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公开(公告)号：CN119376186A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411993179.5
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种在柔性薄膜材料上进行图案化沉积的方法，涉及柔性电子微纳加工技术领域；所述方法包括：将预设聚合物溶液涂抹在预设衬底上并进行固化，得到固化弹性层；将柔性薄膜材料粘附在固化弹性层上，得到复合结构层；在复合结构层上采用二次匀胶工艺涂抹二层光刻胶，得到待光刻基底，二层光刻胶包括高灵敏度光刻胶和低灵敏度光刻胶；按照预设光刻图案对待光刻基底进行光刻处理和材料沉积处理，在柔性薄膜材料上生成图案化沉积结构；利用显影液去除柔性薄膜材料上的光刻胶；将柔性薄膜材料从固化弹性层上剥离，得到有图案化沉积结构的柔性薄膜；能够解决剥离过程中薄膜容易破损或者形变的问题，减少薄膜的破损或形变，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN114538925B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202210082967.3
申请日：2022-01-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于金属功能半导体氧化物、敏感电阻材料与器件、电子陶瓷等领域，具体地涉及一种通过快速热处理工艺实现氧化物复合相与氧化钒晶粒共格烧结的技术方法。其特征在于，在氧化钒粉体中加入一定比例的与之晶体结构及晶格参数相近的氧化物复合相，并通过高能量尺度热处理工艺实现氧化钒母体晶粒与复合相氧化物间的共格烧结，从而大幅提高氧化钒电子相变材料力学强度、电子相变功能稳定性、抗疲劳与抗热冲击性。由本发明所制备的复合氧化钒电子相变材料进一步制备的突变式热敏电阻、压力敏感电阻等敏感元器件，具有更高的电子相变功能稳定性、力学性能、抗老化性、抗热冲击性，且在低温、高压、高辐射等极端环境下其使用寿命显著提高。
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公开(公告)号：CN110902725A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911095965.2
申请日：2019-11-11
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种亚稳相稀土铜铁基钙钛矿氧化物的助熔剂合成法，可实现该体系材料的有效合成与批量制备，属于特种功能陶瓷与氧化物材料领域。其主要构思在于利用碱金属卤化物与亚稳相稀土铜铁基钙钛矿氧化物在特定晶面取向上的二维晶体结构匹配性，利用碱金属卤化物作为助熔剂溶解材料合成所需前驱体，并进一步通过助熔剂凝固中析出的籽晶诱导处于热力学亚稳相状态的稀土铜铁基钙钛矿氧化物强关联半导体材料的非均匀形核从而实现其亚稳相材料的合成。所制备材料具有温致金属绝缘体相转变特性，在制备突变式热敏电阻、逻辑器件、传感器等方面具有可观的应用价值。
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公开(公告)号：CN109297608B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201811095654.1
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于掺杂钛酸锶基氧化物的微区热扰动双向锁定探测方法。该发明结合掺杂钛酸锶材料的高电阻温度系数(TCR)与高热电赛贝克系数两个特点，在对微区热扰动的探测中，同时测量以下两个物理量：1)由热扰动引起的掺杂钛酸锶热敏电阻阻值的改变；2)由热扰动引起微小温差下引起的赛贝克电压。通过利用该两个物理量改变量的综合表征与判断结合数学上的交叉验证从而实现对热扰动信号的精准锁定与探测。该方法可实现对微小热扰动信号的精准探测，在红外探测、微测辐射热、温度探测与传感方面具有可观的应用价值与宽广的应用前景。
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公开(公告)号：CN107240641A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710467699.6
申请日：2017-06-20
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种基于氢化稀土镍基氧化物的非线性电阻器件的制备与使用方法，属于电子强关联材料与电子器件领域。本发明通过材料中掺杂质子随电场强度增加而发生逐渐迁移来触发材料中镍元素从强关联电子局域态绝缘体相向弱电子非局域态金属或半导体相转变，从而实现材料电阻随外加电压的变化，即实现电流‑电压非线性变化关系。通过控制材料的稀土元素种类、晶体结构、晶粒晶界状态、应力状态等条件控制质子在氢化稀土镍基钙钛矿氧化物中的迁移活化能与软击穿特性，从而实现对材料非线性电阻动态变化过程的控制。本发明可应用于压敏电阻、滤波与整流、电信号传感、过压保护等方面。与氧化锌、氧化钛等传统压敏非线性电阻材料相比，本发明所制备器件更适用于还原性气氛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106784279A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611195895.4
申请日：2016-12-22
Applicant: 北京科技大学 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 一种制备高性能掺杂型钛酸锶钙钛矿氧化物热电薄膜的方法。本发明通过控制等离子体性质以及衬底条件，实现掺杂型钛酸锶薄膜材料在与之晶格体结构相同且参数失配的氧化物单晶衬底表面的外延共格生长，并产生界面应力场。通过薄膜材料中的应力场与材料晶格畸变程度调节薄膜材料晶体结构性质、电子结构性质、极化特性、以及薄膜与衬底间界面性质，从而实现对材料电导率与赛贝克系数等热电传输性能的大幅同时提高。所制备的掺杂型钛酸锶薄膜材料的室温热电功率因子在50‑10000μW/(cm*K2)。本方法所制备的高性能掺杂型钛酸锶薄膜材料可以进一步应用于热电器件的设计与制备，从而大幅提高所制备热电器件在实现温差发电、制冷、温度传感等功能时的热能电能转换效率。
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公开(公告)号：CN101774409B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010127881.5
申请日：2010-03-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种自适应海底复杂地形的复合轮式行走机构，它包括铰接式车架和安装在车架两侧具有独立驱动系统的复合轮系。所述复合轮系由前、后连接板以及安装于前、后连接板上具有独立驱动系统的前轮、中轮和后轮，所述前轮、中轮、后轮之间有链轮，所述链轮通过链条相互传递动力，所述前、后连接板又跟油缸和车架铰接。本发明采用主动控制的方式进行越障，可越过2倍于轮胎直径的台阶、凸台，可跨过小于轮系中前后轮距的壕沟，可适应高低起伏的路面，使轮胎与地面连续接触，最大程度地获得路面附着力，有效的提高在海底复杂路况下的动力性能以及工作效率。本发明的行走机构简单紧凑，运动高效灵活，成本低廉，适应范围广，稳定性好，可靠性高。
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公开(公告)号：CN101840993B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010168882.4
申请日：2010-05-05
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于磁电互控非易失存储技术领域，提供了一种新型的具有交换偏置效应的半金属/多铁材料多层膜结构，其具有大的交换偏置场，小的矫顽力，高的截止温度和优良的稳定性能。从底层往上第一层为多铁薄膜层，厚度约为20～200纳米；从底层往上第二层为半金属薄膜层，包括Co2FeAl、Co2FeSi、Co2MnSi、Co2CrAl、Co2(Cr1-xFex)Al[0＜x＜1]、Co2Fe(Al1-xSix)[0＜x＜1]、Co2(Fe1-xMnx)Si[0＜x＜1]等Co占据A位置的A2BC型full-Heusler合金材料，厚度约为2～20纳米；从底层往上第三层为金属钽保护层，厚度约为3～10纳米。
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公开(公告)号：CN102129863A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010608783.3
申请日：2010-12-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种通过电场方式调节磁电阻的自旋阀结构，其特征在于：以多铁性材料取代传统自旋阀中的反铁磁层，制备出多铁性反铁磁层\钉扎层\非磁层\自由层的自旋阀结构，通过反铁磁层来对整个自旋阀的磁电阻进行调控。本发明还公开了上述结构的制备工艺。本发明的优点在于：传统自旋阀的调节方式为通过外磁场改变自由层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，而我们的自旋阀则利用多铁性材料的磁电耦合效应，通过施加外电压改变电域方向进而改变其磁域方向，来影响钉扎层的磁域方向，实现对磁电阻两种状态的调控，即可被电场读写的磁性自旋阀。
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公开(公告)号：CN101620915B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910086166.9
申请日：2009-06-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种垂直磁各向异性薄膜，其易磁化轴方向垂直于薄膜平面，属于磁性材料领域。其特征在于：薄膜组分为Tbx(Co2FeZ)y，其中Z为Al、Si等元素，Co2FeZ为半金属Heusler合金组分，Tb和Fe原子的比例x∶y为0.2＜(x∶y)＜2。本发明的优点在于：该薄膜具有高垂直磁各向异性场，可以通过控制原子组分比调节矫顽力，并显著低于传统垂直磁各向异性膜的矫顽力，因此它可以作为铁磁层应用于垂直自旋阀或磁隧道结中，应用时能够克服小尺寸下的磁卷缩和涡旋磁畴结构，且矫顽力可调，能够满足超高灵敏度和存储密度的磁传感器或存储器的使用要求。
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