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公开(公告)号：CN119390344A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411435774.7
申请日：2024-10-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C03C1/02
Abstract: 本发明公开了一种白炭黑制备高纯合成石英砂的方法。该方法包括步骤：S1，将白炭黑在氢氟酸和盐酸的混合酸液中浸泡后取出固体并清洗、干燥，得到高纯SiO2粉末；S2，高温处理高纯SiO2粉末，去除其中残留的水分和羟基基团；S3，将步骤S2处理产物破碎成粉末后压制成块体；S4，将步骤S3得到的块体经两步煅烧法进行致密化热处理，首先加热到较低温度t1保温较短时间，然后升温至较高温度t2保温较长时间，冷却后得到高致密石英块；t1选自1100～1200℃，t1保温时间为1～2h；t2选自1300～1500℃，t2保温时间为2～10h；S5，将高致密石英块破碎，得到高致密度的高纯石英砂。
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公开(公告)号：CN117861859A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311806147.5
申请日：2023-12-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种石英砂反浮选组合药剂及其应用，属于石英砂加工技术领域，该石英砂反浮选组合药剂按照重量份数计，包括如下组份：十二酰胺1‑1.5份，异羟肟酸2‑3份，非离子表面活性剂1‑1.5份；异羟肟酸可与伴生矿物表面杂质金属离子螯合，附着于矿粒表面并使其疏水，此外，十二酰胺与异羟肟酸发生静电吸附，导致十二酰胺穿插吸附，并结合异羟肟酸未配对的矿粒螯合位点，提高伴生矿物捕获效率，达到高效反浮选石英砂的目的；本发明还公开了一种利用所述的石英砂反浮选组合药剂进行石英砂反浮选的方法；本发明提供的石英砂反浮选组合药剂以及石英砂反浮选方法具有操作安全系数高、环境友好、浮选效果好的优点。
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公开(公告)号：CN117405737A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311190969.5
申请日：2023-09-15
Applicant: 浙江大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种检测直拉单晶硅中实际掺杂剂含量的方法，包括：测试晶棒去除头尾后的总长度；测试距离晶棒头部多个位置处的电阻率；假定晶棒中所含的掺杂剂种类和各自的掺杂总量，根据分凝公式模拟晶棒在不同位置处的有效掺杂量并拟合出电阻率分布；将模拟的电阻率分布曲线与实际测试的电阻率分布曲线进行拟合，通过不断修正各种掺杂剂的初始掺杂总量，使两条曲线尽可能重合，最终得到的各自掺杂剂初始掺杂总量即为实际的总掺杂量。最后将得到的各种掺杂剂的总掺杂量代入各自的分凝公式中，得到直拉单晶硅沿轴向不同位置处的掺杂剂的实际含量。该方法仅需对晶棒进行电阻率测试和数据拟合，无需繁琐复杂的化学制样与表征分析，方法简便快捷。
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公开(公告)号：CN113964223B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202111201864.6
申请日：2021-10-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种抑制切割边缘漏电的晶体硅太阳能电池片、电池组件及其制备方法，制备过程中，采用经过清洗和制绒的p型或n型硅片，在硅片正面形成pn结之后，在将要进行激光划片的硅片中线附近区域内先形成一层掺杂类型与硅片基体相同的扩散前驱体层，然后通过退火、激光处理、电流注入或离子注入等方式将该区域覆盖的发射极的掺杂类型转变为与硅片基体相同，最后经过电池工艺形成电池片。利用本发明，获得的半片电池的切割边缘将不存在pn结，避免了切割边缘pn结漏电引起的电学性能损失，从而可以获得更高转换效率的半片电池及更高输出功率的太阳能电池组件。
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公开(公告)号：CN113964222B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202111201762.4
申请日：2021-10-15
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种低漏电的晶体硅太阳能电池片、电池组件及其制备方法，属于太阳能电池领域；制备过程中，采用经过清洗和制绒的p型或n型硅片，在硅片正面的中线区域设置pn结阻挡层，在硅片正面的剩余区域设置pn结；所述硅片正面的中线区域与激光切割划片的区域对应。本发明中，pn结阻挡层将该区域内的p区和n区分隔开，从而避免了激光划片后裸露的pn结区引起的漏电，从而经过切割后可以获得更高转换效率的小片电池及更高输出功率的太阳能电池组件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115394656A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210931656.X
申请日：2022-08-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物膜及高性能钙钛矿太阳电池的制备方法，该方法利用相关金属单质膜直接通过快速热处理氧化形成氧化物膜，该氧化物膜可以应用在钙钛矿太阳能电池中；具体地，通过利用快速热处理将金属单质完全氧化形成氧化物电子传输层，从而形成高质量且可以在多种基底上生长，该方法还特别适用于往大面积器件方向拓展，利用该传输层获得光电转换效率、短路电流提高的钙钛矿太阳能电池。本发明中利用上述快速热处理形成的电子传输层来制备钙钛矿太阳电池的方法工艺简单有效，对于制备大面积、低成本的钙钛矿太阳电池具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN115321544A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210917720.9
申请日：2022-08-01
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B33/12
Abstract: 本发明公开了一种高纯石英砂的超声波震荡‑电吸附清洗方法和提纯工艺。本发明使用超纯水作为高纯石英砂的处理液，并利用超声波震荡辅助分离石英砂表面的金属离子、带电粒子，与此同时，通过电吸附技术将溶液中的金属离子、带电粒子等吸附到两侧的电极上，从而实现高效去除高纯石英砂表面附着杂质的目的，解决了现有石英砂提纯工艺中杂质残留致使石英砂纯度难以提高的问题。本发明提供的高纯石英砂提纯工艺利用超声波震荡清洗配合电吸附技术，可以有效清除在浮选、酸浸工艺后残留在石英砂表面的金属阳离子及带电粒子，配合后续的高温脱羟和高温氯化工艺，可实现4N8以及5N的高纯石英砂的制备。
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公开(公告)号：CN113594368A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110661417.2
申请日：2021-06-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带隙钙钛矿活性层的制备方法，通过在第一步制备卤化铅层的同时引入卤化铯盐，通过调节制备参数使其优先形成少量的全无机铯铅卤钙钛矿，第二步覆盖卤化甲脒甲胺混合盐制备形成钙钛矿活性层，解决了由于宽带隙钙钛矿Br含量增加，使得钙钛矿容易相分离的问题，从而大幅度提高了宽带隙钙钛矿太阳电池的性能和稳定性，同时，提高了高性能宽带隙钙钛矿太阳电池制备的重复性。本发明还提供了一种基于宽带隙钙钛矿活性层的太阳电池制备方法，所涉及的器件结构从下至上分别为透明导电玻璃、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极层，利用本发明，极大地促进了低成本宽带隙钙钛矿太阳电池在叠层电池里的应用及商业化。
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公开(公告)号：CN111564523B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010235305.6
申请日：2020-03-30
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/04
Abstract: 本发明公开了一种抑制多晶硅太阳电池在高温下光致衰减的方法，包括：(1)将导电金属板放置在加热设备上，温度设置成120～200℃；(2)待导电金属板的温度稳定后，将多晶硅太阳电池放置在导电金属板上，反向连接恒流电压源，然后打开恒流电压源，调节电压为1～2V，进行反向偏压处理5～15分钟；(3)待反向偏压处理完后，取下电池，将加热设备的温度设置成200～320℃；(4)待导电金属板的温度稳定后，将多晶硅太阳电池放置在导电金属板上，正向连接恒压电流源；然后打开恒压电流源，调节电流为10～20A，进行正向大电流处理，10～20分钟后得到所需的多晶硅太阳电池。本发明方法的处理时间短，可以有效抑制PERC结构多晶硅太阳电池在较高温度下的光致衰减。
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公开(公告)号：CN110323127B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201910482155.6
申请日：2019-06-04
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用PEALD在硅衬底上生长石墨烯的方法，将干净硅衬底置于反应室中进行PEALD循环，每个循环包括步骤：(1)进行碳源或辅助源吸附；所述碳源选自苯系物、甲烷中的至少一种；所述辅助源为含氧有机物；(2)清洗吸附后的硅衬底，进行等离子体脉冲；(3)清洗等离子体脉冲后的硅衬底。本发明可在硅衬底上大面积生长石墨烯，与目前硅基半导体技术良好的相容性。本发明通过使用含氧小分子促进生长，一方面作为小分子碳弥补了空位型缺陷，减小了反应后的缺陷峰D峰，另一方面氧元素的参与促进了生长过程中苯的脱氢过程，减少了成膜后的皱褶大小，提高硅衬底上原子层沉积生长大面积生长石墨烯的质量。
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