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公开(公告)号：CN102104063A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910201332.5
申请日：2009-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/732 , H01L21/331 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/7317 , H01L29/66265
Abstract: 本发明公开了一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法，该双极晶体管包括SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次为SOI衬底体区，SOI衬底隐埋氧化层，顶层硅膜，所述SOI衬底上采用集成电路STI工艺在顶层硅膜位置处形成有有源区，有源区位置处通过离子注入形成有集电区和基区，集电区靠近SOI衬底隐埋氧化层，基区靠近顶层硅膜表面；基区上形成有发射极和基极，发射极和基极分别被侧氧隔离墙包围。本发明它采用一种简单的双多晶硅技术，不仅提高晶体管性能，而且可以减小有源区面积提高集成度；此外本发明采用侧氧隔离工艺，提高SOI BJT与SOI CMOS的兼容性，使SOI BiCMOS工艺变得简单，从而降低成本。
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公开(公告)号：CN101976283A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010515128.3
申请日：2010-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G01R31/2628 , G01R31/2603 , G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种BSIMSOI4直流模型参数的确定方法，该方法通过提供若干不同尺寸的体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件；测量所有体引出结构MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id/Ip-Vd-Vg、Ig-Vg-Vd、Ig-Vp、Ip-Vg-Vd、Is/Id-Vp及Id/Ip-Vp-Vd特性，以及所有浮体结构MOSFET器件的Id-Vg-Vp、Id-Vd-Vg及Ig-Vg-Vd特性；并获取各个体引出结构MOSFET器件和浮体结构MOSFET器件的无自热效应的电学特性曲线；然后依次按照特定步骤提取BSIMSOI4模型的直流参数。本发明根据模型方程依次选择适当的测试曲线，逐步确定各类参数，从而可准确有效的提取出BSIMSOI4模型的直流参数。
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公开(公告)号：CN101908472A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010211441.8
申请日：2010-06-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供器件衬底和支撑衬底，所述器件衬底中具有腐蚀自停止层；选择在器件衬底和支撑衬底的一个或者两个的表面形成绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将器件衬底和支撑衬底键合在一起；实施键合后的退火加固；利用腐蚀自停止层将器件衬底减薄至目标厚度以在绝缘层表面形成器件层。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。
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公开(公告)号：CN101901780A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010211457.9
申请日：2010-06-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 一种绝缘体上锗硅材料的制备方法，包括如下步骤：提供含有空洞层的衬底；在衬底表面外延生长锗硅层；将改性离子注入在空洞层的位置；退火形成绝缘埋层；在锗硅层表面生长应变硅层。本发明进一步提供了一种绝缘体上应变硅材料的制备方法，包括如下步骤：提供含有空洞层的衬底；在衬底表面外延生长锗硅层；将改性离子注入在空洞层的位置；退火形成绝缘埋层；在锗硅层表面生长应变硅层。本发明的优点在于，采用了含有空洞层的初始衬底作为外延锗硅的支撑衬底，在随后的注氧制备SiGeOI和应变硅材料的过程中，该空洞层能够有效地促进注入的改性离子的聚集形成绝缘层，从而得到高质量的SiGeOI和应变硅材料并降低生产成本。
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公开(公告)号：CN101771051A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910200964.X
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/7841 , G11C11/404 , G11C2211/4016 , H01L27/10802
Abstract: 本发明公开了一种浮体动态随机存储器的单元结构及其制作工艺。其结构包括位于埋层氧化层上的N型半导体区、位于N型半导体区上的P型半导体区以及位于P型半导体区上的栅极区，P型半导体区、N型半导体区四周设有电隔离区。利用隔离的浮体栅二极管作存储节点，通过带与带间的隧道穿透，空穴在浮体积聚定义为第一种存储状态；通过PN结正向偏置，空穴从浮体发射出去或者电子注入到浮体，定义为第二种存储状态；这两种状态造成浮体栅二极管(P+/N+)正向开启电压的差异，通过电流的大小可以感知。本发明是一种高效低功耗高密度栅二极管(P+/N+)浮体存储器单元，具备制作工艺简单、集成密度高、成本低廉及可靠性高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101771028A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910200961.6
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/075 , H01L21/50 , H01L33/48 , H01L33/58
Abstract: 本发明揭示了一种白光LED芯片，包括构成顺次构成层叠结构的第一类型LED芯片、第二类型LED芯片、及第三类型LED芯片；所述第一类型LED芯片、所述第二类型LED芯片、及所述第三类型LED芯片均包括间隔排列的基本发光单元与环氧树脂透镜。本发明还提供一种LED芯片的制造方法，包括分别制作包括间隔排列的基本发光单元与环氧树脂透镜的第一类型LED芯片、所述第二类型LED芯片、及所述第三类型LED芯片，并将上述三者键合以构成层叠结构的步骤。本发明的有益效果在于：节约芯片面积，发光效率高。
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公开(公告)号：CN101740463A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910200127.7
申请日：2009-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上应变硅材料的方法。该方法首先在硅衬底上外延SiGe合金层；然后在SiGe合金层上外延一Si层；以1017cm-2量级的剂量进行第一次氧离子注入，然后以1015cm-2量级的剂量进行第二次氧离子注入，使得注入的氧离子集中在硅衬底的上部，于硅衬底与SiGe合金层的交界处形成氧离子聚集区；将完成了氧离子注入的材料在含氧的气氛下高温退火，氧离子聚集区形成SiO2，最上层的Si层也氧化为SiO2；通过腐蚀去除材料表面的SiO2，直到露出SiGe层；在SiGe表面外延Si层，由于外延的Si层会有应变，最终形成sSi/SiGe/SiO2/Si结构的绝缘体上应变硅材料。
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公开(公告)号：CN101719501A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910199724.2
申请日：2009-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/04 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/1211 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/1203 , H01L29/42392 , H01L29/78696
Abstract: 本发明公开了一种混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的PMOS区域、具有第二沟道的NMOS区域及栅区域，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道的横截面均为腰形(跑道形)，且所述第一沟道采用n型(110)Si材料，所述第二沟道采用p型(100)Si材料；栅区域将所述第一沟道及第二沟道的表面完全包围；在PMOS与NMOS区域之间、PMOS区域或NMOS区域与Si衬底之间均有埋层氧化层将它们隔离。本器件结构简单、紧凑，集成度高，在反型工作模式下，采用不同晶向材料的沟道、跑道形全包围栅结构、高介电常数栅介质和金属栅，具备高载流子迁移率，可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应等。
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公开(公告)号：CN101719498A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910199720.4
申请日：2009-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L29/16 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/1211 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L29/42392
Abstract: 本发明公开了一种混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的PMOS区域、具有第二沟道的NMOS区域及栅区，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道均为圆柱体，且具有不同的半导体材料，所述的第一沟道为n型的Ge材料，所述的第二沟道为p型的Si材料；栅区域将所述第一沟道及第二沟道的表面完全包围；在PMOS与NMOS区域之间、PMOS区域或NMOS区域与Si衬底之间均有埋层氧化层将它们隔离。本器件结构简单、紧凑，集成度高，在反型工作模式下，采用圆柱体全包围栅结构，高介电常数栅介质和金属栅，可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应等。
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公开(公告)号：CN101710576A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910200126.2
申请日：2009-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上锗材料的方法。该方法首先在硅衬底上外延SiGe合金层；然后在SiGe合金层上外延Si薄层；通过两次不同剂量的氧离子注入，使注入的氧离子集中在硅衬底的上部，于硅衬底与SiGe合金层交界处形成氧离子聚集区；先后在不同含氧气氛中进行第一、第二次退火，使氧离子聚集区氧化形成SiO2，顶层Si薄层也氧化为SiO2，再在纯氧气气氛中退火，进一步提高SiGe层中锗的含量，然后在纯氮气气氛中退火，使SiGe层中Ge的分布更均匀，最后用纯氧气和纯氮气交替进行退火，最终SiGe合金中的Si完全被氧化为SiO2，将顶层的SiO2腐蚀掉，就形成了绝缘体上锗材料。
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