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公开(公告)号：CN102680091A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210193033.3
申请日：2012-06-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种太赫兹波的高速探测方法及装置，该装置包括对太赫兹波进行直接强度探测的THzQWP和为THzQWP提供偏置电压并将其产生的光电流转换成电压信号的跨阻放大电路；为了便于跨阻放大电路的参数设计，本发明提出了THzQWP的小信号集总电学模型，该模型由电容Cq并联旁路差分电阻Rd和光电流源Is构成；跨阻放大电路包括运算放大器、补偿电容CF和跨阻RF；运算放大器的反相输入端与THzQWP的一端相连，运算放大器的同相输入端接偏置电压；跨阻RF连接于运算放大器的输出端和反相输入端之间；补偿电容与跨阻并联；THzQWP的另一端接地。本发明可以给THzQWP提供很低的工作偏压，同时将THzQWP的光电流信号转化为电压信号，方便后面电路环节处理。
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公开(公告)号：CN102570307A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210023654.7
申请日：2012-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种单模大功率太赫兹量子级联激光器及其制作工艺，所述单模大功率太赫兹量子级联激光器包括位于中心的二维光子晶体波导和环绕二维光子晶体波导分布的一阶光栅波导。本发明所述的单模大功率太赫兹量子级联激光器大大增加了中心区域波导的太赫兹激光的输出功率，保证了太赫兹激光的单模窄线宽，只反馈激光器设定的工作模式，抑制横向高次模，同时还提高了光子晶体谐振腔的品质因子。
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公开(公告)号：CN102394689A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110045058.4
申请日：2011-02-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于太赫兹波的音频无线通信链路实现方法及系统。该音频无线通信链路系统包括发射端和接收端，其发射端包括驱动电路和与之连接的THzQCL，驱动电路采用强度调制，输出叠加有音频信号的驱动电压信号，从而驱动THzQCL辐射相应的太赫兹波信号；接收端包括THzQWP和与之连接的信号检测电路，信号检测电路采用光电导模式，给THzQWP加上稳定的偏压，经过跨阻放大器将通过THzQWP的光电流信号转化成电压信号，并对此电压信号滤波和放大，输出给音响设备。采用该音频无线通信链路实现方法及系统，由音频播放器输出音频信号，可在THzQWP探测端得到清晰的声音信号，成功地完成太赫兹波实时传输声音信号的演示。
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公开(公告)号：CN102223140A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010145805.7
申请日：2010-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于碳纳米管的太赫兹振荡方法，在半导体碳纳米管两端施加直流偏压，使该半导体碳纳米管中的电子漂移速度位于负微分漂移速度区域，从而在该半导体碳纳米管中产生随时间周期性变化的振荡电流。此外，本发明还提出了一种可实现上述方法的太赫兹振荡器及其制作方法。该碳纳米管太赫兹振荡器由芯片和与之连接的外围电路组成，作为一种新型的固态THz振荡器，具有结构简单、易于集成以及可以室温工作等优点，有望在未来的空间无线通信系统中得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN101383305B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200710045700.2
申请日：2007-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法，其特征在于利用稀磁半导体中的巨塞曼分裂，用平行于生长方向的磁场调控阱深或垒高，对耦合多量子阱进行测量。并以Zn0.8Cd0.2/ZnSe对称耦合三量子阱为例，在理论上对实验方案的有效性进行了验证。利用本发明提供的方法，有效地降低了样品制备的要求和工作量，提高了实验精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101257061A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810036127.3
申请日：2008-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/111 , G06F17/50
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种工作在太赫兹波段的光伏型量子阱探测器有源区结构的形成方法。其首先在单个周期内形成AlGaAs/GaAs多量子阱结构，所述多量子阱结构依次包括：宽势垒区、第一掺杂量子阱层、多组分势垒区、第二量子阱层、低势垒区、及第三量子阱层，并使宽势垒区中的Al组分值小于0.1，使多组分势垒区的高组分单层的Al组分值大于0.25，然后采用自洽的平面波展开方法，并在考虑Hartree势的影响下求解薛定谔方程，采用简化的散射模型，在考虑电子在准连续态时电子－声子、电子－杂质散射效应对光响应谱峰形的影响情况下，计算单周期结构的光电流谱，最后选择适合于特定探测波长的结构作为工作在太赫兹波段的光伏型量子阱探测器的有源区结构，由此可形成光伏型器件。
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公开(公告)号：CN119247710A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411559403.X
申请日：2024-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于剥离的双层胶光刻工艺方法，首先在衬底上依次旋涂正性光刻胶和反转光刻胶，然后进行第一次曝光并反转烘，使反转光刻胶形成不溶于显影液的T型光刻胶结构两侧的凸出檐，再进行第二次曝光，使T型光刻胶结构之外的光刻胶溶于显影液，最后显影获得T型光刻胶结构。本发明可形成明显底切的T型光刻胶结构，有利于后续薄膜的剥离，且光刻图形精度高，底切结构尺寸可控，可避免长时间显影出现浮胶的问题。
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公开(公告)号：CN119247709A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411559399.7
申请日：2024-11-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于负胶光刻工艺的去边胶方法，包括：(1)在衬底上旋涂负性光刻胶，衬底边缘堆积形成高于中间区域的边胶；对衬底进行第一次软烘；(2)旋涂正性光刻胶，对衬底进行第二次软烘；(3)用去边掩膜板和去边紫外光对衬底进行曝光；(4)用显影液对衬底进行显影，去除边胶；(5)用图形化掩膜板和图形化紫外光对衬底进行曝光，曝光后进行后烘；(6)用泛曝紫外光对衬底进行曝光；(7)用显影液对衬底进行显影，去除全部正性光刻胶和步骤(5)中图形化掩膜板遮光区对应的负性光刻胶，获得图形化光刻胶。本发明去除负胶边胶的方法操作简单，无需额外工艺设备，且光刻工艺兼容性高，去边区域精确可控。
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公开(公告)号：CN114843724B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202110144740.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明提供一种光子晶体双带通滤波器，包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱，第一金属板与第二金属板对应设置，金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间，且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触，以构成金属柱阵列；缺陷金属柱的高度小于周围的金属柱的高度，缺陷金属柱包括具有不同横截面积的第一缺陷金属柱及第二缺陷金属柱，以构成缺陷子周期结构，且缺陷子周期结构呈二维周期性排列于金属柱阵列中。本发明提出了一种光子晶体双带通滤波器，可用于未来6G通信和光通信的双带通滤波器，填补了这一领域的空白。
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公开(公告)号：CN117368531A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210770383.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01Q60/18
Abstract: 本发明提供一种近场光学显微镜系统及成像方法至少包括：微反射镜阵列、光路模块及显微镜模块，其中：微反射镜阵列、光路模块均与显微镜模块连接；微反射镜阵列接收所述光路模块产生的激光信号，通过调节微反射镜阵列中每一个微反射镜的方向，调整激光信号在所述光路模块上产生的波前信息；调节每一个反射镜的旋转角度，将激光信号反射至所述显微镜模块，使所述显微镜模块产生满足对比度和分辨率要求的探测信号，对样品的近场光学信息进行探测。利用微反射镜阵列辅助探测样品的近场光学信息，能够有效地抑制背景噪声，增强反射光的强度，极大提高成像的分辨率和对比度；结构简单，操作便捷，具有广泛的适用性。
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