公开(公告)号：CN116916739A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310259674.2

申请日：2023-03-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  五十岚孝行

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开涉及半导体器件。施加有第一电位的电感器被与电感器连接的第一布线围绕，并且与施加有与第一电位不同的第二电位的第二布线连接的焊盘被设置在第二布线外部，使得第一布线被第二布线围绕。

公开(公告)号：CN115377210A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210472083.9

申请日：2022-04-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小清水亮 ,  中柴康隆

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的栅极电介质膜、形成在栅极电介质膜上的栅极电极、与栅极电极一体形成的场板部、与场板部接触的阶梯电介质膜、以及高电介质常数膜，该高电介质常数膜与阶梯电介质膜接触并且具有高于硅的电介质常数。

公开(公告)号：CN106373975B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201610423517.0

申请日：2016-06-15

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 绵贯真一 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/15

Abstract: 本发明提供一种具有硅波导的光的传播特性不会发生劣化的中介层的半导体器件。中介层(IP1)具有例如沿着x方向配置的多个相同的功能块(MD)，该功能块(MD)具有搭载有半导体芯片的第一区域(R1)、搭载有发光元件芯片的第二区域(R2)、搭载有受光元件芯片的第三区域(R3)以及多个硅波导(PC)。而且，第二区域(R2)以及第三区域(R3)配置于第一区域(R1)与中介层(IP1)的沿着x方向的第一边之间。另外，多个硅波导(PC)配置于第二区域(R2)以及第三区域(R3)与上述第一边之间，并从第二区域(R2)以及第三区域(R3)向上述第一边延伸，没有形成于在x方向上彼此相邻的功能块(MD)之间。

公开(公告)号：CN105388560B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201510520035.2

申请日：2015-08-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 国岛浩之 ,  中柴康隆 ,  若林胜 ,  绵贯真一 ,  小泽健 ,  宇佐美达矢 ,  山本悦章 ,  坂本圭司

IPC: G02B6/12

Abstract: 本发明涉及一种光学半导体器件。提供了可防止在光学半导体器件中电信号的质量降低的技术。在与电信号传输线的延伸方向垂直的横截面中，电信号传输线被包括第一噪声截止布线、第二插塞、第一层布线、第一插塞、屏蔽半导体层、第一插塞、第一层布线、第二插塞和第二噪声截止布线的屏蔽部包围，屏蔽部被固定到参考电位。由此，屏蔽部阻挡由于源自半导体衬底的磁场或电场的作用而导致的影响电信号传输线的噪声。

公开(公告)号：CN109975925A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811612795.6

申请日：2018-12-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中柴康隆 ,  绵贯真一

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13

Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。一体形成了与微型光学器件形成在同一层上的光波导和尺寸大不相同的光斑尺寸转换器。半导体器件具有用作光斑尺寸转换器的光波导部分。光波导部分包括在厚度方向上穿透层间绝缘层的多个光波导本体。

公开(公告)号：CN109959988A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811553671.5

申请日：2018-12-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 绵贯真一 ,  中柴康隆

IPC: G02B6/122 ,  G02F1/025

Abstract: 本公开涉及半导体器件。在绝缘层之上形成两个光波导以及被设置为覆盖光波导的绝缘膜。经由与上述绝缘膜不同的绝缘膜，在绝缘膜上方形成两个布线和加热器金属线。后一个绝缘膜薄于前一个绝缘膜，并且具有的折射率高于前一个绝缘膜的折射率。来自两个光波导中任一个的泄露光可以被抑制或防止被两个布线、加热器金属线等中的任一个反射，以通过利用两个绝缘膜的折射率之间的差再次朝向两个光波导行进。

公开(公告)号：CN108931859A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810124748.0

申请日：2018-02-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 绵贯真一 ,  中柴康隆 ,  若林胜

IPC: G02F1/025

CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02F2001/212 ,  G02F2201/063 ,  G02F1/025

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，实现内置有硅光调制器的半导体器件的小型化。半导体器件具有光调制器，该光调制器将第1光波导路、相位调制部(PM)、第2光波导路依次连接，沿第1方向(Y)对光进行引导，其中，相位调制部具有：半导体层(SL)，其由单晶硅构成，第1方向上的长度(L1)比与第1方向正交的第2方向(X)上的宽度(W1)大；芯部(CR)，其是形成于半导体层的光波导区域，沿第1方向延伸；一对板部(SB)，其在第2方向上配置于芯部的两侧；第1电极(Mp)，其与一个板部连接；和第2电极(Mn)，其与另一个板部连接。并且，芯部具有沿第1方向延伸的p型半导体区域和n型半导体区域，第2方向与半导体层的晶体取向 一致。

公开(公告)号：CN104111132B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201410155975.1

申请日：2014-04-17

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 秋山丰 ,  中柴康隆

IPC: G01L1/20

Abstract: 本发明的目的在于抑制当环境温度改变时可以引起的由压力传感器检测到的数值的误差。半导体衬底具有第一导电类型。半导体层形成在半导体衬底的第一表面之上。每个电阻部件都具有第二导电类型，并且形成在半导体层中。电阻部件相互间隔开。隔离区域是形成在半导体层中的第一导电类型的区域，并且将电阻部件相互电隔离开。凹陷部分形成在半导体衬底的第二表面中，并且当平面地观察时凹陷部分与电阻部件重叠。半导体层是外延层。

公开(公告)号：CN107731815A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710365767.8

申请日：2017-05-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 内田慎一 ,  中柴康隆

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/423 ,  H01L23/64

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5226 ,  H01L28/10 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/42356

Abstract: 本发明涉及半导体装置，使半导体装置所具备的电感器的特性提高。具备由半导体基板(SB)、半导体基板(SB)上的BOX层(BX)以及BOX层(BX)上的半导体层(SL)构成的SOI基板、形成于SOI基板的主面的上方的多层布线以及由多层布线构成的电感器(IN)。并且，在位于电感器(IN)的下方的区域中，BOX层(BX)以及半导体层(SL)通过元件分离部(STI)隔成多个区域，在多个区域各自的半导体层(SL)上，隔着虚设栅极绝缘膜(DI)设置有虚设栅极电极(DG)。

公开(公告)号：CN103681601B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201310410095.X

申请日：2013-09-06

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 桥本隆介 ,  内田慎一 ,  中柴康隆 ,  根本敬继

IPC: H01L23/522 ,  G01R15/18

Abstract: 为了抑制电感器引起的噪声向外界泄漏并且也被配置为使得磁场强度改变到达电感器。电感器在平面图中包围内部电路并且也电耦合到内部电路。上屏蔽部分覆盖电感器的上侧，并且下屏蔽部分覆盖电感器的下侧。通过使用多层布线层来形成上屏蔽部分。上屏蔽部分具有多个第一开口。第一开口在平面图中与电感器重叠。