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公开(公告)号：CN105551794A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201511008671.3
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01F41/22 , H01F1/40 , H01F10/193 , C23C16/32 , C23C16/56
CPC classification number: H01F41/22 , C23C16/325 , C23C16/56 , H01F1/401 , H01F10/193
Abstract: 本发明涉及一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述方法以一定剂量的碳粒子12C+对SiC薄膜材料进行辐照，即制得SiC基稀磁半导体薄膜。通过本发明的方法处理后的SiC薄膜，薄膜具有明显的室温铁磁性，且其饱和磁化强度相较强，具有良好的潜在应用价值。本发明方法稳定有效，可以在不破坏材料的前提下制备出一种SiC基稀磁半导体薄膜材料。
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公开(公告)号：CN105334348A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410403085.8
申请日：2014-08-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 上海硅酸盐研究所中试基地
IPC: G01P15/09
Abstract: 本发明涉及一种高温加速度传感器，所述高温加速度传感器以结构有序型压电晶体Sr3NbGa3Si2O14、Sr3TaGa3Si2O14、Ca3NbGa3Si2O14和/或Ca3TaGa3Si2O14作为敏感元件。
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公开(公告)号：CN103374750B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210129620.6
申请日：2012-04-28
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明提供一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，包括，将所述籽晶晶片边缘通过粘结剂粘接于具有一定宽度以能可靠粘结固定所述籽晶的环形连接件的一端面；将所述连接件套装在端部周边边缘开槽、且所述槽尺寸与所述连接件匹配的籽晶托上，使所述连接件可靠固定于所述籽晶托，并使所述籽晶晶片紧贴所述端部的端面。本发明可以确保籽晶与籽晶托之间实现可靠的粘结固定，并且避免在籽晶背面涂刷粘结剂导致的不良影响，同时，籽晶中心大部分区域与籽晶托紧密接触，温度梯度分布均匀，有利于SiC晶体的均匀生长，进一步提高SiC晶体的质量。
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公开(公告)号：CN103193232A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210000615.5
申请日：2012-01-04
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法，包括采用高纯液态或溶胶状态的含硅有机物和高残炭率的有机物为原料、通过液相充分混合后干燥为固相态作为固相合成前驱体的前驱体处理工序。本发明将简单易得的有机物作为碳源和硅源来使用，因此生产成本低，制备工艺简单，能大规模生产；并且采用了液态或溶胶状态的碳源和硅源，通过液相充分混合后干燥为固相态作为固相合成前驱体，保证了碳源和硅源的超紧密接触，克服了传统的固相合成法原料混合反应不均的问题；又，因采用高纯度碳源和硅源，能获得可应用于碳化硅晶体的生长的高纯度碳化硅原料。
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公开(公告)号：CN103173863A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110440573.2
申请日：2011-12-23
Applicant: 上海硅酸盐研究所中试基地 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，涉及大尺寸碳化硅单晶生长装置，具体是一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体涉及一种使用PVT技术生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明在坩埚盖上表面开个球面孔，然后将完全贴合整个孔的特制外形的保温材料放进孔内铺平，然后将石墨盖片放入孔内并用力压平。这样使坩埚盖内部有一个夹心保温层，使坩埚盖表面对外综合散热均匀，减小晶体生长的径向温度梯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102162137B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110032202.0
申请日：2011-01-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，涉及Ge/Si1-xGex超晶格结构及其制备。本发明的高质量应变Ge/Si1-xGex超晶格结构，包括Si衬底、在Si衬底上依次外延生长的Si0.2Ge0.8虚拟衬底层、B掺杂Si0.2Ge0.8外延层、Si0.2Ge0.8阻挡层、Ge/Si1-xGex超晶格层、P掺杂Si0.2Ge0.8外延层、Si0.2Ge0.8阻挡层和Si保护层，且0.6≤x≤0.7。本发明采用减压化学气相沉积法在Si衬底上依次生长各外延层，所得超晶格结构具有位错缺陷密度低、厚度薄、界面/表面平整、Ge/Si1-xGex超晶格处于应变状态等特性；且质量高，特别适于制作硅基激光器和波导调制器。
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公开(公告)号：CN102315246B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010214666.9
申请日：2010-06-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L29/00 , H01L29/06 , H01L29/167 , H01L21/205
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种弛豫高锗含量的SiGe虚拟衬底及其制备方法。该SiGe虚拟衬底包括Si衬底、在Si衬底上由内而外依次外延生长的Ge晶籽层、Ge缓冲层、组份渐变的SiGe缓冲层和组分恒定的SiGe层；所述Ge晶籽层和所述Ge缓冲层组成Ge驰豫缓冲层。该SiGe虚拟衬底具有高Ge含量、完全弛豫、位错密度低、厚度薄、表面平整等特性。该SiGe虚拟衬底的制备方法为采用减压化学气相沉积法在Si衬底上依次生长各外延层。本发明所制备的弛豫高锗含量的SiGe虚拟衬底，可广泛应用于CMOS工艺中Ge沟道应变工程和高迁移率沟道材料制备上，进一步提高CMOS器件的性能。
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公开(公告)号：CN101275279B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200710173620.5
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及四晶格位结构压电晶体，其化学式为Me3NeAl3Si2O14,其中Me为Ca、Sr或Ba，Ne为Sb、Nb或Ta，空间群为P321。本发明通过固相合成方法在高温下烧结获得相应的化合物，然后通过提拉法、坩埚下降法等晶体生长方法生长出单晶体，获得的晶体的压电常数e11大于硅酸镓镧晶体，可用于制作声表面波或声体波压电器件。
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公开(公告)号：CN102312201A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010214412.7
申请日：2010-06-30
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜领域，涉及Al掺杂的ZnO透明导电薄膜的制备方法，尤其涉及电感耦合等离子体增强物理气相沉积法(ICP-PVD)。该ICP-PVD法先制备Zn1-xAlxO(0.01≤x≤0.05)靶材；将清洁干燥衬底放入ICP-PVD系统中，控制ICP-PVD系统各工艺参数进行薄膜沉积得到Al掺杂的ZnO透明导电薄膜。该方法设备简单、易操作、可实现大面积、规模化的镀膜生产。该ICP-PVD系统与传统薄膜设备相比对等离子体中各种带电粒子起到约束和加速作用，从而提高了薄膜的结晶质量、施主掺杂的可控性，易得电阻率低、透过率高、重复性和稳定性好的ZnO薄膜，该薄膜可应用于光电子器件中。
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公开(公告)号：CN102157597A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010108982.8
申请日：2010-02-11
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L31/08 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及一种光控碳化硅(SiC)光电导开关，其包括如下部件：光电导晶片，所述光电导晶片为碳化硅晶片，具有以下抛光良好的晶面：至少一个(1100)m面；至少两个(1120)a面；其中(1100)m面或(1120)a面是与激发光源光学连接的朝光面，以及与所述(1120)a面或(1120)m面具有良好电学性质的电极，且当所述(1100)m面作为朝光面时，所述电极与所述(1120)a面电学连接；当所述(1120)a面作为朝光面时，所述电极与所述(1100)m面电学连接。
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