的远紫外线以曝光图案,并经过显影形成由抗蚀膜未曝光部分构成的抗蚀图案;对抗蚀图案进行加热处理,使所述抗蚀图案的粗糙度趋于平滑。
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