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公开(公告)号：CN102361443A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110323927.5
申请日：2011-10-21
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
摘要： 本发明公开了一种抗单粒子翻转可复位的扫描结构D触发器，目的是提高抗单粒子翻转可复位的扫描结构D触发器的抗单粒子翻转能力。它由时钟电路、扫描控制缓冲电路、复位缓冲电路、主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路组成；主锁存器由十八个PMOS管和十八个NMOS管组成，从锁存器由十二个PMOS管和十二个NMOS管组成，主锁存器和从锁存器均进行了双模冗余加固，且主锁存器和从锁存器中C2MOS电路结构均进行了改进，即分离互为冗余的C2MOS电路中的上拉电路和下拉电路。本发明抗单粒子翻转的扫描结构D触发器的抗单粒子翻转能力强，适合用于抗单粒子翻转加固集成电路的标准单元库，应用于航空、航天等领域。
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公开(公告)号：CN101958713A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010295620.4
申请日：2010-09-28
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
摘要： 本发明公开了一种基于三模冗余技术的SET加固差分压控振荡器，目的是将三模冗余技术应用到差分VCO电路，有效降低差分VCO对SET的敏感程度。本发明由三个延迟电路、两个表决电路组成；三个延迟电路和两个表决电路分别组成三个环路，两个表决电路的输出接回三个延迟电路对应的差分输入，强制三个环路的振荡相位达到一致；延迟电路由差分延迟单元链电路和两个信号整形电路组成；差分延迟单元链电路由N级差分延迟单元级联而成，第N级的差分延迟单元的OUT+连接第一信号整形电路的IN+和第二信号整形电路的IN-，第N级的差分延迟单元的OUT-连接第一信号整形电路的IN-和第二信号整形电路的IN+。本发明实现了三模冗余VCO，有效降低了VCO对SET的敏感程度。
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公开(公告)号：CN106230384B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610557605.X
申请日：2016-07-15
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： H03B5/12
摘要： 本发明公开了一种可编程的低噪声压控振荡器，包括偏置电路、数控电流舵组和电流控制振荡器；所述偏置电路与数控电流舵组连接，数控电流舵组与电流控制振荡器连接。本发明具有可有效抑制来自电源的噪声以及降低VCO内部噪声，提高振荡器的噪声性能，采用可编程调节的电流信号，使得电流控制振荡器可获得不同的增益，可以在具有相同调节电压的范围内获得更宽的输出频率调节范围，可提供具有更宽频率范围和更好抖动性的时钟信号等优点。
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公开(公告)号：CN105787213B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610200745.1
申请日：2016-04-01
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 一种保持时间违反的修复方法，首先从静态时序分析的结果中获取存在保持时间违反的路径起点、终点和违反值；然后选择保持时间违反路径的终点作为修复单元的待插入节点，每次修复在待插入节点插入一个缓冲单元或延时单元，以减少插入修复单元对其他路径时序的影响；其三，在插入修复单元的节点附近查找单元摆放的物理位置，通过移动设计中原有单元的位置以释放出修复单元所需的空间，并设定目标函数使得移动单元的总代价最小，对原设计的扰动较小；其四，生成相应的修复逻辑、摆放单元、移动单元位置的工程变更命令；最后，对修改过逻辑的连接关系进行重新布线，然后抽取寄生参数，进行静态时序分析确认保持时间修复完全。
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公开(公告)号：CN107241090A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710368033.5
申请日：2017-05-23
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： H03K19/003
摘要： 本发明公开一种具有抗单粒子效应功能的VCO偏置电路，包括负载电阻偏置模块以及尾电流电路偏置模块，负载电阻偏置模块通过第一开关管单元产生第一偏置电压输出给VCO环路中负载电阻，尾电流电路偏置模块通过第二开关管单元产生第二偏置电压，输出给VCO环路中尾电流电路、以及分别反馈给第一开关管单元、第二开关管单元。本发明具有抗单粒子效应功能，以及结构简单、所需成本低、抗辐照性强等优点。
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公开(公告)号：CN106876384A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710001744.9
申请日：2017-01-03
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0207
摘要： 本发明公开了一种用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法，目的是抑制单粒子瞬态。技术方案是先断开版图中的多晶和金属连接；将PMOS晶体管绕质心顺时针旋转90度，将NMOS晶体管绕质心逆时针旋转90度；将PMOS和NMOS晶体管相互靠近，将N阱接触向PMOS晶体管移动直至N掺杂与PMOS晶体管有源区接触，将衬底接触向NMOS晶体管移动直至P掺杂与NMOS晶体管有源区接触；将PMOS晶体管有源区向N阱接触有源区延伸直至两者接触，将NMOS晶体管有源区向衬底接触有源区延伸直至两者接触；将断开的连接恢复。采用本发明可以增强同一逻辑门内部PMOS和NMOS晶体管之间的电荷共享，削弱PMOS晶体管受到粒子轰击时所引发的寄生双极放大效应，具有很好的抗单粒子瞬态加固效果。
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公开(公告)号：CN106849646A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710201337.2
申请日：2017-03-30
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： H02M3/07
摘要： 本发明公开了一种具有抗辐照特性的低抖动电荷泵，包括电流镜单元、差分电路单元和推挽放大器，输入电流I通过所述电流镜单元产生偏置电流Iss1、Iss2，同时所述电流镜单元的输入端与所述推挽放大器的输入相连，经推挽放大器构成负反馈，为所述差分电路单元提供稳定的偏置电流。本发明具有结构简单、成本低廉、易实现、效果好等优点。
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公开(公告)号：CN103954933B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410176503.4
申请日：2014-04-29
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
摘要： 本发明公开了一种基于太赫兹波段的雷达信号处理方法，在基于太赫兹波段的雷达信号发射后，由天线阵列接收反射信号，反射信号输出到移相器，由移相器通过相位调制为同相位信号；所述移相器输出的信号输送至脉冲压缩器，经过脉冲压缩后产生主瓣幅值大的信号输出到数模转换器中，数模转换器将幅值大的脉冲信号转换为数字信号输出到数字信号处理器，供数据后处理。本发明具有原理简单、能够有效增大THz信号的传输距离、减轻数字信号处理压力、提高可靠性和精确性等优点。
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公开(公告)号：CN103825583B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310672227.6
申请日：2013-12-11
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： H03K3/3562
摘要： 本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可同步复位D触发器，目的是解决可同步复位D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。本发明由时钟电路、复位电路、主锁存器、从锁存器、第一和第二反向器电路、缓冲器电路组成。主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器。主锁存器和从锁存器前后串联，并均与时钟电路连接。主锁存器还与缓冲器电路、复位电路相连，从锁存器还与第一、第二反向器电路相连。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C2MOS电路提高了本发明抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，且双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
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公开(公告)号：CN103825584B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310674406.3
申请日：2013-12-11
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： H03K3/3562
摘要： 本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位和复位D触发器，目的是解决可置位和复位D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。本发明由时钟电路、复位缓冲电路、置位缓冲电路，主锁存器、从锁存器、输出缓冲电路和缓冲器电路组成。主锁存器和从锁存器均为冗余加固的锁存器。主锁存器和从锁存器前后串联，并均与时钟电路、复位缓冲电路、置位缓冲电路连接。主锁存器还与缓冲器电路相连，从锁存器还与输出缓冲电路相连。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C2MOS电路提高了抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
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