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公开(公告)号：CN114839717B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202110145539.6
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明提供一种二维封闭式表面波光子晶体结构，包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱，第一金属板与第二金属板对应设置，金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间，且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触，以构成金属柱阵列；缺陷金属柱位于金属柱阵列中，且缺陷金属柱的高度小于周围的金属柱的高度。本发明在表面波光子晶体结构的基础之上，通过结合金属板，可集成包括表面波光子晶体结构及金属‑绝缘体‑金属结构的二维封闭式表面波光子晶体结构，以提供一种抗干扰性较强、集成度较高的二维封闭式表面波光子晶体结构。
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公开(公告)号：CN116314416A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310286503.9
申请日：2023-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/0304
Abstract: 本发明涉及一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器，自上而下包括上电极层、GaAs有源区和下电极层；所述GaAs有源区分布有数个微腔阵列单元；所述微腔阵列单元的顶层为上金属电极(5)，所述上金属电极(5)两两之间通过微带线连接，形成上电极层；所述上金属电极(5)包括4个独立的且尺寸互不相同的微腔。本发明利用二维微纳结构和SPPs机理实现的THz QWP光耦合结构，使得THz QWP既能实现电压可调谐，又能实现阵列化宽带探测，具有更好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN114843724B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202110144740.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明提供一种光子晶体双带通滤波器，包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱，第一金属板与第二金属板对应设置，金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间，且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触，以构成金属柱阵列；缺陷金属柱的高度小于周围的金属柱的高度，缺陷金属柱包括具有不同横截面积的第一缺陷金属柱及第二缺陷金属柱，以构成缺陷子周期结构，且缺陷子周期结构呈二维周期性排列于金属柱阵列中。本发明提出了一种光子晶体双带通滤波器，可用于未来6G通信和光通信的双带通滤波器，填补了这一领域的空白。
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公开(公告)号：CN114843724A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110144740.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明提供一种光子晶体双带通滤波器，包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱，第一金属板与第二金属板对应设置，金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间，且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触，以构成金属柱阵列；缺陷金属柱的高度小于周围的金属柱的高度，缺陷金属柱包括具有不同横截面积的第一缺陷金属柱及第二缺陷金属柱，以构成缺陷子周期结构，且缺陷子周期结构呈二维周期性排列于金属柱阵列中。本发明提出了一种光子晶体双带通滤波器，可用于未来6G通信和光通信的双带通滤波器，填补了这一领域的空白。
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公开(公告)号：CN114839717A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110145539.6
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明提供一种二维封闭式表面波光子晶体结构，包括第一金属板、第二金属板、金属柱及缺陷金属柱，第一金属板与第二金属板对应设置，金属柱呈二维周期性排列于第一金属板及第二金属板之间，且金属柱的相对两端分别与第一金属板及第二金属板相接触，以构成金属柱阵列；缺陷金属柱位于金属柱阵列中，且缺陷金属柱的高度小于周围的金属柱的高度。本发明在表面波光子晶体结构的基础之上，通过结合金属板，可集成包括表面波光子晶体结构及金属‑绝缘体‑金属结构的二维封闭式表面波光子晶体结构，以提供一种抗干扰性较强、集成度较高的二维封闭式表面波光子晶体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116314395A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310277492.8
申请日：2023-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/0304 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种可单模双模工作的量子阱阵列探测器，自上而下包括上电极层、GaAs有源区和下电极层；所述GaAs有源区分布有数个微腔阵列单元；所述微腔阵列单元的顶层为上金属电极(5)，每一排所述上金属电极(5)两两之间通过二级阶梯型微带线连接，形成上电极层；所述上金属电极(5)具有若干条可调整角度的缺陷。本发明利用耦合机制的调控，可实现量子阱阵列探测器单模、双模两种探测模式，具有更好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN116136614A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202111356091.9
申请日：2021-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器，包括：第一金属板、金属柱阵列及第二金属板，金属柱阵列包括周围金属柱及缺陷金属柱；周围金属柱呈行和列等间距排布；缺陷金属柱呈列排布；缺陷金属柱两侧均与周围金属柱相邻；缺陷金属柱与相邻的周围金属柱之间的间距与两相邻周围金属柱之间的间距相等；缺陷金属柱包括第一缺陷金属柱至第N缺陷金属柱，N≥2，且以第一缺陷金属柱至第N缺陷金属柱为缺陷金属柱周期依次呈列排布，相邻两个所述缺陷金属柱周期之间具有间隔，间隔为相邻两缺陷金属柱之间间距的两倍。可解决二阶以上带通滤波器频带宽，频带工作效率相差大且频带内振荡明显的问题。
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公开(公告)号：CN116093561A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111304419.2
申请日：2021-11-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明提供一种单窄通二维封闭式表面波光子晶体结构，通过第一金属板、周围金属柱、缺陷金属柱及缺陷金属柱与第一金属板的间隔构成了表面波光子晶体结构，且通过第二金属板，形成封闭式表面波光子晶体结构，提高光子晶体的抗干扰能力；另外，通过使周围金属柱呈行和列等间距排布；缺陷金属柱呈列排布，或缺陷金属柱呈连通的行和列排布的L型；缺陷金属柱两侧均与周围金属柱相邻，且两缺陷金属柱之间的间隔是相邻两周围金属柱之间间隔的两倍；缺陷金属柱与相邻的周围金属柱之间的间距与呈行和列等间距排布的两相邻所述周围金属柱之间的间距相等，可解决二维封闭式表面波光子晶体结构的带内震荡的问题，减小光子晶体结构的带宽及带内频率震荡。
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公开(公告)号：CN116136614B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202111356091.9
申请日：2021-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器，包括：第一金属板、金属柱阵列及第二金属板，金属柱阵列包括周围金属柱及缺陷金属柱；周围金属柱呈行和列等间距排布；缺陷金属柱呈列排布；缺陷金属柱两侧均与周围金属柱相邻；缺陷金属柱与相邻的周围金属柱之间的间距与两相邻周围金属柱之间的间距相等；缺陷金属柱包括第一缺陷金属柱至第N缺陷金属柱，N≥2，且以第一缺陷金属柱至第N缺陷金属柱为缺陷金属柱周期依次呈列排布，相邻两个所述缺陷金属柱周期之间具有间隔，间隔为相邻两缺陷金属柱之间间距的两倍。可解决二阶以上带通滤波器频带宽，频带工作效率相差大且频带内振荡明显的问题。
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公开(公告)号：CN117091697A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202210516398.9
申请日：2022-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J1/44
Abstract: 本发明提供一种用于量子阱探测器的宽带微腔阵列耦合结构及其制备方法，在该耦合结构中，多个微腔单元呈阵列状排布，且多个微腔单元的大小逐渐变化，每个微腔单元支持不同频段的电磁波，从而能够有效拓宽耦合频段，提高量子阱对光的吸收效率，降低器件的暗电流，提升器件的工作温度。另外，本发明采用标准的GaAs材料体系工艺，简单易操作，不会给器件制备增加额外的工艺难度。
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