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公开(公告)号：CN118282329B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202410483855.8
申请日：2024-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种全集成的电荷放大器，解决了应用在惯性导航装置中电荷放大器的集成度问题，属于电子电路技术领域。本发明包括电荷放大器主体部分、全集成的等效大电阻结构和两个反馈电容，能够将近G欧姆大小的电阻进行集成，同时实现较低的噪声。在该电荷放大器中，通过使用工作在亚阈值区的MOS管来等效近G欧姆大小的电阻；通过温度反馈电路来优化等效电阻的温度特性，避免了不同温度时，等效电阻的阻值变化过大而导致电路非正常工作；通过使用BiCMOS结构，相比于常规CMOS电路结构，降低了电荷放大器的噪声。
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公开(公告)号：CN118300541A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410505711.8
申请日：2024-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 电压反馈型斩波仪表放大器，解决了如何实现电压反馈型斩波仪表放大器的大摆幅差分输入的问题，属于电子电路技术领域。本发明包括低频高增益通路、高频低增益通路、输入共模电压跟随通路和共模反馈回路；低频高增益通路用于降低失调电压以及低频噪声，高频低增益通路用于降低失调电压斩波带来的纹波以及扩展运放带宽，输入共模电压跟随通路用于检测输入共模电压，共模反馈回路将输入共模电压作为参考电压，使输入共模电压与输出共模电压相等，且使正输入端Vin+、负输入端Vin‑、正反馈端Fb+和负反馈端Fb‑的静态电压相等，使电压负反馈有效进行，从而保证了输入信号的大摆幅。
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公开(公告)号：CN118282394A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410483854.3
申请日：2024-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种工作在低参考频率下的全集成锁相环电路，属于集成电路技术领域。解决了现有锁相环电路在低参考频率下时集成性差，且存在参考杂散和相位噪声大的问题。本发明所述二倍频电路的信号输入端输入参考时钟信号，对参考时钟信号进行二倍频后输出至鉴频鉴相器和两相不交叠时钟模块；鉴频鉴相器计算分频器输出的反馈时钟信号和二倍频参考时钟信号的相位差，两相不交叠时钟模块产生两个相互不交叠的时钟信号，有源环路滤波器利用两个相互不交叠的时钟信号对内部的调零型运算放大器OA的失调电压和低频噪声消除；并对相位差信号进行滤波，获得控制电压信号，压控振荡器利用控制电压信号进行压频振荡，输出高频时钟信号。本发明适用于生成时钟信号。
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公开(公告)号：CN118243102A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410340615.2
申请日：2024-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及目标位置估计领域，一种基于有限间断信息的目标位置估计方法，包括，步骤S1，对导弹和目标进行状态建模；步骤S2，在笛卡尔系及改进的球坐标系下对弹目系统的相对运动模型和测量模型进行了构建；步骤S3，基于EKF和CKF算法分别对动态模型和量测模型进行了滤波器设计；步骤S4，构建基于高斯过程回归算法的量测模型，基于已经目标量测信息进行目标位置估计，本发明基于弹‑目相对运动学与空间视距模型，采用滤波估计算法，从包含系统误差和随机误差的制导系统观测量中，获得较准确的弹目相对位置信息，为控制规律提供信息进行导引。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104788675B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510194023.5
申请日：2015-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G73/10
CPC classification number: Y02P20/582
Abstract: 一种光学透明的浅色耐高温形状记忆聚合物及其制备方法，它涉及一种光学透明的浅色聚合物及其制备方法。本发明的目的是要解决现有光学透明形状记忆聚合物相转变温度较低和现有透明聚酰亚胺厚度较低难以产生形状记忆效应，不能满足高温环境中光电子器件使用要求的问题。一种光学透明的浅色耐高温形状记忆聚合物由1,3‑双(3‑氨基苯氧基)苯和双酚A型二醚二酐作为反应单体制备而成；结构式为：制备方法：一、溶解1,3‑双(3‑氨基苯氧基)苯；二、制备溶胶凝胶状聚酰胺酸；三、去除残留气泡；四、热酰亚胺化；五、脱膜，得到光学透明的浅色耐高温形状记忆聚合物。本发明可获得一种光学透明的浅色耐高温形状记忆聚合物。
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公开(公告)号：CN118243102B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202410340615.2
申请日：2024-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及目标位置估计领域，一种基于有限间断信息的目标位置估计方法，包括，步骤S1，对导弹和目标进行状态建模；步骤S2，在笛卡尔系及改进的球坐标系下对弹目系统的相对运动模型和测量模型进行了构建；步骤S3，基于EKF和CKF算法分别对动态模型和量测模型进行了滤波器设计；步骤S4，构建基于高斯过程回归算法的量测模型，基于已经目标量测信息进行目标位置估计，本发明基于弹‑目相对运动学与空间视距模型，采用滤波估计算法，从包含系统误差和随机误差的制导系统观测量中，获得较准确的弹目相对位置信息，为控制规律提供信息进行导引。
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公开(公告)号：CN119395392A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510007448.4
申请日：2025-01-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 一种半导体动态电容测试系统，属于半导体器件特性测量技术领域。本发明针对现有半导体器件动态电容测试平台线性度差的问题。包括：通过控制器产生温度控制信号目标值和检测控制使能电压信号；通过温度控制模块使检测平台达到温度控制信号目标值；通过集成化检测前级接口电路采用集成电路芯片根据检测控制使能电压信号产生参考直流电压信号和目标正弦电压信号并加载到待测电容两端；所述待测电容设置在检测平台上；同时通过集成化检测前级接口电路采集待测电容两端的电压波形，并对电压波形进行处理得到电容测量值。本发明用于半导体动态电容测试。
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公开(公告)号：CN118740083A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410777974.4
申请日：2024-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 宽温区的低噪声电荷放大器，解决了电荷检测电路受噪声及温度影响的问题，属于电子电路技术领域。本发明通过采用全差分设计以及对电荷放大器中第一级电路的优化，保证了电荷检测电路的低噪声性能；通过采用负反馈方法，将ESD保护二极管的漏电流降低到pA量级，从而实现了电荷检测电路的宽泛的耐温范围。
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