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公开(公告)号：CN101626058A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910140218.6
申请日：2009-07-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种可以降低空穴从活性层的溢出而提高量子效率的III族氮化物类半导体发光元件以及用于该III族氮化物类半导体发光元件的外延晶圆。活性层(19)位于p型GaN类半导体区域(15)和空穴阻挡层(17)之间，因此空穴(H)从p型GaN类半导体区域(15)供给到活性层(19)。空穴阻挡层(17)的厚度(D17)小于GaN类半导体层(13)的厚度(D13)。空穴阻挡层(17)的带隙(G17)大于GaN类半导体区域(23)的带隙的最大值，因此空穴阻挡层(17)对要从活性层(19)溢出的空穴起到障壁(ΔG H )的作用。因此，空穴阻挡层(17)降低了从活性层(19)溢出并到达GaN类半导体区域(23)的空穴的量。
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公开(公告)号：CN101548400A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000776.6
申请日：2008-04-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 设置有源层以便发射具有在440到550nm范围内的发光波长的光。在预定轴(Ax)方向上布置第一导电类型氮化镓基半导体区域(13)、有源层(17)以及第二导电类型氮化镓基半导体区域(15)。有源层(17)包括由六方晶系InXGa1－XN(0.16≤X≤0.35，X：应变组分)构成的阱层，并且铟组分X由应变组分表示。六方晶系InXGa1－XN的a面在预定轴(Ax)方向被对准。阱层的厚度在大于2.5nm到10nm的范围内。当阱层的厚度被设定为2.5nm或以上时，可以形成具有440nm或以上的发光波长的发光器件。
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公开(公告)号：CN101350333A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810130234.2
申请日：2008-06-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种具有两英寸或更大的大直径的GaN衬底、具有在GaN衬底上形成的外延层的衬底、半导体器件以及制造该GaN衬底的方法，通过该GaN衬底，可以在工业上以低成本得到半导体器件，如具有改进性能如发光效率、工作寿命等的发光元件。GaN衬底具有主表面，并包括低缺陷晶体区和邻近于低缺陷晶体区的缺陷集中区。低缺陷晶体区和缺陷集中区从主表面延伸到位于主表面的反向侧的后表面。面方向[0001]相对于该主表面的法线矢量在偏斜角方向上倾斜。
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公开(公告)号：CN119790553A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202380060346.8
申请日：2023-05-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/02255 , G01C3/06 , G01S7/481 , G01S17/10 , G02B26/10 , H10F55/00 , H01S5/02257 , H01S5/024 , H01S5/042 , H01S5/062
Abstract: 一种光模块，具备：激光二极管，射出激光；扫描部，具有反射激光的反射镜，并使反射镜摆动而将激光输出到外部；保护容器，具有供激光透过的透过窗，并包围激光二极管及扫描部；控制部，进行控制，使得激光成为脉冲波；以及电子温度调整模块，调整激光二极管及扫描部的温度。
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公开(公告)号：CN104160521B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380008509.4
申请日：2013-02-05
Applicant: 索尼公司 , 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种半导体器件，其包括：具有半极面的半导体基板，由六方III族氮化物半导体形成；第一导电类型的第一包覆层，由Inx1Aly1Ga1‑x1‑y1N(其中，x1>0且y1>0)形成；第二导电类型的第二包覆层，由Inx2Aly2Ga1‑x2‑y2N(其中，0≤x2≤0.02且0.03≤y2≤0.07)形成；以及在第一包覆层和第二包覆层之间形成的发光层。该半导体器件配备有在半导体基板的半极面上形成的外延层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104916751A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510102739.8
申请日：2015-03-09
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66242 , H01L29/737 , H01L33/0025 , H01L33/0045 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L2933/0016 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01L33/16 , H01S5/323 , H01S5/343
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体元件、p型接触结构、制作III族氮化物半导体元件的方法，氮化物半导体元件具有能够改善p型氮化物半导体区域与电极的物理性的接触的特性的结构。在电极与第一p型III族氮化物半导体层的接触的金属-半导体界面上形成界面势垒。以使第二p型III族氮化物半导体层内含应变的方式在第一p型III族氮化物半导体层与第三p型III族氮化物半导体层之间夹持第二p型III族氮化物半导体层。第二p型III族氮化物半导体层的应变使p型III族氮化物半导体叠层的能带结构变化。在基底的主面以50度以上且小于80度的范围的角度倾斜时，该能带结构的变化以在金属-半导体界面处降低界面势垒产生的势垒高度的方式发挥作用。
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公开(公告)号：CN102025104B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201010284406.9
申请日：2010-09-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01S5/0014 , H01S5/0021 , H01S5/0202 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3211
Abstract: 一种III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法，在六方晶系III族氮化物的c轴朝向a轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有能够实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第1和第2切断面(27、29)与a-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在a-n面和半极性面(17a)的交叉线方向上延伸的激光波导。因此，能够利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第1面(13a)是第2面(13b)的相反侧的面。第1及第2切断面从第1面的边缘(13c)延伸至第2面的边缘(13d)。切断面不通过干法蚀刻形成，并且与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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公开(公告)号：CN103650263A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280032130.2
申请日：2012-06-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/14 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/0421 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种包含无损结晶性而具有比较小的接触电阻及比较高的载流子浓度的p型接触层的III族氮化物半导体元件及其制造方法。该III族氮化物半导体元件包括：接触层(25a)，设置于发光层(17)上；接触层(25b)，设置于接触层(25a)上，与接触层(25a)直接接触；及电极(37)，设置于接触层(25b)上，与接触层(25b)直接接触。接触层(25a)及接触层(25b)由p型的相同氮化镓系半导体构成，接触层(25a)的p型掺杂剂的浓度低于接触层(25b)的p型掺杂剂的浓度，接触层(25a)与接触层(25b)的界面J1自与沿c轴延伸的基准轴(Cx)正交的面(Sc)以50度以上且小于130度的角度倾斜，接触层(25b)的膜厚为20nm以下。
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公开(公告)号：CN101958509B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201010231379.9
申请日：2010-07-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S2302/00
Abstract: 一种氮化镓类半导体激光二极管，能够使用半极性面形成500nm以上的光的激光振荡。活性层(29)设置成产生波长500nm以上的光，因此应限制在中心半导体区域(29)的光的波长为长波长，使用双层结构的第一导光层(27)和双层结构的第二导光层(31)。由AlGaN及InAlGaN的至少任意一种构成的包层(21)的材料不同于III族氮化物半导体，并且第一外延半导体区域(15)的厚度(D15)比中心半导体区域(19)的厚度(D19)厚，但第一～第三界面J1、J2、J3上的失配位错密度为1×106cm-1以下。III族氮化物半导体激光二极管中，能够避免c面作为滑移面作用时的晶格驰豫在界面J1、J2、J3的该半导体层中产生。
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公开(公告)号：CN102187482B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN200980141390.1
申请日：2009-10-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC classification number: H01L21/0254 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种制造氮化物基半导体发光元件的方法，该方法在形成p型氮化镓基半导体区域和势垒层时可减少阱层的劣化。在生长出氮化镓基半导体区域(13)后，在衬底(11)上生长势垒层(21a)。势垒层(21a)在时刻t1～t2的期间内在生长温度TB下形成。生长温度TB(＝T2)在摄氏760度以上、摄氏800度以下的范围内。在时刻t2，势垒层(21a)的生长结束。在生长出势垒层(21a)后，不中断生长而在衬底(11)上生长阱层(23a)。阱层(23a)在时刻t2～t3的期间内在生长温度TW(＝T2)下形成。生长温度TW与生长温度TB相同，并且可在摄氏760度以上、摄氏800度以下的范围内。阱层(23a)的铟含量为0.15以上。继而，不中断生长而反复进行阱层和势垒层的生长。
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