-
公开(公告)号：CN102867645B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210365968.5
申请日：2012-09-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种提高各向异性磁电阻坡莫合金薄膜热稳定性的方法，采用磁控溅射方法，溅射室本底真空度为1×10-5～9×10-5Pa，溅射前通入99.99%纯度氩气，溅射时氩气气压为0.4～2.7 Pa，平行于基片方向加有150～300 Oe的磁场，基片始终以8～30转/分钟的速率旋转，在清洗干净的玻璃或硅基片上依次沉积缓冲层Ta、CoFeB层、磁性层NiFe、CoFeB层、保护层Ta；其中CoFeB层厚度为1.0～20.0nm。本发明方法制备的薄膜材料能够使得薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、好的热稳定性等综合性能，以满足磁传感器的性能和产品需求。
-
公开(公告)号：CN102867645A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210365968.5
申请日：2012-09-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及一种提高各向异性磁电阻坡莫合金薄膜热稳定性的方法，采用磁控溅射方法，溅射室本底真空度为1×10-5～9×10-5Pa，溅射前通入99.99%纯度氩气，溅射时氩气气压为0.4～2.7Pa，平行于基片方向加有150～300Oe的磁场，基片始终以8～30转/分钟的速率旋转，在清洗干净的玻璃或硅基片上依次沉积缓冲层Ta、CoFeB层、、磁性层NiFe、CoFeB层、保护层Ta；其中CoFeB层厚度为1.0～20.0nm。本发明方法制备的薄膜材料能够使得薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、好的热稳定性等综合性能，以满足磁传感器的性能和产品需求。
-
公开(公告)号：CN102024904B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201010500518.3
申请日：2010-09-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明为一种高灵敏度金属霍尔传感器薄膜材料及制备方法，涉及磁性薄膜材料。发明设计的薄膜材料结构为：绝缘层/Pt1/[Co/Pt2]n/绝缘层。此结构材料具有很强的霍尔信号，通过优化各层厚度并将其加工成磁场传感器元件后具有很高的磁场灵敏度。该发明的主要优点是设计的材料制备工艺简单，磁场感应范围大，磁场灵敏度提高明显，优化的磁场灵敏度高于现今报道的最高的金属霍尔传感器的灵敏度；并且电阻率低，响应频率宽；同时克服了以往材料体系中霍尔信号低，各向异性不易调整的缺点。因此，该材料可以用于制作高灵敏度霍尔传感器。
-
公开(公告)号：CN101944365B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010276139.0
申请日：2010-09-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种改善交换偏置薄膜性能的制备方法，属于磁性薄膜领域。其特征利用非磁性粒子（纳米氧化物或者金属）稀释AFM材料，调节界面未补偿磁矩的数量和状态，减小AFM材料的晶粒尺寸，提高目前现有交换偏置体系的性能。采用磁控溅射方法制备出具有准确成分的薄膜材料。薄膜结构为：缓冲层/FM/AFM掺杂稀释材料/保护层，溅射前通入镀膜室99.99%纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa，稀释材料占AFM的重量百分比为0.1-10%。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时，仍能保证薄膜很薄时具有较高的磁性和热稳定性，以满足磁传感器的性能和产品需求。
-
公开(公告)号：CN101736334B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201010034187.9
申请日：2010-01-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种高性能光盘读取头用合金悬丝镀银的方法，属于金属材料领域，特别涉及一种电子元器件用金属功能材料，用于高性能的光学读取设备。通过表面除油、酸洗除氧化物、敏化、活化等预处理后，配制银盐溶液和还原溶液，通过化学反应在合金悬丝表面镀得银层。按该方法制得的镀银铜丝，可获得良好的导电性、可焊性及耐高温、抗氧化等优良特性，符合高性能光学读取头用悬丝的使用要求。本发明方法中没有毒性物质，而且不存在电镀工艺的环境污染问题，没有电镀工艺中电力线分布均匀与否的影响，镀层厚度均匀，结合力好，沉积效率高，适合于大规模的工业化生产。制备出的镀银铜丝满足高性能光学读取头力矩器用高品质悬丝的应用要求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101710525B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910243307.3
申请日：2009-12-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法，涉及磁性薄膜材料。本发明设计的薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/NiFe/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。该结构材料具有很高的磁场灵敏度，而且将其加工成磁传感元件同样也具有很高的磁场灵敏度。该方法主要优点是材料结构设计简单，磁场灵敏度提高明显，基本上能够与某些隧道磁电阻(TMR)薄膜材料和相应元件磁场灵敏度相当；同时克服了以往材料体系工艺中当NiFe层较薄时在一定温度下处理材料或器件带来的薄膜界面处固相反应所导致的“磁死层”，因此，该材料可以用于制作高灵敏磁电阻传感元器件。
-
公开(公告)号：CN101944365A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010276139.0
申请日：2010-09-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种改善交换偏置薄膜性能的制备方法，属于磁性薄膜领域。其特征利用非磁性粒子（纳米氧化物或者金属）稀释AFM材料，调节界面未补偿磁矩的数量和状态，减小AFM材料的晶粒尺寸，提高目前现有交换偏置体系的性能。采用磁控溅射方法制备出具有准确成分的薄膜材料。薄膜结构为：缓冲层/FM/AFM掺杂稀释材料/保护层，溅射前通入镀膜室99.99%纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa，稀释材料占AFM的重量百分比为0.1-10%。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时，仍能保证薄膜很薄时具有较高的磁性和热稳定性，以满足磁传感器的性能和产品需求。
-
公开(公告)号：CN101046394B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200710064729.5
申请日：2007-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 一种高精度磁编码器用磁鼓的制备方法，属于磁编码器技术领域。以铝合金为基体，以钴盐、还原剂、络合剂、缓冲剂按比例配成溶液，化学镀法制备Co-P或Co-Ni-P薄膜作为磁鼓的记录介质。薄膜中P含量为5～10％，为晶态，有磁性；膜厚为1～10μm。对用该法制得的磁鼓，可写入1024～2500对N、S磁极。本发明的优点在于：磁性薄膜磁性能优异，制备工艺稳定，实施性强，易于工业化批量生产；制得的磁鼓分辨率高，与各向异性磁电阻薄膜探头结合，可得到高精度的磁旋转编码器。
-
公开(公告)号：CN101736334A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN201010034187.9
申请日：2010-01-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种高性能光盘读取头用合金悬丝镀银的方法，属于金属材料领域，特别涉及一种电子元器件用金属功能材料，用于高性能的光学读取设备。通过表面除油、酸洗除氧化物、敏化、活化等预处理后，配制银盐溶液和还原溶液，通过化学反应在合金悬丝表面镀得银层。按该方法制得的镀银铜丝，可获得良好的导电性、可焊性及耐高温、抗氧化等优良特性，符合高性能光学读取头用悬丝的使用要求。本发明方法中没有毒性物质，而且不存在电镀工艺的环境污染问题，没有电镀工艺中电力线分布均匀与否的影响，镀层厚度均匀，结合力好，沉积效率高，适合于大规模的工业化生产。制备出的镀银铜丝满足高性能光学读取头力矩器用高品质悬丝的应用要求。
-
公开(公告)号：CN101345117A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810106197.1
申请日：2008-05-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种用于磁电子罗盘的磁电阻薄膜材料及其制备方法，属于磁性多层膜的制备技术领域。具体步骤为，在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上沉积(Ni0.81Fe0.19)0.64Cr0.36(50～200)/Al2O3(10～50)/Ni0.81Fe0.19(100～300)/Al2O3(10～50)/Ta(50～100)；然后在真空退火炉中进行真空磁场热处理，退火炉本底真空度为2×10－5～5×10－5Pa，退火温度200～300℃，退火时间为1～4小时，退火场500～1000Oe；再将薄膜加工成线宽为2～50微米的磁电阻传感元件；在元件两侧平行于条形元件沉积Ni0.81Fe0.19薄膜。本方法提供的磁电阻薄膜材料结构，使磁电子罗盘精度大幅度提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
88
records
(took 0.023 seconds)
