光电效应测量系统
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN119414200B

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510021122.7

    申请日:2025-01-07

    Abstract: 一种光电效应测量系统,属于半导体技术领域。本发明针对目前光电效应测量系统采用滤镜轮过滤不同波长的光,测试范围较窄、测试灵活性差的问题。包括全光谱光产生模块,用于采用全光谱LED灯珠发射全光谱光,经准直透镜形成平行光;波长选择模块,采用三棱镜对入射的所述平行光进行折射,获得单一波长光束;所述单一波长光束入射到半导体样品上;所述三棱镜通过角度伺服机构进行旋转角度目标值控制,改变出射光束波长;微弱电压电流检测模块,用于对不同单一波长光束入射时半导体样品的短路电流和开路电压进行检测,并转换为数字信号输出。本发明用于半导体PN结光电效应测量。

    半导体动态电容测试系统
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119395392A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202510007448.4

    申请日:2025-01-03

    Abstract: 一种半导体动态电容测试系统,属于半导体器件特性测量技术领域。本发明针对现有半导体器件动态电容测试平台线性度差的问题。包括:通过控制器产生温度控制信号目标值和检测控制使能电压信号;通过温度控制模块使检测平台达到温度控制信号目标值;通过集成化检测前级接口电路采用集成电路芯片根据检测控制使能电压信号产生参考直流电压信号和目标正弦电压信号并加载到待测电容两端;所述待测电容设置在检测平台上;同时通过集成化检测前级接口电路采集待测电容两端的电压波形,并对电压波形进行处理得到电容测量值。本发明用于半导体动态电容测试。

    光电效应测量系统
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119414200A

    公开(公告)日:2025-02-11

    申请号:CN202510021122.7

    申请日:2025-01-07

    Abstract: 一种光电效应测量系统,属于半导体技术领域。本发明针对目前光电效应测量系统采用滤镜轮过滤不同波长的光,测试范围较窄、测试灵活性差的问题。包括全光谱光产生模块,用于采用全光谱LED灯珠发射全光谱光,经准直透镜形成平行光;波长选择模块,采用三棱镜对入射的所述平行光进行折射,获得单一波长光束;所述单一波长光束入射到半导体样品上;所述三棱镜通过角度伺服机构进行旋转角度目标值控制,改变出射光束波长;微弱电压电流检测模块,用于对不同单一波长光束入射时半导体样品的短路电流和开路电压进行检测,并转换为数字信号输出。本发明用于半导体PN结光电效应测量。

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