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公开(公告)号：CN110760926A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911155967.6
申请日：2019-11-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种制备高质量GaN单晶衬底的方法，本发明通过将金属镓与金属催化剂分离，使氮气优先在金属催化剂作用下解离，不但能提高熔体中氮的含量，提高源材料的利用率与GaN单晶的生长速率，同时，也有效抑制了熔体界面GaN多晶的产生，并通过微流通道阻止杂质的间入，从而得到高质量的GaN单晶材料，是一种实现高质量GaN单晶衬底量产的有效方法。
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公开(公告)号：CN110641221A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910933780.8
申请日：2019-09-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: B44F1/10
Abstract: 本发明涉及装饰配件技术领域，具体是涉及一种多彩变幻的外壳装饰片及其制备方法，本发明的外壳装饰片包括壳体本体，所述壳体本体为由若干片高硬度双折射的晶体材料片制成的壳体结构，所述壳体本体设有微结构图案，本发明采用高硬度双折射的晶体材料制成装饰片，双折射晶体材料经多光束的干涉形成炫目的多彩效果，并能随着入射光的变化而产生变化，富有色彩变幻，使用效果好；本发明的制备方法，工艺简单，制备容易，满足工业化生产需求。
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公开(公告)号：CN110616462A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910965282.1
申请日：2019-10-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种GaN单晶衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤一：把C/GaN复合衬底与固体的Ga-Na源材料一起置于高压反应釜的坩埚中，密封高压反应釜，通入高纯氮气，在室温条件下将高压反应釜加压至过渡压力；步骤二：对步骤一中加压至过渡压力的高压反应釜升温并继续加压，加压升温至生长条件，开始GaN单晶生长；步骤三：继续通入高纯氮气，GaN单晶生长达到目标厚度后，从高压反应釜中取出坩埚及晶体，即得GaN单晶衬底，本发明通过在Ga/Na熔体中插入C/GaN复合衬底，在提供GaN籽晶的同时又能提供碳元素，即有利于GaN薄膜的成核与生长，又能有效抑制GaN多晶的产生，从而提高GaN单晶的生长速率与晶体质量。
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公开(公告)号：CN110594702A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910880317.1
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: F21V9/08 , F21V9/32 , F21V9/40 , F21V13/14 , F21Y115/30
Abstract: 本发明涉及LD技术领域，具体涉及一种基于LD的双色温照明装置及其制备方法，包括外壳、LD光源和电源，LD光源与电源电性连接，还包括热沉、活动反光单元和双色荧光单元，热沉装设于壳体内侧底部，双色荧光单元装设于壳体内侧顶部，LD光源贴合热沉设置，活动反光单元设于LD光源与双色荧光单元之间，热沉、LD光源、活动反光单元和双色荧光单元的中心位于同一中心轴线，本发明使用LD光源，其具有体积小，光线平行度高，可以很好的减少光线损失，旋转反光单元可以改变激光方向，从而实现色温调整，使用效果好；本发明提供的制备方法，其工艺简单，容易制造，且制得的照明装置使用效果好。
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公开(公告)号：CN110416424A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910310324.8
申请日：2019-04-17
Applicant: 华南理工大学 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种量子点电致发光器件及其制备方法，包括依次层叠的透明衬底，阴极、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极，所述阴极为透明的氮化镓材料。针对现有的量子点材料电致发光器件存在的能级不匹配问题，采用了透明的氮化镓材料作为电致发光器件的阴极及电子注入层，结合氮化镓材料的高的电子迁移率及其与量子点材料的LUMO能级匹配的表面功函数，有利于降低量子点器件的启亮电压，提升其电致发光效率与工作寿命，推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105256372B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510838898.4
申请日：2015-11-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN单晶设备，包括反应釜，该反应釜外部设有加热器，反应釜上部装接有带阀门的气管，反应釜内设有坩埚，反应釜内放置有晶种模板，其特征在于，所述装置还包括感应线圈机构，该感应线圈机构包括设在反应釜内的内部线圈和设在反应釜外的外部线圈，该外部线圈与电源连接，反应釜内设有支撑杆，内部线圈活动套装在该支撑杆上，内部线圈的一端与晶种模板连接，外部线圈接通电源后带动内部线圈作受迫运动，使该内部线圈在支撑杆上移动。本发明通过感应线圈机构来控制晶种模版的实时生长位置，保证晶种模版一直处在最佳的生长溶液环境，由此促进GaN单晶生长。
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公开(公告)号：CN105780124B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610139215.0
申请日：2016-03-12
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助III‑V族晶体生长装置，包括：反应釜，反应釜内填充的反应物溶液，浸没在其中的晶种模板，激光发射、接收装置，激光入射、出射窗口。同时公开了一种激光辅助III‑V族晶体生长方法：将晶种模板设置于反应釜溶液中的特定位置‑即激光路径上，采用其频率与晶体生长装置中的晶体或生长原料的原子谐振频率或分子谐振频率相同的激光，辅助反应物溶液中晶体液相外延生长。本发明，能有效提高反应速率和晶体质量，且可控性好。
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公开(公告)号：CN104878451B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510331552.5
申请日：2015-06-16
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置，包括反应釜，该反应釜内填充有溶液，反应釜内底部设有晶种模板，所述反应釜内部设置有完全浸没在溶液中的溶液流向引导装置，反应釜底面和侧壁周围均设有加热器，溶液流向引导装置为中空管体，该中空管体底部固定在反应釜底面，该中空管体侧壁下部设有导通孔。本发明有效地克服了传统液相法生长氮化物单晶过程中的不利因素，如存在N空位、结晶不均匀、生长速度慢等问题，提高结晶材料质量。
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公开(公告)号：CN106498499A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610966496.7
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B7/14 , C30B30/02
Abstract: 本发明公开了一种电辅助的氮化物晶体生长装置和方法，包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚，坩埚内填充有反应物溶液，坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板，反应釜上设有氮气进口和排气口，还包括电装置，该电装置包括电压源、上电极和下电极，上电极和下电极分别通过导线与电压源连接，上电极延伸至坩埚内且位于反应物溶液的液面上方，下电极设在反应物溶液内。本发明提高了氮化镓单晶晶体质量及生长速率。
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公开(公告)号：CN105442046A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610017711.9
申请日：2016-01-11
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/12
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置和方法，包括反应釜，反应釜内填充反应物溶液，反应釜内设置有晶种支撑装置，该支撑装置完全浸没于反应物溶液中。其特征在于，所述反应釜内设有特殊结构体的晶种支撑装置，晶种模板设置于支撑装置内部，反应物溶液通过晶种支撑装置侧面多孔流入，通过引流装置上下底面多孔流出。本发明有效克服传统反应釜反应物溶液流动无序的问题，有效提高晶体质量。
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