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公开(公告)号：CN106876383B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710001483.0
申请日：2017-01-03
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法，目的是解决针对轰击NMOS晶体管的单粒子瞬态加固技术面积开销较大的问题。技术方案是断开衬底接触、PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接；沿着栅极延伸方向移动NMOS晶体管有源区，使得NMOS晶体管有源区和N阱的间距达到半导体代工厂提供的设计规则规定的最小间距，将NMOS有源区移动的距离记为L；将栅极长度减小L，使得多晶硅超出NMOS有源区的长度与常规版图一致；恢复衬底接触、PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接。采用本发明加固后的集成电路版图在粒子轰击NMOS晶体管时，可以加快NMOS晶体管中粒子沉积电荷的释放，减小单粒子瞬态脉宽；且本发明仅涉及晶体管版图位置的改变，没有面积开销。
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公开(公告)号：CN106876384A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710001744.9
申请日：2017-01-03
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0207
摘要： 本发明公开了一种用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法，目的是抑制单粒子瞬态。技术方案是先断开版图中的多晶和金属连接；将PMOS晶体管绕质心顺时针旋转90度，将NMOS晶体管绕质心逆时针旋转90度；将PMOS和NMOS晶体管相互靠近，将N阱接触向PMOS晶体管移动直至N掺杂与PMOS晶体管有源区接触，将衬底接触向NMOS晶体管移动直至P掺杂与NMOS晶体管有源区接触；将PMOS晶体管有源区向N阱接触有源区延伸直至两者接触，将NMOS晶体管有源区向衬底接触有源区延伸直至两者接触；将断开的连接恢复。采用本发明可以增强同一逻辑门内部PMOS和NMOS晶体管之间的电荷共享，削弱PMOS晶体管受到粒子轰击时所引发的寄生双极放大效应，具有很好的抗单粒子瞬态加固效果。
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公开(公告)号：CN106876384B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201710001744.9
申请日：2017-01-03
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了一种用旋转晶体管抑制单粒子瞬态的纳米CMOS版图加固方法，目的是抑制单粒子瞬态。技术方案是先断开版图中的多晶和金属连接；将PMOS晶体管绕质心顺时针旋转90度，将NMOS晶体管绕质心逆时针旋转90度；将PMOS和NMOS晶体管相互靠近，将N阱接触向PMOS晶体管移动直至N掺杂与PMOS晶体管有源区接触，将衬底接触向NMOS晶体管移动直至P掺杂与NMOS晶体管有源区接触；将PMOS晶体管有源区向N阱接触有源区延伸直至两者接触，将NMOS晶体管有源区向衬底接触有源区延伸直至两者接触；将断开的连接恢复。采用本发明可以增强同一逻辑门内部PMOS和NMOS晶体管之间的电荷共享，削弱PMOS晶体管受到粒子轰击时所引发的寄生双极放大效应，具有很好的抗单粒子瞬态加固效果。
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公开(公告)号：CN106876383A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710001483.0
申请日：2017-01-03
申请人： 中国人民解放军国防科学技术大学
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/0207
摘要： 本发明公开了一种针对轰击NMOS晶体管无面积开销的单粒子瞬态加固方法，目的是解决针对轰击NMOS晶体管的单粒子瞬态加固技术面积开销较大的问题。技术方案是断开衬底接触、PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接；沿着栅极延伸方向移动NMOS晶体管有源区，使得NMOS晶体管有源区和N阱的间距达到半导体代工厂提供的设计规则规定的最小间距，将NMOS有源区移动的距离记为L；将栅极长度减小L，使得多晶硅超出NMOS有源区的长度与常规版图一致；恢复衬底接触、PMOS晶体管与NMOS晶体管之间的金属连接。采用本发明加固后的集成电路版图在粒子轰击NMOS晶体管时，可以加快NMOS晶体管中粒子沉积电荷的释放，减小单粒子瞬态脉宽；且本发明仅涉及晶体管版图位置的改变，没有面积开销。
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