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公开(公告)号：CN112926259A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110167067.4
申请日：2021-02-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于RBF神经网络模型预测半导体器件结温的方法，包括：确定半导体器件的环境温度和功耗；将所确定的环境温度和功耗输入至预先训练完成的RBF神经网络模型，以使该RBF神经网络模型输出所述半导体器件的结温；其中，所述RBF神经网络模型是基于预先构建的数据集所训练获得的；所述数据集包括：通过有限元分析法所获得的、在多种仿真条件下器件模型的结温；所述器件模型为所述半导体器件的仿真模型，每种所述仿真条件对应一种预设的环境温度和一种预设的功耗。本发明能够简单、高效、快速以及精确地预测半导体器件结温。
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公开(公告)号：CN109037333B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201710445261.8
申请日：2017-06-12
Applicant: 中兴通讯股份有限公司 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管自下而上依次包括：漏极金属、N+衬底、N‑漂移层、P阱、结型场效应管JFET区域、N+源区、P+接触区、复合栅介质、源极金属和栅极，所述复合栅介质由High‑K介质与SiO2介质横向分布构成。本发明由High‑K介质与SiO2介质的横向分布构成复合栅介质，降低了SiC MOSFET界面陷阱的密度，提升了沟道迁移率，提高了器件的正向导通能力，以减小功率损耗，此外，本发明采用淀积的方式生长复合栅介质的氧化层，使得氧化层的生长速度得到提高，从而降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN112566230A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011282046.9
申请日：2020-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于功率分配的无线携能接收机资源分配方法，包括：获得无线携能通信系统的传播损耗；设定用于能量收集的功率分配因子，并获得所述功率分配因子与平均收集能量、能量效率及服务中断概率的关系；通过所述功率分配因子与平均收集能量、能量效率及服务中断概率的关系衡量系统性能，确定所述功率分配因子的取值。该方法通过选择合理的功率分配因子，将接收机接收的信号按照一定比例分别分配给能量接收机和信息接收机，用以进行能量收集和信息解调，既可以考虑到能量，又可以考虑到速率，达到两者之间的权衡。
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公开(公告)号：CN112038394A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010724996.6
申请日：2020-07-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种能够提高阈值电压稳定性的MOSFET的制备方法，包括：在N+衬底层的上表面生长N-漂移层；在N-漂移层的上表面进行铝离子注入形成第一P阱和第二P阱；在第一P阱内和第二P阱内分别进行氮离子注入形成第二N+源区；在第一P阱内和第二P阱内分别进行铝离子入形成第二P+接触区；然后在此基础上生长N+纳米薄层，将N+纳米薄层进行氧化形成栅氧化层；在栅氧化层表面淀积多晶硅形成多晶硅栅；在多晶硅栅的上表面淀积第一金属形成源电极；在N+衬底层的背面淀积第二金属形成漏电极。此方法可避免能够提高阈值电压稳定性的MOSFET淀积二氧化硅时的离子注入工艺引起的阈值电压漂移问题。
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公开(公告)号：CN112009281A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010933267.1
申请日：2018-11-22
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种电动公交车无人自动充电平台的操作方法，涉及新能源汽车技术领域，包括防雨棚、充电桩、充电组件以及停车平台，所述充电桩安装于防雨棚的一侧，所述充电组件安装于防雨棚的底面，所述充电组件包括充电电极、充电座、横向电机、丝杠、丝杠螺母、定位板以及收纳腔，本发明结构简单，可操作性强，充电稳定性好，采用可移动式的充电组件，可以根据不同工况的需要及时调整充电电极所处的位置，同时，在不使用时，也能收至收纳腔内，减少外界环境对其造成的影响，同时也能减少触电危险，整个充电过程无需人工手动操作，且停车方便，误差小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111799338A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010734362.9
申请日：2020-07-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种沟槽型SiC JBS二极管器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、N-外延层、P+注入区和阳极，两个所述P+注入区之间设置有沟槽结构，在沟槽结构两侧与P+注入区之间分别设有N+掺杂区；本发明在两个P+注入区之间的肖特基接触面下方设置有沟槽结构，沟槽的引入可以增大肖特基接触面积，同时减小寄生电阻，降低了导通电阻，使器件更容易开启，在沟槽结构的基础上，进行N+掺杂，进一步减小导通电阻，提升器件特性。
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公开(公告)号：CN111755521A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010490793.5
申请日：2020-06-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件，包括：N+衬底区、N-外延区、P-阱区、N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、栅极，源极和漏极，其中，第二P+注入区与第一P+注入区间隔设置且深度一致，第一P+注入区内设置有第一沟槽，第二P+注入区内设置有第二沟槽，栅极的深度大于P-阱区的深度，小于第一P+注入区的深度，源极与N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区的界面为欧姆接触，源极与N-外延区的界面为肖特基接触。本发明的器件，在器件内集成的肖特基二极管结构中，引入沟槽结构，使得第一P+注入区和第二P+注入区的深度增加，有效降低了肖特基二极管的阻断泄漏电流，提升了器件的抗雪崩能力。
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公开(公告)号：CN107863939B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201711100448.0
申请日：2017-11-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种低功耗反馈型功率放大电路，包括输入匹配网络、功率单元、偏置网络、反馈网络、限流旁路单元、输出匹配网络以及射频扼流圈，其中，输入匹配网络电连接至功率单元的基极，功率单元的集电极分别电连接至输出匹配网络和射频扼流圈；功率单元的集电极还电连接至反馈网络的第一输入端；反馈网络的输出端分别电连接至功率单元的基极和限流旁路单元；偏置网络电连接至反馈网络的第二输入端。本实施例通过设置反馈网络和限流旁路单元，限制了功率单元的电流，降低直流功耗，并对功率单元进行温度补偿和偏置抑制，提高了电路线性度。
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公开(公告)号：CN109638563B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201811397929.7
申请日：2018-11-22
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01R13/631 , H01R13/703 , B60L53/16
Abstract: 本发明公开了一种自动对位充电连接装置，涉及新能源汽车技术领域，包括直线导轨、滑块、导引板以及充电组件，所述滑块滑动连接于直线导轨上，滑块的下端通过连接件与导引板连接，导引板的前端设有条形槽，所述充电组件安装于条形槽内，本发明通过设置条形槽以及充电组件，省去了传统的充电线+充电头的充电结构，利用导引板和车自身的动力完成充电接头的自动对位和联接，实现自动充电。
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公开(公告)号：CN107658337B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710852545.9
申请日：2017-09-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/22 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：选取4H‑SiC衬底；在所述4H‑SiC衬底上生长N型Ga2O3外延层；在所述N型Ga2O3外延层中制作源区和漏区；在所述源区与所述漏区的表面制作电极以完成源极与漏极的制备；在所述N型Ga2O3外延层上制作栅极以完成所述晶体管的制备。本发明提供的高电子迁移率自旋场效应晶体管，采用N型Ga2O3材料作为源极、漏极以及沟道材料，极大地提高了自旋注入和接收的效率，从而提高了器件的性能。
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