公开(公告)号：CN100344793C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200510117341.8

申请日：2005-11-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 贺学锋 ,  张大成 ,  方竞 ,  张钰 ,  李婷 ,  杨芳 ,  王纬

IPC: C23F1/24 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种对等离子体刻蚀进行定量监测的方法及监测结构，其是在被刻蚀的硅片上设置一包括可动电极和固定电极的监测结构，监测结构包括一可动电极和一固定电极，当需要对硅片的刻蚀进行控制时，通过多次刻蚀和测量所述监测结构两电极间的侧向吸合电压，就可以使监测结构的侧向吸合电压接近所需要的刻蚀量所对应的侧向吸合电压，达到可对被刻蚀硅片进行定量刻蚀的目的。本发明还同时提出了三种对过刻非常敏感的结构，即分别以悬臂梁、两端固支梁和折梁支承的刚性梁作为可动电极的电容器结构，还提出了宽梁窄间距或窄梁宽间距两个对过刻都十分敏感的优化方案，操作简单，完全满足等离子体过刻进行定量监测的需求。

公开(公告)号：CN1752288A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510117341.8

申请日：2005-11-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 贺学锋 ,  张大成 ,  方竞 ,  张钰 ,  李婷 ,  杨芳 ,  王纬

IPC: C23F1/24 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种对等离子体刻蚀进行定量监测的方法及监测结构，其是在被刻蚀的硅片上设置一包括可动电极和固定电极的监测结构，监测结构包括一可动电极和一固定电极，当需要对硅片的刻蚀进行控制时，通过多次刻蚀和测量所述监测结构两电极间的侧向吸合电压，就可以使监测结构的侧向吸合电压接近所需要的刻蚀量所对应的侧向吸合电压，达到可对被刻蚀硅片进行定量刻蚀的目的。本发明还同时提出了三种对过刻非常敏感的结构，即分别以悬臂梁、两端固支梁和折梁支承的刚性梁作为可动电极的电容器结构，还提出了宽梁窄间距或窄梁宽间距两个对过刻都十分敏感的优化方案，操作简单，完全满足等离子体过刻进行定量监测的需求。