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公开(公告)号：CN114496702A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111292982.2
申请日：2021-11-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够降低边缘环的更换频率、并且能够抑制传热气体的泄漏和颗粒的产生的边缘环和基片处理装置。边缘环是能够配置在被处理基片的周围的边缘环，其包括：由第一材料形成的环状的第一部件，该第一部件在内周侧的侧面下部具有第一倾斜部；和设置在第一部件的下部的环状的第二部件，其由与第一材料不同的第二材料形成，并具有与第一倾斜部相对的第二倾斜部。
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公开(公告)号：CN109427534B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810995793.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明的目的在于提供一种容易进行被处理体从静电卡盘的脱离的脱离控制方法和等离子体处理装置。使被静电吸附于静电卡盘的被处理体脱离的脱离控制方法具有以下工序：在利用支承机构升起所述被处理体的期间，一边向静电卡盘的电极施加规定的静电电压一边使被处理体脱离。
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公开(公告)号：CN111261511A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911220416.3
申请日：2019-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具备处理容器、下部电极、环状构件、内侧上部电极、外侧上部电极、处理气体供给部、第一高频供电部以及第一直流供电部。下部电极载置被处理基板。环状构件载置在下部电极的外周部上。内侧上部电极配置于下部电极的正对面。外侧上部电极以与内侧上部电极电绝缘的方式呈环状地配置于该内侧上部电极的径向外侧。第一高频供电部将用于生成处理气体的等离子体的第一高频施加于下部电极或内侧上部电极和外侧上部电极。第一直流供电部对外侧上部电极施加可变的第一直流电压。外侧上部电极的在处理空间中露出的面的至少一部分处于比内侧上部电极的在处理空间中露出的面靠上方的位置。
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公开(公告)号：CN112687511A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011056120.5
申请日：2020-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明中公开的等离子体处理装置的基板支撑器具有保持边缘环的静电卡盘。静电卡盘包括第1电极及第2电极。对基板执行第1等离子体处理期间，在第1及第2电极分别设定彼此相同的电位及彼此不同的电位中的一种电位。对基板执行第2等离子体处理期间，在第1及第2电极分别设定另一种电位。在生成等离子体的状态下，第1电极及第2电极各自的电位从一种电位切换成另一种电位。
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公开(公告)号：CN112447484A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010905300.X
申请日：2020-09-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 一种等离子体处理装置，其用于对在基板的边缘区域产生的倾斜形状的随时间的变化进行抑制。该等离子体处理装置包括：腔室；下部电极，用于在所述腔室内放置基板；边缘环，布置于所述下部电极的周围；部件，布置于在所述腔室内与所述下部电极相对的上部电极的周围；气体供给部，向所述部件与所述下部电极之间的处理空间供给处理气体；以及高频供电部，向所述下部电极或所述上部电极施加用于生成所述处理气体的等离子体的高频电力，其中，所述部件具有内侧部件、以及位于所述内侧部件的外侧的外侧部件，所述外侧部件在径向上相对于所述边缘环位于外侧，所述外侧部件的至少一部分能够根据所述边缘环的消耗而在上下方向上移动。
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公开(公告)号：CN117637431B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202311642146.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种清洁方法和等离子体处理装置，用于抑制对载置台的损伤，并且去除沉积于载置台的外周部的沉积物。清洁方法为等离子体处理装置中的载置台的清洁方法，包括进行分离的工序和进行去除的工序。在进行分离的工序中，使用升降机构来使载置台与基板分离。在进行去除的工序中，在进行分离的工序之后，通过从高频电源向载置台供给高频电力来生成等离子体，从而去除沉积于载置台的沉积物。另外，在进行分离的工序中，载置台与基板的分离距离设定为形成于载置台的外周部周边的合成阻抗比形成于载置台的中心部正上方的合成阻抗低。
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公开(公告)号：CN111261511B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201911220416.3
申请日：2019-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置具备处理容器、下部电极、环状构件、内侧上部电极、外侧上部电极、处理气体供给部、第一高频供电部以及第一直流供电部。下部电极载置被处理基板。环状构件载置在下部电极的外周部上。内侧上部电极配置于下部电极的正对面。外侧上部电极以与内侧上部电极电绝缘的方式呈环状地配置于该内侧上部电极的径向外侧。第一高频供电部将用于生成处理气体的等离子体的第一高频施加于下部电极或内侧上部电极和外侧上部电极。第一直流供电部对外侧上部电极施加可变的第一直流电压。外侧上部电极的在处理空间中露出的面的至少一部分处于比内侧上部电极的在处理空间中露出的面靠上方的位置。
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公开(公告)号：CN111146065A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911070184.8
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供载置台和基板处理装置。对边缘环与静电卡盘之间的相对的侧壁的间隙进行管理。提供一种载置台，该载置台具有：边缘环，其配置于基板的周围；静电卡盘，其具有载置所述基板的第1载置面和载置所述边缘环的第2载置面；以及具有伸缩性的构件，其配置于所述静电卡盘的所述第1载置面和所述第2载置面之间的侧面与所述边缘环的内径面之间，且是配置于低于所述第1载置面的位置。
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公开(公告)号：CN117637431A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311642146.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种清洁方法和等离子体处理装置，用于抑制对载置台的损伤，并且去除沉积于载置台的外周部的沉积物。清洁方法为等离子体处理装置中的载置台的清洁方法，包括进行分离的工序和进行去除的工序。在进行分离的工序中，使用升降机构来使载置台与基板分离。在进行去除的工序中，在进行分离的工序之后，通过从高频电源向载置台供给高频电力来生成等离子体，从而去除沉积于载置台的沉积物。另外，在进行分离的工序中，载置台与基板的分离距离设定为形成于载置台的外周部周边的合成阻抗比形成于载置台的中心部正上方的合成阻抗低。
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公开(公告)号：CN112885695A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202011307540.6
申请日：2020-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种清洁方法和等离子体处理装置，用于抑制对载置台的损伤，并且去除沉积于载置台的外周部的沉积物。清洁方法为等离子体处理装置中的载置台的清洁方法，包括进行分离的工序和进行去除的工序。在进行分离的工序中，使用升降机构来使载置台与基板分离。在进行去除的工序中，在进行分离的工序之后，通过从高频电源向载置台供给高频电力来生成等离子体，从而去除沉积于载置台的沉积物。另外，在进行分离的工序中，载置台与基板的分离距离设定为形成于载置台的外周部周边的合成阻抗比形成于载置台的中心部正上方的合成阻抗低。
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