-
公开(公告)号：CN119364820A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411878132.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅MOSFET及其制备方法和用电器，涉及半导体技术领域。碳化硅MOSFET包括：依次层叠的漏极、N型衬底和N型外延层；所述N型外延层背离所述N型衬底的一侧表面包括：依次分布的第一区域、第二区域和第三区域；N型电流扩展层，位于所述N型外延层的所述第二区域上；P型埋层，位于所述N型外延层的所述第一区域和所述第三区域上；栅极多晶硅层，位于所述第三区域的所述P型埋层上，并延伸进入所述N型电流扩展层内；源极多晶硅层，位于所述第一区域的所述P型埋层上，并延伸进入所述N型电流扩展层内；包含所述N型电流扩展层的沟道二极管。本申请可以降低碳化硅MOSFET反向导通时的导通压降。
-
公开(公告)号：CN119361562A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411374833.4
申请日：2024-09-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/14 , H01L23/15 , H01L23/492 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例提供了一种直接键合铜基底、绝缘栅双极晶体管封装模块及制备工艺，直接键合铜基底可以包括：第一覆铜层；陶瓷层，一面与第一覆铜层的一面连接，陶瓷层添加有增韧物质；第二覆铜层，一面与陶瓷层的另一面连接。通过在陶瓷层添加增韧物质来对陶瓷层进行增韧，从而避免绝缘栅双极晶体管封装模块因为陶瓷层开裂而失效的问题。
-
公开(公告)号：CN119317165A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411239611.1
申请日：2024-09-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶体管及制作方法、装置、电子设备及介质，通过在晶体管的第一面设置栅极沟槽，晶体管的第二面设置辅助沟槽，且辅助沟槽设置在与栅极沟槽相对应的位置，辅助沟槽和栅极沟槽之间形成第一浮空区。通过本发明实施例，实现了通过辅助沟槽形成浮空区，进而能够优化晶体管中的电流路径，从而改善电场集中效应，提升功率器件的可靠性，避免限制功率器件在更高电场电压下的应用。
-
公开(公告)号：CN119044717A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411197082.3
申请日：2024-08-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种智能功率模块的测试电路和方法，所述测试电路包括主回路、上桥集成电路、下桥集成电路、自举电路和第一绝缘栅双极晶体管，主回路包括第一电容、负载电感、第二绝缘栅双极晶体管和第三绝缘栅双极晶体管，下桥集成电路用于控制第三绝缘栅双极晶体管的工作状态，上桥集成电路用于控制第二绝缘栅双极晶体管的工作状态，通过控制时序将第一绝缘栅双极晶体管、第二绝缘栅双极晶体管和第三绝缘栅双极晶体管依次导通和断开，能够模拟实现智能功率模块在应用过程中突然遇到短路或浪涌电流等突发情况，实现了测试智能功率模块中的绝缘栅双极晶体管在工作过程中遇到浪涌电流，并在承受浪涌电流的过程中进行关断的能力。
-
公开(公告)号：CN118425772B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410868085.9
申请日：2024-07-01
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: G01R31/34
Abstract: 本发明实施例提供了一种无感电机的测试方法、装置、电子设备及介质，应用于电机技术领域，包括：响应于用户在可视化界面的操作，确定目标测试工况信息；目标测试工况信息包括环境配置信息、供电配置信息，以及启动模式配置信息；根据环境配置信息控制无感电机所在的模拟测试环境；在模拟测试环境下，根据供电配置信息控制对无感电机的供电，并根据启动模式配置信息控制无感电机的启动；获取无感电机在目标测试工况信息下的启动情况，并将在目标测试工况信息下的启动情况反馈至可视化界面，实现了对无感电机的启动性能的测试，通过对测试环境、供电、启动模式的控制模拟不同测试工况，提升了对无感电机启动测试的准确性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118824964A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410812380.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H02M1/00 , H01L25/07 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种智能功率模块、控制器以及家用电器，涉及半导体技术领域。本发明包括功率芯片组、第一框架以及第二框架，第二框架位于第一框架的下方。功率芯片组的功率芯片分散安装在所述第一框架上和所述第二框架的上端面上。第二框架设置有第一裸露区域，以将第一裸露区域作为高压直流电输入端，与印刷电路板形成电性连接。从而可以通过双层框架将热量大的功率芯片分层设置，一部分功率芯片产生的热量可以通过顶部的塑封体进行散发，另一部分功率芯片产生的热量，通过第二框架的金属裸露区域传递到印刷电路板上进行散发。从而增加了智能功率模块的散热路径，提高散热效率，并提高智能功率模块的产品适用性。
-
公开(公告)号：CN117316980A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311349288.9
申请日：2023-10-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种沟槽栅MOSFET的元胞结构、制备方法以及沟槽栅MOSFET。该元胞结构包括：第一导电类型的第一半导体层、第一埋层和第一源极层，第二导电类型的第二半导体层，栅极和沟槽；第二半导体层形成在第一半导体层上部，沟槽和第一埋层均形成在第二半导体层内；沟槽呈环形结构，在环形方向上，沟槽的至少部分下方设有第一埋层，第一埋层与沟槽和第一半导体层相接触；栅极形成在沟槽内；第一源极层形成在第二半导体层位于沟槽围成区域的上部。元胞结构形成深P型结，该深P型结可以有效解决沟槽栅MOSFET沟槽拐角处的高击穿电场对栅氧损伤的问题，从而保证设有该元胞结构的沟槽栅MOSFET的可靠性。
-
公开(公告)号：CN116978784A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310945231.9
申请日：2023-07-28
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种IGBT器件及其元胞结构、元胞结构的制作方法，方法包括：制作第一型漂移区；在第一型漂移区的第一面上制作第一型掺杂柱区和第二型掺杂柱区；在第一型掺杂柱区和第二型掺杂柱区上制作基区、发射极区和多晶硅栅极；在第一型漂移区的与第一面相背的第二面上，制作重掺杂缓冲区和轻掺杂缓冲区，其中，重掺杂缓冲区和轻掺杂缓冲区同层设置；在重掺杂缓冲区和轻掺杂缓冲区背向第一型漂移区的一侧制作集电极区。将缓冲层制作成掺杂浓度不同的重掺杂缓冲区和轻掺杂缓冲区，重掺杂缓冲区可以实现抑制电场的作用，使得IGBT器件的耐压不受影响；轻掺杂缓冲区则能够有效改善载流子复合率，从而提升电流密度，有效优化器件开关特性和导通特性。
-
公开(公告)号：CN116169107A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310276849.0
申请日：2023-03-20
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/40 , H01L23/367 , H01L23/495 , H01L23/49
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，本申请公开一种IGBT模组组件、功率器件及电子器件。包括IGBT芯片及电路板，IGBT芯片包括主体及多个引脚，多个引脚沿主体的周侧间隔设置，引脚包括第一连接部及第二连接部，第一连接部与主体电连接，第连接部与第一连接部之间具有折弯角度，多个第二连接部均沿在同一平面内延伸。与现有技术相比，可方便用于对多个引脚的折弯高度及折弯角度进行控制，提高装配效率，可有效提高IGBT芯片与其他电路元件之间电连接的稳定性。
-
公开(公告)号：CN115132576A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210790583.7
申请日：2022-07-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/266 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L27/02 , H01L29/739
Abstract: 本申请提供了一种用于RC‑IGBT离子注入的掩膜结构以及其制作方法。用于RC‑IGBT离子注入的掩膜结构包括本体层和开设在本体层的多个开口，任意两个相邻的开口的中心点之间的间距相等。本方案中，通过将RC‑IGBT离子注入的掩膜结构的开口设计成均匀分布排列，使得各个开口之间的区域可以承担引导区的作用，不需要额外的引导区，因此，RC‑IGBT离子注入的掩膜结构不需要与RC‑IGBT的正面结构进行对准，从而该掩膜结构不受芯片面积的约束，可在多种面积IGBT的使用，进而解决现有技术中RC‑IGBT离子注入的掩膜结构不能适用不同面积的芯片的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
124
records
(took 0.033 seconds)
