-
公开(公告)号：CN119947209A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411965526.3
申请日：2024-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供了一种氧化镓功率器件及其制备方法，该制备方法通过将氧化镓衬底与器件衬底进行键合处理、退火处理之后，实现了氧化镓和器件衬底的异质集成，从而可以提升氧化镓功率器件的散热能力，之后通过对氧化镓异质结构进行开槽处理，显露部分器件衬底的表面，形成沟道结构，可以控制器件的开关，并可实现天然的增强型功率器件，提升氧化镓器件在模块和电路中的安全性；之后在沟道结构和氧化镓衬底上制备场板结构，能够提高器件的击穿电压、抑制电流崩塌、改善期间性能以及优化电场分布，从而基于异质集成得到了一种增强型、高导热的氧化镓功率器件。
-
公开(公告)号：CN116781033B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202310678398.3
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜和叉指换能器；其中，支撑衬底的声速不低于5000米/秒；高频声波谐振器的目标模式是由纵向电场激励产生的准体波模式；叉指换能器的厚度与叉指换能器的材料密度呈反比；目标模式的声速小于支撑衬底的声速。基于异质集成衬底，在简化声波谐振器结构的同时，降低欧姆损耗，提高高阶模式的机电耦合系数。
-
公开(公告)号：CN115274943B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210932216.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10H20/01 , H10H20/811 , H10H20/857
Abstract: 本发明涉及一种混合集成单光子LED器件的制备方法，包括步骤：S1依次在第一衬底上生长缓冲层、牺牲层和P‑I‑N结构，得到第一薄膜；S2沉积第一金属图案，并进行腐蚀或刻蚀，获得第二薄膜；S3对牺牲层进行湿法腐蚀或干法刻蚀，获得第三薄膜；S4拾起第三薄膜并翻转180°；S5在第二衬底上沉积第二金属图案；S6将第一金属图案与第二金属图案对准与接触，进行金‑金键合，得到第四薄膜；S7沉积第三金属图案，得到混合集成单光子LED器件。本发明的混合集成单光子LED器件的制备方法，利用金‑金键合方式解决了转移后的薄膜与衬底之间的粘附性不足的问题，且后续的电极工艺无需生长绝缘层，有效地简化了工艺流程。
-
公开(公告)号：CN119381252A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411509689.0
申请日：2024-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/02 , H01L21/223 , H01L21/306 , H10D84/03
Abstract: 本发明提供了一种阵列化的碳基半导体薄膜材料及其制备方法，首先将经离子注入的半导体晶圆和表面具有牺牲层的支撑衬底，沿牺牲层进行键合，随后对半导体薄膜层进行刻蚀处理，以使半导体薄膜层形成阵列化图案，得到阵列化的半导体薄膜层，以及通过刻蚀处理去除牺牲层，得到包含阵列化的半导体薄膜层和支撑衬底的半导体异质材料，再通过转印技术将阵列化的半导体薄膜层，从支撑衬底上转移至目标碳基衬底上，得到阵列化的碳基半导体薄膜材料。通过该方法可实现半导体与具有优良性能的碳基材料的异质集成，进一步释放半导体半导体材料在功率、射频等领域的应用潜力。
-
公开(公告)号：CN116599481B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202310682115.2
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种声波谐振器的制备方法及声波谐振器。通过利用同一种工艺制备得到两个压电结构；每个压电结构包括由下至上依次设置的支撑衬底和压电薄膜层；两个压电薄膜层的厚度的差值小于或者等于20％的预设压电薄膜层的厚度；预设压电薄膜层为两个压电薄膜层中较厚的压电薄膜层；对两个压电结构进行键合，得到键合结构；两个压电薄膜层位于键合结构的中层区域；去除键合结构中的任一个支撑衬底；在支撑衬底靠近保留的压电结构中的压电薄膜层的区域制备空腔，以使压电薄膜层悬空。本申请提供的该异质集成结构中的对称互补的压电薄膜能够抵消这两个压电薄膜层总体的内部应力，从而提高器件性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119254176A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411299391.1
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于异质集成压电衬底的声表面波单向发射结构，所述结构包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的金属电极和汇流条；位于所述压电薄膜下方的支撑衬底；其中，所述支撑衬底的慢剪切波的相速度大于激发的声表面波的相速度。对比传统的单向发射装置，本发明在相同的线宽制程下，可以覆盖的频率是传统单向发射器的两倍；更大的叉指换能器线宽意味着在相同的工作频率下，本发明可以承受更高的功率。
-
公开(公告)号：CN119227383A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411351418.7
申请日：2024-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本申请公开了一种声表面波谐振器的热仿真方法、装置及存储介质，所述方法包括：构建热仿真传热模型；获取热仿真传热模型中两个相邻的第一结构层以及第二结构层；计算建模厚度与实际厚度之间的比值；根据比值确定第一结构层与第二结构层之间的热流差异系数；根据热流差异系数以及第二结构层的第二热导率，确定第二结构层沿横坐标方向的横轴热导率公式以及第二结构层沿纵坐标方向的纵轴热导率公式；根据横轴热导率公式以及纵轴热导率公式，确定声表面波谐振器的稳态温度仿真结果。本申请得到的仿真结果可以随不同支撑衬底的建模厚度收敛，从而提高了热仿真结果的准确率。
-
公开(公告)号：CN119093899A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411261043.5
申请日：2024-09-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种声表面波谐振器、滤波器及通信设备。该声表面波谐振器包括压电薄膜；以及位于所述压电薄膜上的叉指换能器；所述叉指换能器包括两个汇流条和多个电极指；每个所述汇流条连接有多个所述电极指，且不同汇流条上的多个电极指沿第一方向交错排布；所述第一方向为所述汇流条的长度延伸方向；其中，所述两个汇流条中的至少一个汇流条为螺旋结构。从而可以提高该声表面波谐振器的机电耦合系数。
-
公开(公告)号：CN112688657B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202011560361.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及其制备方法，所述制备方法包括：提供一压电材料层；于压电材料层的至少部分上表面进行离子注入并后退火处理，以于压电材料层中预设深度处形成具有预设厚度的高缺陷密度损伤层；于压电材料层上表面形成至少一个暴露高缺陷密度损伤层的腐蚀窗口；基于腐蚀窗口去除至少部分高缺陷密度损伤层，以于压电材料层中形成空气隙；其中，空气隙将压电材料层分为压电衬底及压电薄膜，压电薄膜位于空气隙的上方，压电薄膜与压电衬底在空气隙的边缘处具有接触；于压电薄膜上表面形成图案化电极。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法，解决了现有声波谐振器无法满足5G通信需求的问题。
-
公开(公告)号：CN115332404B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202210933500.5
申请日：2022-08-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种混合集成量子光源LED器件的制备方法，包括步骤：S1在第一衬底上生长缓冲层、牺牲层和P‑I‑N结构，得到第一薄膜；S2在第一薄膜上沉积第一金属图案，并进行腐蚀或刻蚀，获得第二薄膜；S3在第一金属图案上加工出第二光刻胶图案，腐蚀或刻蚀掉牺牲层，获得第三薄膜；S4：拾起第三薄膜并翻转180°；S5在第二衬底上沉积第二金属图案；S6使第二光刻胶图案与第二衬底充分粘接，得到第四薄膜；S7：在第四薄膜上沉积第三金属图案，得到混合集成量子光源LED器件。本发明的混合集成量子光源LED器件的制备方法，将光刻胶作为粘结剂将薄膜紧密地转移到其他材料衬底上，避免其脱落，工艺更简单。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
382
records
(took 0.078 seconds)
