一种基于阳极氧化法的超疏水数字微流控芯片、制造方法和液滴控制系统

    公开(公告)号:CN113996358B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202111288798.0

    申请日:2021-11-02

    Abstract: 一种基于阳极氧化法的超疏水数字微流控芯片、制造方法和液滴控制系统,涉及生化检测微流控芯片领域。解决了现有疏水数字微流控芯片制备方式复杂、造价高,且需要较高的驱动电压才能控制液滴移动的问题,本发明的超疏水数字微流控芯片的第一基板的顶面覆有多个电极片,且多个电极片呈阵列布满第一基板顶面,第一基板的板体开有多个通孔,所述多个通孔与所述电极片一一对应;第一基板的底面布设有多条导线,每条导线连接一个通孔;每条导线与一个电极片通过过孔工艺电气连接;每个电极片的外侧覆盖有第一介电层,且第一介电层和第一基板上表面均覆盖有疏水层,第一介电层为电极片通过在碱性溶液中阳极氧化制。本发明适用于生化检测微流控。

    一种用于化学检测传感器的微弱电流检测电路

    公开(公告)号:CN114778923A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210570147.9

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 一种用于化学检测传感器的微弱电流检测电路,它涉及一种微弱电流检测电路。本发明为了解决现有微弱电流检测电路对噪声优化能力较差的问题。本发明包括跨阻放大器、调制器和滤波器;所述跨阻放大器的输入端与化学检测传感器的输出端连接,跨阻放大器的输出端与调制器的输入端连接,跨阻放大器的供电端与外部电源VDD连接,调制器的输出端与滤波器的输入端连接。本发明属于微弱电流检测领域。

    一种MEMS电容式加速度计特征参数测量系统及测量方法

    公开(公告)号:CN109738670B

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN201811567085.6

    申请日:2018-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS电容式加速度计特征参数测量系统及测量方法,所述测量系统包括平衡式电容电桥与检测接口电路两部分,平衡式电容电桥由第一匹配电容Cref1、第二匹配电容Cref2和MEMS电容式加速度计构成;检测接口电路由第一电荷放大器、第二电荷放大器、仪表放大器、频谱分析仪、第一反馈电容Cf1、第二反馈电容Cf2构成。本发明的测量系统可以实现对MEMS电容式加速度计中敏感电容的驱动和检测以及对不同特征参数的分离提取。本发明的电学测量方法以电学测量系统为基础,配合精确的传感器姿态控制,可以准确的实现MEMS电容式加速度计的特征参数的测量,进而为后续接口电路的设计工作提供参考和指导。

    一种用于微传感器的负反馈自平衡驱动电路

    公开(公告)号:CN102420603B

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201110354429.7

    申请日:2011-10-26

    Abstract: 本发明提供一种用于微传感器的负反馈自平衡驱动电路。它是由驱动电路正电源单元、驱动电路负电源单元、加法器、反相放大器、分压电阻、缓冲器、积分器和开关网络组成的,驱动电路正电源单元分别连接驱动电路负电源单元和加法器,驱动电路负电源单元连接分压电阻和开关网络,加法器连接反相放大器和积分器,反相放大器连接分压电阻和开关网络。本发明不受电源漂移以及温度变化的影响,适合于高精度微传感器的驱动电路。本发明提供一种CMOS全差分驱动电路,可以使提供给驱动电路的正电源电压跟随负电源电压的变化,实现类隔离变压器的驱动,从而抑制电源电压的漂移以及温度变化对传感器性能的影响。

    中频双路径前馈型带通调制器

    公开(公告)号:CN102904590B

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201210375535.8

    申请日:2012-10-08

    Abstract: 中频双路径前馈型带通调制器,属于中频数字通信领域,本发明为解决现有中频前馈型sigma-delta带通调制器时钟频率高、功耗大,难以满足系统低功耗要求的问题。本发明调制器由两级双路径谐振器单元、求和电路单元、比较器单元、选择器单元、正、反一位DAC反馈单元组成,系统输入信号和反馈信号的差值经过两级谐振器滤波,与系统输入信号、第一级双路径谐振器单元输出信号求和,求和电路输出经过比较器进行量化,量化的结果反馈到正、反一位DAC反馈单元,由正、反一位DAC反馈单元和时钟信号决定反馈给第一级双路径谐振器单元的反馈电压,实现输出信号位流跟踪系统输入信号变化。适合于中频数字接收机中的高性能带通调制器电路。

    带加热单元的微型碳纳米管湿度传感器芯片

    公开(公告)号:CN103236429A

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:CN201310177041.3

    申请日:2013-05-14

    Abstract: 带加热单元的微型碳纳米管湿度传感器芯片,涉及的是通过兼容于标准CMOSIC工艺制作微型碳纳米管湿度传感器的技术领域。解决了目前集成化湿度传感器普遍存在着在高湿环境下湿度检测困难及失效问题。它由硅衬底层、二氧化硅外延层、叉指电极结构的金属一层、多个焊盘窗口、多个多晶硅电阻、多个多晶硅电阻连线的金属二层、电源输入接口、钝化层、碳纳米管湿度敏感薄膜构成;碳纳米管湿度敏感薄膜的覆盖工艺为不损害芯片的溅射工艺、丝网印刷工艺或者悬涂工艺;上述所有层结构及多个多晶硅电阻结构都是用CADENCE版图绘制软件,通过标准CMOSIC工艺制作;本发明能在高湿环境下对室温条件下的湿度进行长期稳定、高速准确的检测。

    光电效应测量系统
    77.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119414200A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202510021122.7

    申请日:2025-01-07

    Abstract: 一种光电效应测量系统,属于半导体技术领域。本发明针对目前光电效应测量系统采用滤镜轮过滤不同波长的光,测试范围较窄、测试灵活性差的问题。包括全光谱光产生模块,用于采用全光谱LED灯珠发射全光谱光,经准直透镜形成平行光;波长选择模块,采用三棱镜对入射的所述平行光进行折射,获得单一波长光束;所述单一波长光束入射到半导体样品上;所述三棱镜通过角度伺服机构进行旋转角度目标值控制,改变出射光束波长;微弱电压电流检测模块,用于对不同单一波长光束入射时半导体样品的短路电流和开路电压进行检测,并转换为数字信号输出。本发明用于半导体PN结光电效应测量。

    工作在高电源电压下输入轨到轨的斩波运算放大器

    公开(公告)号:CN118399898A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410483857.7

    申请日:2024-04-22

    Abstract: 工作在高电源电压下输入轨到轨的斩波运算放大器,解决了在高的电源电压的情况下,常规输入轨到轨电路以及斩波开关被击穿的问题,属于电子电路技术领域。本发明包括多路径运算放大器通路、CMOS电容耦合自举型斩波开关和纹波抑制回路;在多路径运算放大器通路中,通过使用多支路型输入轨到轨电路结构作为运放第一级,从而实现运放在高电源电压下的输入轨到轨功能;CMOS电容耦合自举型斩波开关作为多路径运算放大器通路中低频高增益通路的输入级,实现了宽输入电压时候的斩波功能,从而降低了运放失调电压以及低频噪声;运放通过使用纹波抑制回路,有效地减小了电路的输出纹波幅度。

    集成式电压频率转换器
    79.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118316445A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410505708.6

    申请日:2024-04-25

    Abstract: 集成式电压频率转换器,解决了电压频率转换器因为使用片外低温漂电阻导致集成度低及电路功耗高的问题,属于电子电路技术领域。本发明包括松弛型电流转频率模块N1、电压转电流模块和温度负反馈模块T1;电压转电流模块包括运放A1、电阻R1、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3和MOS管M8,本发明实现了低温漂、高线性度的片上电阻提高了电压频率转换器的集成度。电阻由线性区的MOS管以及片上高温漂电阻等效而来,通过负反馈使用线性区MOS管的阻值补偿了片上电阻的温漂阻值。通过MOS管漏极电压跟随,也解决了线性区MOS管等效阻值的非线性问题。

    全集成的电荷放大器
    80.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118282329A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410483855.8

    申请日:2024-04-22

    Abstract: 本发明提供一种全集成的电荷放大器,解决了应用在惯性导航装置中电荷放大器的集成度问题,属于电子电路技术领域。本发明包括电荷放大器主体部分、全集成的等效大电阻结构和两个反馈电容,能够将近G欧姆大小的电阻进行集成,同时实现较低的噪声。在该电荷放大器中,通过使用工作在亚阈值区的MOS管来等效近G欧姆大小的电阻;通过温度反馈电路来优化等效电阻的温度特性,避免了不同温度时,等效电阻的阻值变化过大而导致电路非正常工作;通过使用BiCMOS结构,相比于常规CMOS电路结构,降低了电荷放大器的噪声。

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