公开(公告)号：CN110335805A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201910482131.0

申请日：2019-06-04

Applicant: 浙江大学

Inventor： 余学功 ,  黄琨 ,  丛靖昆 ,  杨德仁

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种用于石墨烯原位生长的硅片表面处理方法，包括步骤：(1)将干净的硅片浸入氢氟酸水溶液中，然后取出硅片，用去离子水冲洗后吹干；(2)将吹干后的硅片浸入苯酚衍生物的醇溶液中，然后取出硅片，用无水醇溶剂漂洗后吹干，得到用于石墨烯原位生长的硅片。本发明通过在洁净硅表面使用苯酚衍生物进行悬挂键钝化，一方面减小了硅片表面的接触角，另一方面给石墨烯的生长提供了成核位点，处理后的硅衬底可原位制备大面积石墨烯。本发明方法过程简单，效果明显。

公开(公告)号：CN110323127B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201910482155.6

申请日：2019-06-04

Applicant: 浙江大学

Inventor： 余学功 ,  丛靖昆 ,  黄琨 ,  杨德仁

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种利用PEALD在硅衬底上生长石墨烯的方法，将干净硅衬底置于反应室中进行PEALD循环，每个循环包括步骤：(1)进行碳源或辅助源吸附；所述碳源选自苯系物、甲烷中的至少一种；所述辅助源为含氧有机物；(2)清洗吸附后的硅衬底，进行等离子体脉冲；(3)清洗等离子体脉冲后的硅衬底。本发明可在硅衬底上大面积生长石墨烯，与目前硅基半导体技术良好的相容性。本发明通过使用含氧小分子促进生长，一方面作为小分子碳弥补了空位型缺陷，减小了反应后的缺陷峰D峰，另一方面氧元素的参与促进了生长过程中苯的脱氢过程，减少了成膜后的皱褶大小，提高硅衬底上原子层沉积生长大面积生长石墨烯的质量。

公开(公告)号：CN110323127A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910482155.6

申请日：2019-06-04

Applicant: 浙江大学

Inventor： 余学功 ,  丛靖昆 ,  黄琨 ,  杨德仁

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种利用PEALD在硅衬底上生长石墨烯的方法，将干净硅衬底置于反应室中进行PEALD循环，每个循环包括步骤：(1)进行碳源或辅助源吸附；所述碳源选自苯系物、甲烷中的至少一种；所述辅助源为含氧有机物；(2)清洗吸附后的硅衬底，进行等离子体脉冲；(3)清洗等离子体脉冲后的硅衬底。本发明可在硅衬底上大面积生长石墨烯，与目前硅基半导体技术良好的相容性。本发明通过使用含氧小分子促进生长，一方面作为小分子碳弥补了空位型缺陷，减小了反应后的缺陷峰D峰，另一方面氧元素的参与促进了生长过程中苯的脱氢过程，减少了成膜后的皱褶大小，提高硅衬底上原子层沉积生长大面积生长石墨烯的质量。