公开(公告)号：CN100559567C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200580033312.1

申请日：2005-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 北川淳一 ,  尾崎成则 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/513

Abstract: 提供利用栅绝缘膜中良好的氮浓度分布，得到优异电气特性(写入、消去特性)的半导体存储装置及其制造方法。本发明中第一实施方式的半导体装置的制造方法，是通过经由半导体基板与栅电极之间形成的绝缘膜进行电荷交接而动作的半导体存储装置的制造方法，包括将预先使用等离子体激励用气体稀释的氧氮化种导入等离子体处理装置内，由等离子体生成氧氮化种，在所述半导体基板上形成作为栅绝缘膜的氧氮化膜的工序，所述氧氮化种含有相对于导入所述等离子体处理装置内的全部气体量为0.00001～0.01%的NO气体。

公开(公告)号：CN101521151A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910118365.3

申请日：2009-02-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H05H1/00

Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，能够使气体的供给位置优化。微波等离子体处理装置(10)具备：在内部激励等离子体的容器(100)；向容器内供给用于激励等离子体的微波的微波源(900)；传播从微波源(900)供给的微波的同轴管(600，315等)；以面向容器(100)的内侧的状态与同轴管(315)邻接，使各同轴管传播的微波透过并放出到容器(100)内部的多个电介质板(305)；向容器内供给用于激励等离子体的气体的气体供给源(800)；气体流路(810)，其贯通多个电介质板(305)每一个的内部，从作为其贯通口的气孔(A)向容器内导入气体。贯通金属电极(310)的气孔(B)和(A)等间距地配置。

公开(公告)号：CN101521147A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910007679.6

申请日：2009-02-20

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  后藤哲也 ,  白井泰雪 ,  北野真史 ,  绵贯耕平 ,  松冈孝明 ,  村川惠美

IPC: H01L21/00 ,  H05H1/24 ,  H01L21/31 ,  C04B35/01

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置、电介质窗部件及其制造方法。已知道存在一种微波等离子体处理装置，其在使用Kr作为等离子体生成用气体时也仅能得到与使用Ar等其他稀有气体时相同的特性的氧化膜、氮化膜。在本发明中，构成微波等离子体处理装置的电介质窗部件不是只用陶瓷部件来构成的，在该陶瓷部件的处理空间侧的表面上，涂布了通过热处理可以得到化学计量上的SiO2的组成的平坦化涂布膜后，通过热处理形成具有极其平坦且致密的表面的平坦化涂布绝缘膜。在该平坦化涂布绝缘膜上形成耐腐蚀性膜。

公开(公告)号：CN101518163A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200680055882.5

申请日：2006-09-21

Applicant: 株式会社大昌电子 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 佐藤昭博 ,  佐佐木正弘 ,  大见忠弘 ,  森本明大

IPC: H05K1/02

CPC classification number: H05K3/4691 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F4/00 ,  C23F4/04 ,  H05K3/064 ,  H05K3/243 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/09736 ,  H05K2203/0369 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T156/10

Abstract: 提供了刚挠性印刷电路板及该印刷电路板的制造方法，该刚挠性印刷电路板可以改善抗柔性部分的折叠的耐久性同时保持柔性部分的柔性并维持刚性部分中的导电性。在该刚挠性印刷电路板中，导体层形成在基膜的至少一个表面上，包含基膜的一个区域是刚性区而包含基膜的剩余的区域是柔性区。形成在柔性区中的基膜上的导体层的平均厚度(tf)和形成在刚性区中的基膜上的导体层的平均厚度(tR)满足tf＜tR的关系。

公开(公告)号：CN101512774A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780031903.4

申请日：2007-06-21

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  程炜涛

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，通过对支承SOI层的硅基板的杂质浓度进行调整，并控制在与SOI层相接的硅基板表面形成的嵌入绝缘层的厚度，可得到能够调整阈值的晶体管。

公开(公告)号：CN101491164A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027037.1

申请日：2007-07-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  后藤哲也 ,  大见忠弘 ,  石桥清隆

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供可以更为彻底地防止等离子体倒流的产生、能够实现效率良好的等离子体激发的喷淋板。喷淋板(105)配置于等离子体处理装置的处理室(102)中，具备为了在处理室(102)中产生等离子体而放出等离子体激发用气体的多个气体放出孔(113a)，将气体放出孔的长度与孔径的纵横比(长度/孔径)设定为20以上。气体放出孔(113a)形成于与喷淋板(106)分立的陶瓷构件(113)上，将该陶瓷构件(113)安装于开设在喷淋板(106)上的纵孔(105)中。

公开(公告)号：CN101467493A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021797.1

申请日：2007-06-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 八木靖司 ,  渡边伸吾 ,  野沢俊久 ,  河村忠一 ,  吉野公彦 ,  大见忠弘

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/001 ,  C23C14/12 ,  C23C14/28 ,  H01L51/56

Abstract: 公开了一种发光元件的制造装置，其特征在于：具有进行衬底处理的多个处理室，该衬底处理用于在被处理衬底上形成具有包含有机层的多个层的发光元件；多个处理室分别构成为：以被处理衬底的形成发光元件的元件形成面朝向与重力方向相反的方向的方式，进行被处理衬底的衬底处理。

公开(公告)号：CN101385395A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200780005427.9

申请日：2007-02-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 野泽俊久 ,  茂山和基 ,  大见忠弘 ,  河村忠一 ,  吉野公彦

IPC: H05B33/10 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

CPC classification number: H01L51/0017 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供发光元件、发光元件的制造方法和基板处理装置，该基板处理装置在被处理基板上形成在第一电极和第二电极之间形成有包括发光层的有机层的发光元件，其特征在于，包括：在形成在上述被处理基板上的上述第一电极上形成上述有机层的有机层形成装置；在上述有机层上形成上述第二电极的电极形成装置；和蚀刻上述有机层的蚀刻装置。

公开(公告)号：CN101346820A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200680048843.2

申请日：2006-12-20

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  渡边一史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/045 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: 为了使CMOS电路中的上升及下降工作速度相同，因其载流子迁移率不同，就需要使p型MOS晶体管和n型MOS晶体管的面积不同。因其面积的不均衡而妨碍了提高半导体器件的集成度。采取在(100)面及(110)面双方具备沟道区的三维结构来构成NMOS晶体管和PMOS晶体管，以使两晶体管的沟道区及栅绝缘膜的面积彼此相等。由此，在使栅绝缘膜等的面积彼此相等的同时，能够使栅电容也相等。并且与现有技术相比能够将基板上的集成度提高到2倍。

公开(公告)号：CN101322240A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200680045389.5

申请日：2006-11-30

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L29/045 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，为了使构成CMOS电路的p型MOS晶体管和n型MOS晶体管的动作速度实质上相同，对n型MOS晶体管采取在(100)面和(110)面双方都具有沟道区域的三维构造，对p型MOS晶体管采取仅在(110)面上具有沟道区域的平面构造。进而构成为使两个晶体管的沟道区域和栅极绝缘膜面积相等。由此，可以使栅极绝缘膜等的面积相等，并且，也可以使栅极容量相等。