公开(公告)号：CN101471176A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200710305450.1

申请日：2007-12-28

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 吴邦豪 ,  蔡丽端 ,  李明林 ,  郑丞良

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/005 ,  H01G4/008 ,  H01G13/00 ,  H05K1/02 ,  H05K1/16 ,  H05K3/42

Abstract: 本发明公开了一种贯通孔电容器及其制造方法。该贯通孔电容器至少包含一个基板、一层正极层、一层介电层、一层第一负极层及一层第二负极层。上述基板具有数个贯通孔，且于至少一贯通孔的内表面有正极层，且至少一贯通孔内正极层的表面为多孔结构。介电层则位于正极层的多孔结构上。至于第一负极层是覆盖于介电层的表面，第二负极层是覆盖于第一负极层的表面，其中第二负极层的电导率大于第一负极层的电导率。当此通孔的负极层作为信号传输时，此结构电容又可当成阻抗匹配结构使用。

公开(公告)号：CN101345131A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200710136038.1

申请日：2007-07-13

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 魏昌琳 ,  徐钦山 ,  蔡承桦 ,  李明林 ,  赖信助

IPC: H01G4/005 ,  H01G9/04 ,  H01G2/06 ,  H05K1/18 ,  H05K3/30

Abstract: 本发明提供一种指插状电容器，该指插状电容器包含一第一指状电极结构，具有一第一电极及由前述第一电极延伸复数个第一延伸电极，且前述复数个第一延伸电极是排列设置；以及第二指状电极结构，具有一第二电极及由前述第二电极延伸复数个第二延伸电极，且前述第二延伸电极是排列设置，而前述第二指状电极结构交互穿插于前述第一指状电极结构；其中两相邻的前述第一延伸电极及第二延伸电极延伸至少一第一耦合电极，且前述至少一第一耦合电极置于前述第一延伸电极及第二延伸电极之间。本发明的指插状电容器，可依基板绕曲方向而调整耦合电极的数目及形状，进而达到电容特性更稳定且具有较少电气特性变异的功效。

公开(公告)号：CN100452373C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200510130233.4

申请日：2005-12-14

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 许永昱 ,  郑智元 ,  廖锡卿 ,  李明林 ,  谭瑞敏 ,  范荣昌

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种集成电路的接合结构及其制造方法，用以接合一第一基板与一第二基板，该接合结构包括有：一第一垫片，附着于该第一基板上；多个第一柱状物，以一第一密度形成于该第一垫片上；一第二垫片，附着于该第二基板上；以及多个第二柱状物，以一第二密度形成于该第二垫片上；其中，该多个第一柱状物与该多个第二柱状物互相穿插以接合该第一基板与该第二基板。本发明还能够与导电性材料制成的纤维组织做连接，并且此接合结构不需任何热固性高分子做补强的动作即可保有可挠的特质，具有高可靠度。

公开(公告)号：CN2515804Y

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：CN02201420.9

申请日：2002-01-11

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 何宗哲 ,  李明林 ,  张慧如 ,  赖信助

IPC: H01L23/58

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种具低切换噪声的构装结构,应用于集成电路芯片的封装,利用一芯片电容与一芯片直接接合,该芯片电容为一利用多层电极层配合高介电常数的绝缘材质所形成的电容结构,且每一电极层都具有连接至表层的I/O连接垫,不同电位的电极层其I/O连接垫互相分隔,本实用新型集成电路构装结构能提供更好的噪声过滤效果,有效降低切换噪声。