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公开(公告)号：CN108987233B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201810558220.4
申请日：2018-06-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、静电吸附方法和静电吸附程序，能够抑制聚焦环的吸附力的降低。在静电吸盘(25)的外周部(25b)载置聚焦环(30)，在内部以与聚焦环(30)相对地设置有电极板(29)。直流电源(28)在等离子体处理的期间中，对电极板(29)周期性地施加不同极性的电压，或者阶段性地施加绝对值大的电压。
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公开(公告)号：CN111095498A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004510.7
申请日：2019-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
Abstract: 提供一种载置台，其是用于载置被实施等离子体处理的基板的载置台，其中，该载置台具有：静电卡盘，其吸附被配置于所述基板的周边的边缘环和该基板；和供给孔，其用于向所述静电卡盘与所述边缘环之间供给热介质，在所述边缘环和所述载置台中的至少任一者设置有槽，所述槽不与所述供给孔连通。
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公开(公告)号：CN107887246B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201710838643.7
申请日：2017-09-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够防止异常放电的载置台和等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备该载置台。载置台(2)具备静电卡盘(6)、基材(2a)、气体用隔离件(204)以及销(31)。静电卡盘具有供晶圆(W)载置的载置面(21)和与载置面(21)相对的背面(22)，在载置面形成有第1贯通孔(17)。基材(2a)与静电卡盘(6)的背面(22)接合，形成有与第1贯通孔(17)连通的第2贯通孔(18)。气体用隔离件呈筒状，被插入于第2贯通孔(18)。销(31)被收容于第1贯通孔(17)和气体用隔离件(204)。销(31)与第1贯通孔(17)以及气体用隔离件(204)各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比气体用隔离件与销之间的间隙大。
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公开(公告)号：CN110379757A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910293463.4
申请日：2019-04-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐佐木康晴
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供静电卡盘、基板处理装置以及基板保持方法，在具有翘曲的基板被支承台保持的情况下提高基板与静电卡盘的密合性。一个实施方式所涉及的静电卡盘具备用于产生对基板进行吸附的静电力的多个电极以及用于载置基板的表面，多个电极的各个电极配置于沿径向和周向划分出的多个区域的各个区域。一个实施方式所涉及的基板处理装置具备：静电卡盘，其具备多个电极和用于载置基板的表面；以及控制装置，其控制对多个电极的各个电极施加直流电压的定时，其中，多个电极的各个电极通过被施加直流电压来产生用于对基板进行吸附的静电力，多个电极的各个电极配置于沿径向和周向划分出的多个区域的各个区域。
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公开(公告)号：CN109427534A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810995793.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明的目的在于提供一种容易进行被处理体从静电卡盘的脱离的脱离控制方法和等离子体处理装置。使被静电吸附于静电卡盘的被处理体脱离的脱离控制方法具有以下工序：在利用支承机构升起所述被处理体的期间，一边向静电卡盘的电极施加规定的静电电压一边使被处理体脱离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108155094A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711270773.1
申请日：2017-12-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H01L21/68742 , H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种抑制由贯通孔引起的异常放电的发生的等离子体处理装置。等离子体处理装置具有静电卡盘(6)和升降销(61)。静电卡盘(6)具有载置晶圆(W)的载置面(21)和与载置面(21)相对的背面(22)，在该静电卡盘(6)形成有贯通载置面(21)和背面(22)的销用贯通孔(200)。升降销(61)的至少一部分由绝缘性构件形成，该升降销(61)的前端收纳于销用贯通孔(200)，该升降销(61)通过相对于载置面(21)沿上下方向移动来沿上下方向搬送晶圆(W)。升降销(61)在与销用贯通孔(200)对应的前端部分具有导电膜(61c)。
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公开(公告)号：CN104120409B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410328055.5
申请日：2010-10-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种能够使基板的温度快速上升、并且能够减少热能的损失的基板载置台的温度控制系统。基座的制冷剂循环系统包括制冷剂供给装置、高温介质储存罐和第一阀组，该基座内置有加热器单元和热介质流路、且载置被实施等离子蚀刻处理的晶圆，上述制冷剂供给装置与热介质流路相连接而将温度比较低的制冷剂供给到热介质流路中，上述高温介质储存罐配置在热介质流路与制冷剂供给装置之间且用于储存温度比较高的高温介质，上述第一阀组配置在制冷剂供给装置与热介质流路之间、以及高温介质储存罐与热介质流路之间，在使基座的温度上升时，利用该第一阀组停止自制冷剂供给装置向热介质流路供给制冷剂、且自高温介质储存罐向热介质流路供给高温介质。
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公开(公告)号：CN102376530A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110239893.1
申请日：2011-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明提供基板处理装置和温度调节方法。基板处理装置包括设置空间较少、能够简化装置结构的温度调节部件。其包括：对基板实施等离子体处理的腔室(11)、在腔室内用于载置基板的基座(12)、以隔着处理空间(S)与基座相对的方式设置的喷淋头(14)、对处理空间施加高频电而使等离子体产生的高频电源(15)、在作为温度调节面的基座的表面(12a)的背面(12b)上形成水的润湿面的喷水装置(16)、将水的润湿面从周围的气氛隔离的蒸发室(17)、对蒸发室内的压力进行调整的压力调整装置(18、19)，其中，利用压力调整装置对蒸发室内的压力进行调整而使形成润湿面的水蒸发，利用水的蒸发潜热对基座的表面的温度进行控制。
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公开(公告)号：CN102041487A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010509463.2
申请日：2010-10-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种能够使基板的温度快速上升、并且能够减少热能的损失的基板载置台的温度控制系统。基座的制冷剂循环系统包括制冷剂供给装置、高温介质储存罐和第一阀组，该基座内置有加热器单元和热介质流路、且载置被实施等离子蚀刻处理的晶圆，上述制冷剂供给装置与热介质流路相连接而将温度比较低的制冷剂供给到热介质流路中，上述高温介质储存罐配置在热介质流路与制冷剂供给装置之间且用于储存温度比较高的高温介质，上述第一阀组配置在制冷剂供给装置与热介质流路之间、以及高温介质储存罐与热介质流路之间，在使基座的温度上升时，利用该第一阀组停止自制冷剂供给装置向热介质流路供给制冷剂、且自高温介质储存罐向热介质流路供给高温介质。
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公开(公告)号：CN101383314A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810146703.X
申请日：2008-08-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐佐木康晴
IPC: H01L21/683 , H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/00 , C23F4/00 , H01J37/32 , C23C16/458 , C23C16/46
CPC classification number: H01L21/68 , H01J2237/2001 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种被处理基板的温度控制性良好，没有在整个基板上拔热量在局部发生突变这样的异常点的基板载置台。在基板载置台的表面设置传热用气体的流入口和流出口，形成将基板载置台表面与基板之间的密闭空间作为流路的稳定的气流，在该流路中设置各种障碍物以调整气体的易流动性(流导)，在气体的流入口与流出口之间产生10Torr至40Torr的差压。由于气体的传热率与压力成正比，所以可利用该差压来调整被处理基板的温度分布。
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