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公开(公告)号：CN116140625B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202211630830.3
申请日：2022-12-19
Applicant: 有研(广东)新材料技术研究院 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B22F5/10 , B22F10/16 , B22F10/64 , B22F3/15 , B22F9/04 , B28B1/00 , B33Y10/00 , B33Y40/20 , B33Y80/00 , H01L21/60
Abstract: 本发明属于微电子工具的技术领域，具体涉及一种楔形劈刀材料及其制备方法。所述楔形劈刀材料为一体型结构，包括圆柱形棒体(1)和内部沿中轴线设有的过渡式穿丝孔(2)，所述过渡式穿丝孔(2)的中间设有粗穿丝孔(3)、过渡孔(4)和细穿丝孔(5)。同时，提供了制备方法，将硬质合金或陶瓷粉末与粘结剂混合制成浆料，经喷雾干燥工艺制备所需粉末，采用粘结剂喷射成型工艺进行打印成型，经过烧结与后续致密化处理，实现了楔形劈刀棒材的高性能成型。本发明提供了一种楔形劈刀的高精度、高效率、高清洁度的制备方法，突破了硬质材料复杂形状穿丝孔的加工难题，提高了粘结剂喷射成型工艺制备的零件的致密度，提高了键合质量，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN116573939A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310829938.3
申请日：2023-07-07
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C04B35/56 , C04B35/622 , B28B3/00 , C22C29/08 , C22C1/051 , B22F5/10 , B22F1/10 , B22F3/02 , B22F3/10
Abstract: 一种用于高性能楔焊劈刀的碳化钨材料，碳化钨材料的成分以重量百分比计，由以下组分组成：WC 66‑84.5%、TiC 10‑20%、Co 2‑10%、Ni 2‑10%、Cr2C3 0.2‑0.4%、VC 0.2‑0.4%、MoC 0.5‑5%、K 0.5‑10%，所述K为钽的碳化物、铪的碳化物、铌的碳化物、铼的碳化物、碳化钽铌固溶体、碳化钨钛固溶体中的至少一种；该碳化钨材料生产方法是采用垂直引线孔近净模压技术，提升了碳化钨楔焊劈刀的超声键合效率和键合磨损性能，进一步适配于楔焊键合的热压超声工况，大幅提升了楔焊劈刀的使用寿命，并对该碳化钨材料，开发出垂直引线孔近净模压技术，实现了0.1‑1.0mm内孔式碳化钨楔焊劈刀坯料生产，减少了部分精密加工工序，缩短了生产流程，大幅降低楔焊劈刀生产成本。
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公开(公告)号：CN114921702B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210159161.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于生产楔形劈刀的材料及其制备方法。用于生产楔形劈刀的材料按重量百分比计，成分组成为：基体碳化钨80％～95％，粘结相高熵合金5％～20％；其中，粘结相高熵合金包括Cr、Fe、Co、Ni、Al、Y元素。该材料的制备方法包括高熵合金制备，成分混合球磨、干燥制备碳化钨‑高熵合金粉末，喂料混炼、注塑，对所得坯料进行脱脂处理、烧结等工序。本发明制备的碳化钨‑高熵合金材料体系简单，只包含基体碳化钨和粘结相高熵合金，不需要添加晶粒生长抑制剂等材料。本发明的材料能够有效解决碳化钨‑钴硬质合金存在的问题，从而提高楔形劈刀的力学性能和耐磨损性能，延长楔形劈刀的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113045206B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201911375624.0
申请日：2019-12-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C03C12/00
Abstract: 本发明涉及一种具有核壳结构的高硅氧玻璃粉及其制备方法，该高硅氧玻璃粉适合用作高温涂层材料。该高硅氧玻璃粉具有核壳结构，以质量百分比计算，高硅氧玻璃颗粒的内核部分由3～10％B2O3和90～97％SiO2组成；外壳部分由10～20％B2O3和80～90％SiO2组成。本发明以高纯石英粉和硼酐为基础原料，经球磨、烧结、破碎、再球磨等步骤制备得到。本发明具有核壳结构的高硅氧玻璃粉适合用作高温涂层材料，采用本发明的高硅氧玻璃制备涂层，可在高温下形成致密涂层。
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公开(公告)号：CN114525451A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210117653.2
申请日：2022-02-08
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/44 , C22C38/54 , C22C38/56 , C22C38/58 , C22C1/03 , C22C30/00 , C22C33/06
Abstract: 本发明提出一种屏蔽型非等原子比高熵合金钢及其制备方法，以铁为基体，以高含量的钨、硼元素作为抗射线、中子辐射功能组元，并添加能够提高材料综合结构性能的过渡金属元素(镍、铬、钼、锰)、小原子半径元素(硅、碳)以及稀土元素(钆、钇)。该材料兼具优异的射线、中子屏蔽性能以及较好的力学性能、耐腐蚀性能，可满足核用抗辐射功能‑结构一体化需求，可采用常规熔炼法制备，无需变形加工及热处理，制造工艺简单、成本低，适于批量化工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113930651A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202010603733.X
申请日：2020-06-29
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明属于硬质合金及其制备技术领域，尤其涉及一种超粗WC‑Co硬质合金，其结构为超细WC颗粒强化的粘结相环绕超粗WC颗粒分布，其中超细WC颗粒强化粘结相的体积含量为20～40％，超细WC颗粒在强化粘结相体积含量为20～50％。超细WC颗粒的平均截线粒度为0.2～0.8μm，超粗WC颗粒的平均截线粒度为6～8μm。本发明所制备的超粗硬质合金具有极佳的耐磨性，特别适合于矿山工具、采掘工具等。
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公开(公告)号：CN113045206A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911375624.0
申请日：2019-12-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C03C12/00
Abstract: 本发明涉及一种具有核壳结构的高硅氧玻璃粉及其制备方法，该高硅氧玻璃粉适合用作高温涂层材料。该高硅氧玻璃粉具有核壳结构，以质量百分比计算，高硅氧玻璃颗粒的内核部分由3～10％B2O3和90～97％SiO2组成；外壳部分由10～20％B2O3和80～90％SiO2组成。本发明以高纯石英粉和硼酐为基础原料，经球磨、烧结、破碎、再球磨等步骤制备得到。本发明具有核壳结构的高硅氧玻璃粉适合用作高温涂层材料，采用本发明的高硅氧玻璃制备涂层，可在高温下形成致密涂层。
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公开(公告)号：CN109868467B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201711265538.5
申请日：2017-12-04
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种铝合金表面抗辐射加固复合涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)对基材铝合金表面进行预处理；(2)将预处理后的铝合金片固定至不锈钢球磨罐底部，将钨粉、铝粉或铝合金粉按配比混合后放入球磨罐中，不锈钢磨球与粉料重量比为5∶1，使用行星式球磨机在真空或氩气保护的环境中以转速为100转/分钟球磨1小时，再以转速为300转/分钟高能球磨5～20小时，即可得到的铝合金表面抗辐射加固复合涂层；(3)采用真空热压致密化处理的方法进行致密化；(4)经表面修整和机加工得到铝合金表面抗辐射加固复合涂层。采用本发明的方法制备的铝合金表面抗辐射加固复合涂层，具有致密度高、界面结合力强、屏蔽性能好的特点，具有较大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN112742870A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011475464.X
申请日：2020-12-14
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种屏蔽型镁钽多层复合板的制备方法，所述屏蔽型复合板包括钽或钽合金作为高Z金属相，镁或镁合金作为低Z金属相。本发明公开的镁/钽复合板制备方法包括以下步骤：(1)对钽板和镁板分别进行退火处理；(2)对退火后板材进行表面处理，去除表面的氧化层、杂质和油污；(3)将上一步骤得到的板材进行堆叠，随后放入包套中抽真空、封焊，制成板坯；(4)将组装好的板坯入炉加热保温，送入轧机进行轧制，空冷后去除包套，得到镁/钽双金属多层复合板。本发明通过轧制的方式将镁(镁合金)和钽(钽合金)两种材料进行整体复合，制备方法简单、成本低、易于工业化生产，可以替代传统的抗电子辐射屏蔽材料。
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公开(公告)号：CN112723881A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011617860.1
申请日：2020-12-30
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于高压陶瓷材料领域，尤其涉及一种具有高温度稳定性的介电陶瓷材料的制备方法。本发明以Bi2O3、La2O3、TiO2、CaCO3为原料，按照配比要求，采用固相烧结合成工艺合成。由上述介电材料制成的陶瓷电容器，具有如下电气性能：温度变化率|△ε|/ε25≤1％(‑40℃～70℃)，介电常数ε25≥130，损耗角正切值tgδ≤0.3％，击穿电压VBAC≥5kV/mm，适合用于电子式电压互感器用电容器。
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