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公开(公告)号：CN118465515A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410919386.X
申请日：2024-07-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体晶片内部电场的检测方法，包括以下步骤：在待测半导体晶片下方设置底电极；在待测半导体晶片表面上采用外延生长技术和电子束蒸发技术生成半透明电极；采用电子束蒸发技术在半透明电极的中心生长金电极，金电极的尺寸小于半透明电极；进行不同恒定偏压下的光电流测试，获得不同偏压下的光响应谱；光电流测试的光线垂直金电极进行照射；通过法兰兹‑卡尔迪西效应FK和相应半导体场吸收模型对待测半导体晶片在光电流测试中的耗尽区、扩散区和无场吸收区进行分析得到光响应公式，并与光响应谱进行拟合，得到不同偏压下待测半导体晶片的内部电场。对器件无损伤且简单易行，对实际器件内部电场进行精确检测。
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公开(公告)号：CN114561632A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210197268.3
申请日：2022-03-02
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/27 , C23C16/455 , C23C16/52 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B29/04
Abstract: 一种可实现有效掺杂的MPCVD设备，包括反应室和气体输入结构，所述气体输入结构包括两路反应气体管道，第一路管道连接的分配器将气体均匀输运道到反应室中，气体出口位于反应室顶部附近，将反应气体均匀地输运到反应室中，该气体分配器位于腔室的顶部区域；第一路管道用于传输第一反应物，第二路管道通过一圆环气体分配器将掺杂反应气体均匀地输入到衬底表面，所述第二管道输气环水平高度和衬底支托保持一致，所述输气环可放置于中心位置，和支托呈内同心结构，所述输气环也可放置于支托周围，和支托呈现外同心结构。本发明采取两个管道分别传输反应气体的方式，可有效实现MPCVD的掺杂效果。
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公开(公告)号：CN114166803A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111373155.6
申请日：2021-11-19
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明公开了金刚石氮‑空位色心阵列传感器，涉及一种金刚石半导体传感器，包括传感器、金刚石衬底、金刚石外延层、NV色心层、纳米柱阵列结构和纳米柱阵列天线，所述传感器底端具有金刚石衬底，在所述金刚石衬底正面上有一层金刚石外延层，所述金刚石外延层是n型半导体，所述金刚石外延层表面存在采用原位MPCVD生长方式得到NV色心层，所述传感器NV色心层中NV色心的取向得到了择优取向，其中NV色心层具有10nm和50nm之间的厚度，所述金刚石外延层即传感接触层结构为纳米柱阵列结构，述传感接触层纳米柱包括金刚石纳米柱、介质层和金属层，所述介质层淀积在金刚石纳米柱表面，所述金属层淀积在介质层表面。
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公开(公告)号：CN110054244A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910192409.0
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
IPC: C02F1/14
Abstract: 本发明公开了基于具有高吸光性能木头太阳能水蒸气产生系统，包括温室、冷凝水导流槽、冷凝水收集瓶、木制的水池、木制盖板、金属绳索、曲面反射镜；木制盖板漂浮于木制的水池表面，该水池悬挂于搭建的温室内；在温室底部安放一块以上反光投向木制的水池的曲面反射镜或在温室底部可安放一块覆盖温室底面的大面积曲面反射镜；设有起码两个沿温室两壁倾斜放置的冷凝水导流槽和两个冷凝水收集瓶；本发明实现了太阳光的高效利用，可应用于大面积太阳能水蒸气产生。
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公开(公告)号：CN109056066A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811030854.9
申请日：2018-09-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种超声辅助雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的系统。一种超声辅助雾相输运化学气相沉积方法，采用水溶性的镓盐超声雾化源作为原料，在反应腔室中进行；利用反应腔室内有气流的收束装置部位作为生长区，反应腔室整体为卧式结构；镓源的水溶液由超声雾化器雾化之后由隋性气体(氮气)作为载气输运，与稀释气体混合后进入反应腔室，反应腔室内部具有气流收束结构，反应腔室后端输出位置时用水吸收反应产物和未反应的原料，输出位置并设有防倒吸结构；反应后的尾气由尾气处理装置处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105576054A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610169554.3
申请日：2016-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/04 , H01L31/0236 , B82Y30/00
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/04 , B82Y30/00 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开了基于蝶形等离激元增强天线的纳米线中间带太阳能电池结构，二氧化硅或石英衬底上为平躺的氧掺杂碲化锌/氧化锌核壳结构纳米线，氧化锌在外层，氧掺杂碲化锌/氧化锌核壳结构的纳米线长度为1-10um，核壳结构纳米线的直径为200-400nm，氧化锌的厚度为5-40nm；核壳结构纳米线的两侧设有若干对金属铝蝶形天线，每一对金属铝蝶形天线为尖端对尖端的三棱锥结构，每一对蝶形天线中两个尖端对尖端的三棱锥相对于纳米线是可以是中心对称的，也可以是非中心对称的。主要解决中间带太阳能电池吸收层中间带态密度小而吸收效率偏低的问题，实现太阳光全光谱吸收增强而提高器件整体光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102465335B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201010549563.8
申请日：2010-11-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种用于半导体材料热壁外延生长系统的加热装置，包括射频加热器和石墨套筒，石墨套筒设置在射频加热器的感应加热线圈中，石墨套筒的内壁和外壁包覆有导热非易燃绝缘层，并置于惰性气体环境中。本发明采用射频加热石墨套筒的方式，可以快速升降温，具有节能，使用寿命长，无需维修等优点。由于感应线圈可以做大直径，因而可以加热大尺寸的石墨套筒来实现大面积反应腔体的快速加热。
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公开(公告)号：CN102828250A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210317228.4
申请日：2012-08-31
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B25/005 , C30B29/406 , C30B29/60
Abstract: 一种制备GaN纳米线的方法，蓝宝石衬底的清洗后，先蒸镀金属Ni薄膜；Ni薄膜厚度5-50nm；将覆有镍薄膜的蓝宝石衬底放入HVPE生长系统中，开始低温生长GaN纳米线；生长温度：500–850℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；Ga源采用常规的高纯金属镓和高纯HCl反应生成GaCl，HCl流量：1-20sccm，HCl载气流量10-200sccm；以高纯氨气作为氮源，NH3流量：50–500sccm；生长时间1-10分钟。生长出GaN纳米线。
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公开(公告)号：CN100564617C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200710190079.9
申请日：2007-11-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 原位腐蚀降低HVPE GaN薄膜位错密度的方法，在氢化物气相外延生长系统中，先在衬底上生长GaN薄膜，再采用HCl腐蚀的方法将GaN厚膜中薄膜表面进行腐蚀，腐蚀的步骤是：停止GaN薄膜生长，将生长温度降低至700-950℃，通入HCl气体，HCl流量从5sccm到50sccm对HVPE GaN进行原位腐蚀，时间从3到60分钟；然后再将生长温度提升至最初1000-1100℃，继续进行GaN的HVPE生长；重复上述腐蚀和继续生长过程，直至生长到合适厚度的GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN100418240C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200510094880.4
申请日：2005-10-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 在β-Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β-Ga2O3衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在500-1050℃温度范围通入载气N3，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β-Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500-1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5-10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600-800℃温度和0.1-1小时退火时间进行退火激活。
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