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公开(公告)号：CN112305671A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910676834.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于狭缝波导的锥形偏振分束器及制备方法，分束器包括锥形耦合器及偏振滤波器；锥形耦合器包括条形硅波导及狭缝波导，条形硅波导及狭缝波导在耦合长度方向上具有相反的宽度变化趋势；偏振滤波器包括串联在锥形耦合器的TE输出端的第一偏振滤波器及串联在锥形耦合器的TM输出端的第二偏振滤波器，第一偏振滤波器用以TE偏振态的传导，并将TM偏振态耦合到第一狭缝波导中；第二偏振滤波器用以过滤TE偏振态，并将TM偏振态的偏振模式从第二狭缝波导向第二条形硅波导转化。本发明器件可利用集成工艺制备，工艺简单且容差较大，尺寸较小，在较宽的波长范围内均可以实现较高的消光比，易于实现与其他器件的集成。
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公开(公告)号：CN112180502A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910600344.9
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件及其制造方法。该硅基光耦合结构包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的第一光栅结构和第一光波导结构，所述第一光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第一光栅结构和所述第一光波导结构在横向上连接；位于所述第一光栅结构的上方的第二光栅结构，所述第二光栅结构的条形刻痕分布于横向上，并且，所述第二光栅结构与所述第一光栅结构在纵向上对置；与所述第二光栅结构在横向上连接的第二光波导结构；以及覆盖所述第一光栅结构、所述第一光波导结构、所述第二光栅结构以及所述第二光波导结构的外包层。
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公开(公告)号：CN112180501A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910600341.5
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种硅基光耦合结构、硅基单片集成光器件及其制造方法。该硅基光耦合结构包括：第一凹槽部，其形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的衬底硅中；第一光波导结构，其形成于所述绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中；第二光波导结构，其在横向上与所述第一光波导结构连接，在横向的第一方向上延伸，并且，所述第二光波导结构位于所述第一凹槽部上方；以及贯通槽，其形成于所述第二光波导结构在横向的第二方向的两侧，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述贯通槽与所述第一凹槽部连通，其中，所述第二光波导结构的材料的折射率低于所述第一光波导结构的材料的折射率。本申请能够提高光场的耦合效率。
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公开(公告)号：CN111834486A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910243160.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/115 , H01L31/028 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种波导型GePb红外光电探测器及其制造方法。所述波导型GePb红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底表面的波导层和器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、吸收层和上接触层，所述吸收层的材料为Ge1-xPbx，其中，0
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公开(公告)号：CN110957360A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811133445.1
申请日：2018-09-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/267 , H01L21/335
Abstract: 本申请提供一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管及其制造方法，该硅基锗锡高电子迁移率晶体管包括：硅基衬底；位于所述硅基衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层为锗锡(GeSn)材料；以及位于所述沟道层上的间隔层，势垒层和盖层，所述间隔层，势垒层和盖层为III-V族半导体材料，其中，所述间隔层与沟道层的界面形成二维电子气，所述势垒层与栅电极连接，所述盖层与源电极和漏电极连接。根据本实施例,能够提高晶体管的高速性能，并且，GeSn容易与Si基集成电路制造技术集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110954998A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811134139.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明提供一种激光器与硅光芯片集成结构及其制备方法，激光器与硅光芯片集成结构包括：激光器芯片，所述激光器芯片包括第一波导；硅光芯片，所述硅光芯片包括第二波导，所述第二波导及所述第一波导将所述激光器芯片发出的光以倏逝波耦合的方式耦合至所述硅光芯片内。本发明制备的激光器与硅光芯片集成结构中激光器中的第一波导与硅光芯片中的第二波导通过倏逝波耦合的方式将激光器发出的光耦合至所述硅光芯片内，相比于现有技术中的端面耦合，本发明的耦合方式对倒装焊过程中的对准精度要求更低，即使在对准有误差的实际工艺条件下，仍然具有较高的耦合效率。
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公开(公告)号：CN110896115A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811062635.9
申请日：2018-09-12
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/113 , H01L31/0312 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电晶体管、红外探测器和光电晶体管的制作方法。该光电晶体管包括栅极堆栈；设置于栅极堆栈一侧的有源层；设置于有源层远离栅极堆栈一侧的抗反层；其中，有源层包括沟道区，以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区；其中，有源层的材料为锗锡合金。本发明提供的技术方案通过形成上述光电晶体管结构，并设置有源层的材料为锗锡合金，可使光电晶体管具有较高的灵敏度，且光电晶体管结构简单。
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公开(公告)号：CN112305671B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201910676834.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于狭缝波导的锥形偏振分束器及制备方法，分束器包括锥形耦合器及偏振滤波器；锥形耦合器包括条形硅波导及狭缝波导，条形硅波导及狭缝波导在耦合长度方向上具有相反的宽度变化趋势；偏振滤波器包括串联在锥形耦合器的TE输出端的第一偏振滤波器及串联在锥形耦合器的TM输出端的第二偏振滤波器，第一偏振滤波器用以TE偏振态的传导，并将TM偏振态耦合到第一狭缝波导中；第二偏振滤波器用以过滤TE偏振态，并将TM偏振态的偏振模式从第二狭缝波导向第二条形硅波导转化。本发明器件可利用集成工艺制备，工艺简单且容差较大，尺寸较小，在较宽的波长范围内均可以实现较高的消光比，易于实现与其他器件的集成。
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公开(公告)号：CN118050855A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211429170.2
申请日：2022-11-15
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种片上波分复用器件及其设计方法，所述片上波分复用器件通过多个定向耦合器将具有不同宽度和长度的波导的马赫泽德单元互相连接，形成波分复用器件，使得光信号在每一个马赫泽德单元传输的波导臂中形成相位差对工艺不敏感，从而增加了波分复用器件对工艺误差的不敏感程度，最终提高了波分复用光路的性能；所述设计方法基于马赫泽德单元的中心波长和预设马赫泽德单元中两种宽度不同波导的宽度，最终确定满足该中心波长和预设宽度不等的两种波导的长度，并基于上述两种波导的宽度和长度的马赫泽德单元，构建出符合中心波长的对工艺不敏感的波分复用器件，提高波分复用器件的性能和良率。
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公开(公告)号：CN118033813A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211425114.1
申请日：2022-11-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于双尖端锥形耦合结构的端面耦合器及制作方法，包括埋氧层、波导层及包层，波导层包括在第一方向上依次且间隔排列的第一至第三波导组，第一波导组包括在第二方向上依次连接的第一波导及第二波导，按照上述连接方式，第二波导组包括第三波导及第四波导，第三波导组包括第五波导及第六波导，第二方向垂直于第一方向，第二波导组的输入端与第一波导组及第三波导组的输入端在第二方向上错开预设距离，第四波导为直波导，其他波导为锥形波导，第一波导、第三波导、第五波导的宽度在第二方向上逐渐增大，第二波导、第六波导的宽度在第二方向上逐渐减小。本发明的端面耦合器在降低偏振依赖性的同时，降低器件的插入损耗，提高耦合效率。
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