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公开(公告)号：CN110143567B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910412266.X
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种悬空的黑介质薄膜及其制备方法以及应用，包括：S1：提供一种半导体单晶衬底，在该衬底表面制备出薄膜掩膜，并刻蚀出窗口阵列，露出窗口阵列内的半导体单晶衬底表面；S2：采用湿法技术腐蚀该半导体单晶衬底表面，形成微纳金字塔结构；S3：移除薄膜掩膜，继而在半导体单晶衬底的表面制备出薄膜，在微纳金字塔结构表面制备出黑介质薄膜；S4：对薄膜进行图形化和薄膜刻蚀形成释放区域；以及S5：采用干法刻蚀技术或湿法腐蚀技术释放所述黑介质薄膜和支撑膜结构，即得。本发明采用微加工技术，以微纳金字塔结构为模，批量制备出悬空的黑介质薄膜，该薄膜在未来可广泛应用于增强光吸收辐射和减少热量损耗的光探测和光源等领域。
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公开(公告)号：CN111725040B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910769141.2
申请日：2019-08-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种场发射晶体管的制备方法、场发射晶体管及设备，包括：制备基础层；其中，所述基础层上设有栅极；在所述基础层上沉积导电层；在所述导电层的两端沉积源极和漏极；刻蚀所述导电层，得到发射尖端；其中，所述刻蚀采用的方法为聚焦离子束刻蚀。本申请所述的场发射晶体管的制备方法，可实现阵列式的发射尖端，有利于提高整体发射电流和电流稳定性。且经过聚焦离子束刻蚀可以形成更小的发射尖端，局部电场增强作用更好。
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公开(公告)号：CN112951916A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110124217.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明涉及一种基于侧墙工艺的纳米空气沟道晶体管及其制备方法，从下至上包括栅极及栅极绝缘层、保护层和用于形成侧墙结构的辅助层，还包括以侧墙结构作为硬掩模或牺牲层形成的纳米空气沟道。本发明具有高密度集成的潜力，有利于纳米空气沟道晶体管自身、或与其它类型器件的高密度集成；同时也具有规模化制造潜力，有利于降低生产成本、提高生产效率，具有实用价值和实际应用前景。
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公开(公告)号：CN111982323A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910440473.6
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种热电堆型高温热流传感器及其制备方法，热电堆型高温热流传感器包括：衬底，衬底内形成有隔热腔体；复合介质膜，位于衬底的上表面且覆盖隔热腔体的上表面；电阻块，位于复合介质膜的上表面，且位于衬底的正上方及隔热腔体的正上方；绝缘介质层，覆盖电阻块的表面；金属图层，包括电极及引线，电极位于绝缘介质层的上表面，引线位于绝缘介质层内，电极经由引线与所述电阻块电连接。本发明的热电堆型高温热流传感器的结构简单，热偶对数降低至1至2对，可以承受高温热流冲击，实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量，在高温环境中工作稳定，可靠性强。
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公开(公告)号：CN111725040A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910769141.2
申请日：2019-08-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种场发射晶体管的制备方法、场发射晶体管及设备，包括：制备基础层；其中，所述基础层上设有栅极；在所述基础层上沉积导电层；在所述导电层的两端沉积源极和漏极；刻蚀所述导电层，得到发射尖端；其中，所述刻蚀采用的方法为聚焦离子束刻蚀。本申请所述的场发射晶体管的制备方法，可实现阵列式的发射尖端，有利于提高整体发射电流和电流稳定性。且经过聚焦离子束刻蚀可以形成更小的发射尖端，局部电场增强作用更好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110203879A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910391545.2
申请日：2019-05-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅纳米线的制备方法，包括：提供硅片；通过窗口干法刻蚀以形成刻蚀凹槽，该刻蚀凹槽的底壁与埋氧层之间保留有第一剩余顶层硅结构；湿法刻蚀以形成各向异性刻蚀槽，第一剩余顶层硅结构被减薄以形成位于各向异性刻蚀槽的底壁与埋氧层之间的第二剩余顶层硅结构，相邻两个各向异性刻蚀槽之间形成硅间壁；通过对第二剩余顶层硅结构和硅间壁进行氧化，在氧化硅间壁的底部和相邻氧化硅底壁的交界处形成贴附于埋氧层的单晶硅纳米线；去除氧化硅底壁、氧化硅间壁和埋氧层，硅纳米线被悬空而位于腐蚀槽的底部。本发明通过微加工工艺尺寸缩小技术来制备硅纳米线，不仅避免硅纳米线的尺寸偏差，且可以根据需要调整硅纳米线的尺寸且成本低廉。
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公开(公告)号：CN106711121B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201510770462.6
申请日：2015-11-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种硅柱通孔互连结构及其制作方法，该结构包括第一硅片以及与该第一硅片键合的第二硅片；所述第一硅片和第二硅片键合后接触孔部分形成用于电连接的硅柱通孔结构和非接触孔部分形成金属环的密封结构；所述硅柱通孔结构上的金属接触用于电连接，实现真空或气密封装时内部器件及结构与外部的电学互连；所述硅柱通孔结构外表面金属层用于降低硅柱电阻；所述硅片上的金属环用于键合工艺，实现器件及结构的真空或气密封装。本发明通过硅柱通孔互连结构，能够优化现有真空或气密封装存在较大台阶时的电连接问题；可以实现真空或气密封装内部结构与器件与外部直接的电连接；完全平面化引线连接，可以实现多层堆叠；可以实现晶圆级的电学连接。
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公开(公告)号：CN110165043A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910412250.9
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于黑薄膜的热电红外探测器及其制备方法，方法包括：提供一种半导体单晶衬底，在衬底表面制备出薄膜掩膜，刻蚀出窗口阵列；采用湿法技术腐蚀衬底表面，形成微纳金字塔结构；移除薄膜掩膜，在衬底表面制备单层或复合薄膜，在微纳金字塔结构表面制备出黑薄膜；以黑薄膜为红外吸收区，在其周围制备数条热电偶，然后沉积金属互连线以串联所有热电偶；以及释放所述黑薄膜，制备出基于黑薄膜的热电红外探测器。本发明提出一种黑薄膜制备技术，利用其对光的多次反射损耗增强热电红外吸收率的特性，将其与热电红外探测相结合，明显提高热电红外探测器的探测率和输出响应，增强红外探测性能，并且该方法与CMOS工艺兼容，可批量制备。
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公开(公告)号：CN105428518B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201510778969.6
申请日：2015-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于局域共振体的声子晶体结构及其制作方法，所述声子晶体结构包括设有凹槽的基底，所述凹槽的内壁沉积有绝缘层；与所述基底键合形成空腔的固体基板、形成于所述固体基板两端的压电薄膜、形成于所述压电薄膜上的叉指电极结构以及形成位于空腔上方的固体基板上的声子晶体结构。所述制作的方法特征为固体基板悬空在空腔上方，局域共振声子晶体通过在固体基板上方沉积固体结构层，并对所述固体结构层进行图形化形成共振结构来构成。由于局域共振声子晶体结构悬空在衬底上方，因此消除了器件工作过程中，声学波通过衬底的损耗，从而提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN105988090B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510051986.X
申请日：2015-01-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/028 , B81B3/00
Abstract: 本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用，所述微机械磁场传感器至少包括：谐振振子和依次形成于所述谐振振子表面上的绝缘层及至少一层金属线圈。本发明采用S型折叠梁实现弹性梁和锚点的连接，保证了谐振振子谐振时是沿垂直于谐振振子的方向移动，相比于一般的双端固支梁的组成的方环形而言，大大提高了谐振梁所围成面积单位时间内的变化量，进而增加了金属线圈内磁通量的变化，进一步增大了磁场的灵敏度。同时，在金属线圈的绝缘层下添加接地铝层，可有效避免谐振振子的信号耦合到金属线圈。本发明结构简单，不需要在金属线圈上通入电流，降低了器件的功耗；同时通过测量金属线圈两端的感应电动势来测量磁场大小，因此受温度影响小。
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