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公开(公告)号：CN112864149A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110024135.1
申请日：2021-01-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于静电防护技术领域，提供一种用于ESD保护的低压单向/双向SCR器件；相较于传统静电防护器件，本发明采用新型结构设计使得器件的辅助触发通路(正向/反向)包含3个N+/P‑WELL二极管，进而使得器件的直流阻塞能力得到增强，从而获得比传统静电防护器件更低的漏电流、更低的静态功耗、以及更加稳定的寄生电容值，获得更好的静电防护效果；相较于现有用于ESD保护的低功耗双向SCR器件，本发明采用新型结构设计能够避免器件结构中潜在的PNPN串通现象，使得低压双向SCR器件在工作电压为1.5V时不会出现漏电流陡增现象，即本发明器件在1.5V以上、1.8V以下的工作电压时依然能够实现有效的、较低功耗的ESD保护。
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公开(公告)号：CN109166961B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201810944474.X
申请日：2018-08-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明技术领域,具体涉及一种PVDF阵列式柔性压电传感器的图形化刻蚀方法。本发明采用雕刻图形化的加工工艺,无需掩模版，可以同时进行大规模可控化制备，通过串并联结构设计，拓展器件工作能力与应用范围。现有的制备工艺中，由于多次溶液刻蚀会对PVDF上的铝膜造成不可逆的损害，使图形化成品率差；而使用离子刻蚀的机器成本高昂，本发明通过改进PCB蓝膜工艺，最终解决了成本和成品品质兼得的工艺方法。
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公开(公告)号：CN111045275A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN202010008437.5
申请日：2020-01-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G02F7/00
Abstract: 本发明属于光通信的信号处理技术领域，具体涉及一种基于分级量化原理的光子模数转换系统及方法，包括锁模激光器、第一光分束器、第一电光调制器、第二电光调制器、第三电光调制器、信号发生器、第一直流电源、第二直流电源、第三直流电源、第二光分束器、第三光分束器、第四光分束器、粗量化模块和细量化模块。本发明提出的一种基于分级量化原理的光子模数转换系统及方法，和传统光子模数转换系统相比，该方案利用粗-细两级量化的方式，在等数量MZM的基础上实现了量化级数的指数次增长，从而极大提升了模数转换系统的比特精度，同时该系统具有结构简单、易集成等特点。
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公开(公告)号：CN107731811B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201710795123.2
申请日：2017-09-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体提供一种用于ESD防护的依靠纵向BJT触发的SCR器件。本发明依靠纵向BJT触发的SCR器件(VBTSCR)在传统LSCR器件基础上引入了一条额外的触发通路：通过在第一种导电类型阱区内引入ESD注入层，构成一个纵向结构的基区浮空NPN晶体管；ESD注入层为一种中等掺杂浓度的P型掺杂区，其掺杂浓度介于漏/源重掺杂有源区浓度和阱区掺杂浓度之间；纵向结构的基区浮空NPN晶体管的共发射极集电结雪崩击穿电压BVCEO很小，将其用作SCR的触发器件，可实现SCR器件触发电压的大幅降低，从而实现对先进纳米工艺下的电路提供有效ESD防护。
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公开(公告)号：CN110571214A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910801709.4
申请日：2019-08-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电放电(ESD：Electro-Static discharge)保护电路的设计，尤指一种通过二极管通路、三极管通路、SCR通路共同触发可控硅整流器的结构；具体为一种多触发通道的可控硅整流器结构；相比于传统的二极管单触发通路，本发明结构多了三极管触发通路和SCR触发通路，极大的降低了触发电阻、有效的增大了触发电流、降低了触发电压，从而具有更快的开启速度；当ESD事件发生时，能够有效的泄放ESD脉冲电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110323207A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910561291.4
申请日：2019-06-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/544 , H01L27/02
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，提供了一种用于低压防护的新型SCR器件；该结构与传统的LVTSCR结构相比，增加了一条静态电压检测电路，该电路在ESD事件发生后首先开启，然后给新型SCR器件的栅极充电，寄生NMOS沟道开启，促使SCR通路提前导通；同时通过调整电压检测电路的器件类型和个数，能够实现触发电压可调节的功能；触发电压可调节的功能使该新型SCR器件适用于多种不同工作电压的电路的ESD防护。
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公开(公告)号：CN109884839A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910308729.8
申请日：2019-04-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G02F7/00
Abstract: 本发明提出了一种基于非对称数字编码方案的光子模数转换系统及方法，飞秒脉冲激光器提供脉冲光源，由第一光分束器分为两路并行采样脉冲源，分别在两个电光调制器上完成对模拟射频信号的采样，同时通过直流电源调节电光调制器的静态偏置电压实现系统所需的相移。第一调制器的输出经第二分束器分为K束信号，通过光电探测器对第二分束器和第二调制器的输出信号进行光电转换，由比较器阵列进行阈值判决，最后由组合逻辑模块将比较器输出转换为二进制码。本发明所述转换系统通过增加比较阈值的方法，在不增加调制器数量的基础上可以显著提高系统的比特精度，使普通的电光调制器可以应用到光子模数转换系统中，结构简单、易于操作。
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公开(公告)号：CN109828421A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910243149.5
申请日：2019-03-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G02F7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于强度调节和差分编码技术的光子模数转换方法及系统，采用两个同步飞秒脉冲激光器提供不同中心频率的脉冲光源，脉冲信号经波分复用后作为采样脉冲源，后经电光调制器对模拟射频信号采样，经延时后，光信号经解复用器分为两路不同波长的光信号，并分别经分束器分为n路信号，其中一个分束器经衰减器阵列改变输出信号强度。输出光信号经耦合器阵列处理后由光电探测器作光电转换，最终经比较器阵列进行阈值判决，判决结果即为模拟信号量化后的输出。避免了调制器级联结构中存在的信号同步和响应一致性问题，简化了系统结构和对光电器件的依赖性；利用光强度调节来实现系统传递函数的相移，避免了传统相移操作的不稳定性。
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公开(公告)号：CN106206569B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201610659301.4
申请日：2016-08-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子技术领域，提供一种一种基于埋层触发的低触发电压双向SCR器件，用以降低双向SCR器件的触发电压。本发明双向SCR器件包括1个主器件、主器件两侧的n个、m个触发器件构成，触发器件为二极管器件，相邻近触发器件之间串联；所述主器件在基本双向SCR结构中的第一种导电类型阱区A和第一种导电类型阱区C内分别设置一个第一种导电类型重掺杂区，将基本双向SCR中仅起隔离作用的封闭的第一种导电类型重掺杂埋层与两侧外部触发二极管串相连，构成了“埋层+二极管串”的低电压触发通道，从而降低双向SCR器件触发电压；同时，能够通过调节触发器件数量实现触发电压可调；本发明还有效提高了器件的开启速度。
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公开(公告)号：CN109166961A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810944474.X
申请日：2018-08-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明技术领域,具体涉及一种PVDF阵列式柔性压电传感器的图形化刻蚀方法。本发明采用雕刻图形化的加工工艺,无需掩模版，可以同时进行大规模可控化制备，通过串并联结构设计，拓展器件工作能力与应用范围。现有的制备工艺中，由于多次溶液刻蚀会对PVDF上的铝膜造成不可逆的损害，使图形化成品率差；而使用离子刻蚀的机器成本高昂，本发明通过改进PCB蓝膜工艺，最终解决了成本和成品品质兼得的工艺方法。
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