公开(公告)号：CN101609799B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200910008929.8

申请日：2009-02-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松山昇一郎 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置以及计算机存储介质，能够抑制高腐蚀性处理气体的使用，并且精度良好地形成规定形状的图案。当以图案形成为规定形状的光致抗蚀剂层(102)作为掩模层，利用处理气体的等离子体，对在被处理基板上形成的多晶硅层(104)进行蚀刻时，使用至少含有CF3I气体的处理气体，以使等离子体中的离子向被处理基板加速的自偏压Vdc为200V以下的方式，向载置被处理基板的下部电极施加高频电力。

公开(公告)号：CN1828274B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610007747.5

申请日：2006-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸

IPC: G01N21/63 ,  H01L21/00 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供能够以高精度测量等离子体处理装置的等离子体中F密度的方法。本方法是对处理容器(10)内容纳的被处理体(W)进行等离子体处理的等离子体处理装置(1)的等离子体中F密度进行测量的方法，其使用至少含有O2气和惰性气体的处理气体，根据被处理体(W)表面的F游离基发光强度[F*]和惰性气体发光强度[惰性气体*]之比[F*]/[惰性气体*]，测量等离子体处理中的F密度。

公开(公告)号：CN100570818C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200710089425.4

申请日：2007-03-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸 ,  松井裕

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H05H1/00 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00

Abstract: 本发明公开了一种能够去除接地电极上的绝缘膜的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具有：含有处理空间的基板处理室，在该处理空间中，基板被进行等离子体处理；将射频电力施加到处理空间中的RF电极；将DC电压施加到处理空间中的DC电极；以及暴露于处理空间的接地电极。接地电极和RF电极彼此相邻，并且它们之间设有绝缘部，接地电极和RF电极之间的距离被设置在0至10mm的范围中。

公开(公告)号：CN100440449C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN03815028.X

申请日：2003-06-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山口智代 ,  布瀬晓志 ,  藤本究 ,  本田昌伸 ,  永关一也 ,  高明辉 ,  榎本隆 ,  伊藤弘治 ,  北村彰规

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312

Abstract: 一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H2的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。

公开(公告)号：CN100401471C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200610082631.8

申请日：2006-05-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田昌伸 ,  速水利泰

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/67 ,  C23C16/00 ,  C23C14/00 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

Abstract: 本发明提供以简单的构成能够容易地控制聚合物的附着量的等离子体处理室。等离子体处理室(10)具有覆盖容器(11)的内周面的圆筒状的侧壁构件(45)，电位控制装置(46)具有通过升降与侧壁构件(45)接触，或者不与侧壁构件(45)接触、接地的导通构件(47)，在RIE处理中，通过使导通构件(47)下降与侧壁构件(45)接触，将侧壁构件(45)的电位设定为接地电位，在灰化处理中，通过使导通构件(47)上升不与侧壁构件(45)接触，将侧壁构件(45)的电位设定为浮接电位。

公开(公告)号：CN119816921A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380066553.4

申请日：2023-09-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西冢哲也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供调节抗蚀剂膜的曝光灵敏度的技术。提供一种基片处理方法。该方法包括：工序（a），提供具有基底膜的基片（ST1）；和工序（b），在基底膜上形成含金属抗蚀剂膜（ST2）。工序（b）包括：工序（b1），在基底膜上形成含有金属的第一抗蚀剂膜（ST21）；和工序（b2），在第一抗蚀剂膜上形成以与第一抗蚀剂膜不同的组成比含有金属的第二抗蚀剂膜（ST22）。

公开(公告)号：CN119585842A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380054369.8

申请日：2023-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  小野健太 ,  中根由太 ,  西塚哲也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供了一种调节显影图案形状的技术。提供了基板处理方法。该方法包括：(a)在基板支撑部上提供具有底膜和底膜上的含金属抗蚀剂膜的基板的工序，含金属抗蚀剂膜包括第一区域和第二区域；和(b)对含金属抗蚀剂膜进行显影而从含金属抗蚀剂膜选择性除去第二区域的工序，(b)的工序包括：(b1)相对于第一区域以第一选择比除去第二区域的工序；和(b2)相对于第一区域以不同于第一选择比的第二选择比进一步除去第二区域的工序。

公开(公告)号：CN112640038B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN201980057338.1

申请日：2019-08-23

Applicant: 首选网络株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 中乡孝祐 ,  本木大资 ,  渡部正树 ,  小松智希 ,  茂木弘典 ,  本田昌伸 ,  加藤隆彦 ,  新关智彦

IPC: H01L21/00 ,  G06N3/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种用于提高制造工艺的仿真精度的学习装置。该学习装置包括：取得部，取得对象物的图像数据和关于针对所述对象物的处理的数据；以及学习部，向学习模型输入所述对象物的图像数据和关于所述处理的数据，并且以使所述学习模型的输出接近所述处理后的所述对象物的图像数据的方式，使所述学习模型进行学习。

公开(公告)号：CN111066129B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201980004391.5

申请日：2019-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065

Abstract: 蚀刻处理方法包括：准备化合物的步骤；和在存在所述化合物的环境下对蚀刻对象进行蚀刻的步骤。对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包含在该蚀刻对象含有氮化硅SiN时，在氢H和氟F存在的环境下蚀刻该蚀刻对象的步骤，且包含在该蚀刻对象含有硅Si时，在存在氮N、氢H和氟F的环境下蚀刻该蚀刻对象的步骤。该化合物含有构成比氟化氢HF强的酸的阴离子的元素，或者含有构成比氨NH3强的碱的阳离子的元素。

公开(公告)号：CN117813676A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202280052184.9

申请日：2022-07-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永关一也 ,  茂山和基 ,  桧森慎司 ,  本田昌伸 ,  照内怜

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；将由液体的介质或具有流动性的固体的介质中的至少任一者构成的传热介质经由上述基片支承部供给到该基片支承部的上述载置面与上述温度调节对象体的背面之间来形成传热层的步骤；对形成了上述传热层的上述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤；和在等离子体处理后，将上述温度调节对象体与上述载置面分隔开的步骤。