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公开(公告)号：CN100344793C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200510117341.8
申请日：2005-11-02
Applicant: 北京大学
IPC: C23F1/24 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种对等离子体刻蚀进行定量监测的方法及监测结构，其是在被刻蚀的硅片上设置一包括可动电极和固定电极的监测结构，监测结构包括一可动电极和一固定电极，当需要对硅片的刻蚀进行控制时，通过多次刻蚀和测量所述监测结构两电极间的侧向吸合电压，就可以使监测结构的侧向吸合电压接近所需要的刻蚀量所对应的侧向吸合电压，达到可对被刻蚀硅片进行定量刻蚀的目的。本发明还同时提出了三种对过刻非常敏感的结构，即分别以悬臂梁、两端固支梁和折梁支承的刚性梁作为可动电极的电容器结构，还提出了宽梁窄间距或窄梁宽间距两个对过刻都十分敏感的优化方案，操作简单，完全满足等离子体过刻进行定量监测的需求。
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公开(公告)号：CN1752288A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510117341.8
申请日：2005-11-02
Applicant: 北京大学
IPC: C23F1/24 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种对等离子体刻蚀进行定量监测的方法及监测结构，其是在被刻蚀的硅片上设置一包括可动电极和固定电极的监测结构，监测结构包括一可动电极和一固定电极，当需要对硅片的刻蚀进行控制时，通过多次刻蚀和测量所述监测结构两电极间的侧向吸合电压，就可以使监测结构的侧向吸合电压接近所需要的刻蚀量所对应的侧向吸合电压，达到可对被刻蚀硅片进行定量刻蚀的目的。本发明还同时提出了三种对过刻非常敏感的结构，即分别以悬臂梁、两端固支梁和折梁支承的刚性梁作为可动电极的电容器结构，还提出了宽梁窄间距或窄梁宽间距两个对过刻都十分敏感的优化方案，操作简单，完全满足等离子体过刻进行定量监测的需求。
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公开(公告)号：CN1240994C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN03109491.0
申请日：2003-04-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微悬臂梁传感器及其制作方法，它包括一芯片，所述芯片上设置有至少一组传感单元，所述传感单元由组成惠斯通电桥的四个完全相同的力敏电阻和两个悬臂梁组成，其中两个所述力敏电阻位于所述芯片的衬底上，另外两个电阻分别位于所述两悬臂梁上，其中一个所述悬臂梁作为测量悬臂梁，另一个所述悬臂梁作为参考悬臂梁，在所述芯片上设置有一微槽，所述悬臂梁设置在所述微槽内，所述力敏电阻的材料采用单晶硅或多晶硅，在所述单晶硅或多晶硅正面掺杂有硼离子，在所述力敏电阻上、下表面设置有氮化硅或氧化硅保护层，共同组成所述悬臂梁，所述悬臂梁上具有一窗口，使所述悬臂梁呈U形设置在所述芯片上，所述测量悬臂梁表面设置有敏感层。本发明在环境监测，临床的诊断和治疗、新药开发、食品安全、工业加工控制、军事等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1233985C
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN03121169.0
申请日：2003-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种对准键合精度检测系统，其特征在于它包括：一显微镜，一螺旋游标测量目镜，一CCD摄像机，一图像显示器，一红外光源，所述螺旋游标测量目镜连接在所述显微镜的垂直目镜的接口上，所述CCD摄像机连接在所述螺旋游标测量目镜上，所述图像显示器通过视频电缆与所述CCD摄像机连接，所述红外光源设置在所述显微镜的承片台下方。本发明利用在近红外区硅片具有较好的红外通过能力，CCD摄像机对红外光具有较好的成像质量，以及螺旋游标测量目镜对键合误差具有较精确的测量效果等特点，将其与显微镜结合成一体，为微电子机械系统(MEMS)加工技术提供了一种有效的测量手段。它可以广泛用于各种硅MEMS器件加工工艺过程的质量监控中，还可以作为可见光黑白图像的摄像测量显微镜使用。
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公开(公告)号：CN1648634A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410039025.9
申请日：2004-01-21
Applicant: 北京大学
IPC: G01N13/10
Abstract: 本发明涉及一种微结构键合工艺结果的检测方法及用于该方法的检测结构。先设计包含微结构的硅结构版图；采用键合工艺方法制备微结构，硅结构和硅衬底或玻璃衬底通过键合面连接，硅结构至少有一端与键合面保有距离，并记录键合面积；用探针在没有键合的一端侧面推动硅结构，使之绕键合面发生形变直至单晶硅结构从键合面处断裂，并记录探针推点和键合面的距离和形变直至断裂过程的参数；根据所记录的上述数据，实现键合强度的检测。将复杂的MEMS器件检测技术，用简单的方法完成，解决了目前MEMS技术中微结构键合强度检测的难题，能满足多种MEMS器件加工时键合强度检测的需求。可应用于MEMS加工工艺技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1598060A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410009379.9
申请日：2004-07-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种氢氧化钾溶液腐蚀(100)硅上 晶向凸角的补偿方法，属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法提供一掩膜补偿图形，该图形由三个正方形组成，与需补偿凸角相对的掩膜图形直角相应，掩膜图形直角的两个边分别延伸，形成正方形(1)的边长a，正方形(1)和掩膜图形直角之间的夹角为另一个正方形(2)的内角，正方形(2)的边长为正方形(1)的边长的1/2，正方形(1)和掩膜图形直角之间的另一夹角为正方形(3)的内角，正方形(3)的边长也为正方形(1)的边长的1/2。由于掩膜补偿图形简单，没有斜线，且图形尺寸计算简便准确，可降低光刻版的制作难度，得到非常完整的凸角。
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公开(公告)号：CN1182371C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN03104785.8
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明的提供了一种压阻式微型气体流量计芯片及其制备方法。芯片周边为硅框架，中心为一带穿通图形的硅膜片，膜片中心的多孔区构成了一个网状结构拉住四块应变膜片，四块应变膜片用于设置两对垂直摆放的应变电阻。芯片制备方法是以常规压阻式压力计的芯片为基片，一次光刻制备出穿通膜片图形的掩膜，之后在进行高深宽比硅刻蚀来形成穿通的膜片结构。本发明还提供了采用所述芯片的微型气体流量计，是将芯片粘片在衬底打孔的TO管壳封装后作为流量计使用，或者采用专用的塑料封装方式。由于采用了MEMS技术，本发明的微型气体流量计具有体积小、结构简单、精度高、输出信号处理容易、适合于大批量低成本的制造等特点。
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公开(公告)号：CN1549302A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN03130642.X
申请日：2003-05-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了半导体微器件的一种键合方法及其键合强度的检测方法。键合方法包括以下步骤：1)设计并制备需要键合的硅结构片的键合面膜层结构；2)必要的界面处理；3)进行键合面间的键合对准；4)实施键合。本发明还提供了两种键合强度的检测方法，分别为压臂法和张开型测试法。本发明的方法具有工艺简便、可操作性强、精度高、键合温度低以及成本低等优势，可广泛应用于半导体微器件中的键合或封装中，具有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN1534273A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN03121169.0
申请日：2003-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种对准键合精度检测系统，其特征在于它包括：一显微镜，一螺旋游标测量目镜，一CCD摄像机，一图像显示器，一红外光源，所述螺旋游标测量目镜连接在所述显微镜的垂直目镜的接口上，所述CCD摄像机连接在所述螺旋游标测量目镜上，所述图像显示器通过视频电缆与所述CCD摄像机连接，所述红外光源设置在所述显微镜的承片台下方。本发明利用在近红外区硅片具有较好的红外通过能力，CCD摄像机对红外光具有较好的成像质量，以及螺旋游标测量目镜对键合误差具有较精确的测量效果等特点，将其与显微镜结合成一体，为微电子机械系统(MEMS)加工技术提供了一种有效的测量手段。它可以广泛用于各种硅MEMS器件加工工艺过程的质量监控中，还可以作为可见光黑白图像的摄像测量显微镜使用。
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公开(公告)号：CN1153261C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN01123427.X
申请日：2001-07-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/3213 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及一种微电子工艺中的金属剥离方法。本发明是用光刻胶做掩膜，在常规曝光以后，用氯苯浸泡几分钟，在显影之前做坚膜处理，再略加过显影，使光刻胶图形呈倒角悬垂。这时根据需要进行衬底腐蚀。在此基础上淀积金属膜，用丙酮浸泡去掉光刻胶和多余的金属，完成金属剥离。此项发明使腐蚀衬底和金属剥离完全实现自对准和实现等平面工艺。它将广泛地用于MEMS和集成电路工艺中，使器件工艺简化，降低成本，提高质量。
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