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公开(公告)号：CN118153292A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410206801.7
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F111/06
Abstract: 本申请涉及一种产品可靠度确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取产品中每个组成部分各自的可靠度范围；产品存在至少一个目标组成部分，目标组成部分的可靠度范围中最大可靠度，大于产品中目标组成部分具有的可靠度；多次从每个组成部分各自的可靠度范围中分别选取一个可靠度，得到多个可靠度集合；基于多个可靠度集合进行至少一次进化，获得至少一次进化所生成的多个候选可靠度集合；确定每个候选可靠度集合分别对应的集合评估值，基于集合评估值从多个候选可靠度集合中，选取用于对产品进行改进的目标可靠度集合。采用本方法能够根据目标可靠度集合对产品进行改进，提高产品改进的合理性。
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公开(公告)号：CN118130995A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410387704.2
申请日：2024-04-01
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种双极退化试验电路和双极退化试验方法。所述双极退化试验电路包括：测试电路、第一驱动电路、第二驱动电路和监测电路。测试电路包括辅助电阻和至少一个待测SiC MOSFET，第一驱动电路用于在各待测SiC MOSFET处于截止状态的情况下，为各待测SiC MOSFET提供第一脉冲电信号，以控制对各待测SiC MOSFET施加电流应力；第二驱动电路用于在各待测SiC MOSFET处于导通状态的情况下，为各待测SiC MOSFET提供第二脉冲电信号；监测电路用于获取各待测SiC MOSFET在第一脉冲电信号下的第一退化参数和各待测SiC MOSFET在所述第二脉冲电信号下的第二退化参数。该双极退化试验电路同时监测多个SiC MOSFET器件的退化参数。
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公开(公告)号：CN118091272A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311858284.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00 , G01R19/00 , G06F18/241 , G06F18/214 , G06F18/213 , G06F18/25
Abstract: 本申请涉及一种老化程度识别方法、装置、计算机设备、存储介质。所述方法包括：获取逆变器中单管的电压数据；从电压数据中提取瞬时频率和瞬时幅值，得到输入特征；通过预设双流神经网络提取输入特征对应的第一中间特征和第二中间特征；对第一中间特征和第二中间特征进行融合，得到目标特征；根据目标特征进行老化程度识别，得到逆变器中单管的老化程度识别结果。采用本方法能够在抓取显著特征的同时扩充数据维度，提升输入特征的丰富程度；通过预设双流神经网络提取不同尺度的特征，提升特征提取网络的鲁棒性，避免过于依赖单一维度特征造成的识别错误，实现对电压数据中重要特征进行充分提取，进而提升了逆变器中单管老化程度识别的精确性。
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公开(公告)号：CN118069505A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410164934.2
申请日：2024-02-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种神经网络模型安全性评估方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。方法包括：获取神经网络模型运行过程中的电磁轨迹信息和标准参数；根据电磁轨迹信息对神经网络模型进行恢复，确定神经网络模型的恢复参数；将恢复参数与标准参数进行比对，确定神经网络模型的安全性评估结果，采用本方法能够降低神经网络模型安全性评估成本。
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公开(公告)号：CN118033502A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410158474.2
申请日：2024-02-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及磁场探测技术领域，特别是涉及一种磁场测量探头和系统。磁场测量探头包括目标测量线圈和测量增强电路；目标测量线圈与增强电路连接；目标测量线圈，用于探测干扰源的第一磁场信号和第二磁场信号；测量增强电路，用于配合目标测量线圈探测干扰源的第一磁场信号和第二磁场信号；其中，第一磁场信号用于生成干扰源的电场分量；第二磁场信号用于生成干扰源的磁场分量。本申请相比起现有技术中控制磁场测量探头进行多次测量，实现分别获取干扰源的电场分量和磁场分量的过程，能够有效的提高获取电场分量和磁场分量的效率，防止在对干扰源进行多次测量时引入机械位置误差，从而导致测量结果出现偏差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118033498A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410156445.2
申请日：2024-02-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种磁场测量探头、方法、装置和系统。属于磁场探测技术领域，所述方法包括：包括第一探测电路、第二探测电路和连接器；第一探测电路包括第一差分环路和第一寄生环路。第二探测电路包括第二差分环路和第二寄生环路。其中，第一探测电路用于探测干扰源发射的第一磁场信号；第二探测电路用于探测干扰源发射的第二磁场信号。通过连接器，将第一磁场信号和第二磁场信号传输至外部设备，以供外部设备根据第一磁场信号和第二磁场信号确定干扰源的磁场信息。本申请的磁场测量探头基于第一探测电路和第二探测电路有效提升了干扰源探测时的磁场测量灵敏度和测量精度。
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公开(公告)号：CN117970068A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410359012.7
申请日：2024-03-27
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请涉及一种体二极管的脉冲电流试验条件确定方法、装置和设备。所述方法包括：根据体二极管的器件特性参数，确定参数信息中的目标电流幅值；基于目标电流幅值，确定体二极管在不同结温下的电压和体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息；根据体二极管在不同结温下的电压和体二级管在不同脉冲宽度下的电压信息，确定参数信息中的目标脉冲宽度；基于目标电流幅值和目标脉冲宽度，确定体二极管在不同占空比下的电压变化信息；根据体二极管在不同结温下的电压和体二极管在不同占空比下的电压变化信息，确定参数信息中的目标占空比。采用本方法能够为体二极管的脉冲电流试验提供明确的试验条件。
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公开(公告)号：CN117825840A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311801824.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00 , G06F18/24 , G06F18/213 , G06N3/0464 , G01R19/00
Abstract: 本申请涉及一种故障诊断方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取由待诊断逆变器输出的相电压信号构成的相电压序列；将相电压序列输入故障诊断网络，通过故障诊断网络对相电压序列进行卷积处理，得到卷积特征；对相电压序列进行反向注意力处理，得到反向注意力特征；基于卷积特征和反向注意力特征，确定加权参数；基于加权参数，将卷积特征和反向注意力特征进行加权求和，得到加权特征；基于加权特征进行分类处理，得到分类处理结果；将故障诊断网络输出的分类处理结果作为待诊断逆变器的故障诊断结果。采用本方法能够对待诊断逆变器的故障进行精确诊断。
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公开(公告)号：CN117310452A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311614828.1
申请日：2023-11-29
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种电磁信号泄露的确定方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：利用预设的密度聚类算法对多幅电磁辐射发射强度图像进行聚类处理，得到多个聚类结果；多幅电磁辐射发射强度图像为根据不同频率点下被测集成电路的发射强度确定的图像；针对每一类聚类结果，根据每一类聚类结果包括的电磁辐射发射强度图像，确定每一类聚类结果对应的被测集成电路发射电磁信号的实际频率；根据每一类聚类结果对应的工作模式和预设的对应关系，确定被测集成电路发射电磁信号的标准频率；根据实际频率和标准频率，确定被测集成电路是否存在电磁信号泄露。采用本方法能够提高确定集成电路是否存在电磁信号泄露的准确度。
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公开(公告)号：CN117199167A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311171509.8
申请日：2023-09-12
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种氮化镓器件结构装置及其制备方法。氮化镓器件结构包括：衬底；沟道层，位于衬底的表面；势垒层，位于沟道层远离衬底的表面；势垒层内具有凹槽，凹槽暴露出沟道层的部分表面；第一电极，位于沟道层远离衬底的表面，且位于势垒层的一侧；第二电极，位于沟道层远离衬底的表面，且位于势垒层远离第一电极的一侧；介质层，至少位于凹槽内；第三电极，位于介质层远离沟道层的表面。本发明通过在势垒层中形成凹槽，凹槽可以将沟道中的二维电子气耗尽，从而降低暗电流，降低功率损耗；同时，当氮化镓器件结构在紫外光照射下，耗尽的沟道中产生光生载流子，形成光电流，从而提高探测效率。
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