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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117888205A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311779218.7
申请日：2023-12-22
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种重掺磷直拉硅片的内吸杂工艺，属于半导体技术领域。所述内吸杂工艺包括：(1)将重掺磷直拉硅片置于保护气氛下在1100～1280℃条件下高温预处理20～120min，冷却至室温得到预处理硅片；(2)将预处理硅片置于保护气氛下在550～950℃条件下进行低温普通热处理。本发明提供的内吸杂工艺仅依赖重掺磷硅片内部的磷浓度，通过形成SiP沉淀进行内吸杂，可以有效地解决重掺磷硅片氧沉淀难以形成或氧沉淀内吸杂结构吸杂能力较弱的问题，可以在较低的热预算下形成具有良好吸杂能力的内吸杂结构。相比传统的氧沉淀吸杂结构，本发明与集成电路的工艺兼容性更好，能够极大的缩短热处理时间，减少企业成本。
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公开(公告)号：CN115394656A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210931656.X
申请日：2022-08-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物膜及高性能钙钛矿太阳电池的制备方法，该方法利用相关金属单质膜直接通过快速热处理氧化形成氧化物膜，该氧化物膜可以应用在钙钛矿太阳能电池中；具体地，通过利用快速热处理将金属单质完全氧化形成氧化物电子传输层，从而形成高质量且可以在多种基底上生长，该方法还特别适用于往大面积器件方向拓展，利用该传输层获得光电转换效率、短路电流提高的钙钛矿太阳能电池。本发明中利用上述快速热处理形成的电子传输层来制备钙钛矿太阳电池的方法工艺简单有效，对于制备大面积、低成本的钙钛矿太阳电池具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN115394656B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210931656.X
申请日：2022-08-04
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物膜及高性能钙钛矿太阳电池的制备方法，该方法利用相关金属单质膜直接通过快速热处理氧化形成氧化物膜，该氧化物膜可以应用在钙钛矿太阳能电池中；具体地，通过利用快速热处理将金属单质完全氧化形成氧化物电子传输层，从而形成高质量且可以在多种基底上生长，该方法还特别适用于往大面积器件方向拓展，利用该传输层获得光电转换效率、短路电流提高的钙钛矿太阳能电池。本发明中利用上述快速热处理形成的电子传输层来制备钙钛矿太阳电池的方法工艺简单有效，对于制备大面积、低成本的钙钛矿太阳电池具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN111733455B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010878896.9
申请日：2020-08-27
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/04 , H01L29/167
Abstract: 本发明提供一种共含锗和氮杂质的原生单晶硅片，所述的原生单晶硅片包含锗、氮、氧三种杂质，其中锗浓度的范围为2200‑10000ppma，氮浓度的范围为10‑90 ppba，氧浓度的范围为10‑18ppma。与现有技术相比，本发明提供一种全新的解决方案，首次实现了对原生单晶硅片中COPs的有效控制，即和普通原生硅片相比，本发明制得的原生单晶硅片同时具有尺寸减小、数量减少的特点，甚至本发明制得的原生单晶硅片表面及内部完全不含COPs，可以直接用于集成电路，基本避免了热处理的弊端，对集成电路制造具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111733455A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010878896.9
申请日：2020-08-27
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/04 , H01L29/167
Abstract: 本发明提供一种共含锗和氮杂质的原生单晶硅片，所述的原生单晶硅片包含锗、氮、氧三种杂质，其中锗浓度的范围为2200-10000ppma，氮浓度的范围为10-90 ppba，氧浓度的范围为10-18ppma。与现有技术相比，本发明提供一种全新的解决方案，首次实现了对原生单晶硅片中COPs的有效控制，即和普通原生硅片相比，本发明制得的原生单晶硅片同时具有尺寸减小、数量减少的特点，甚至本发明制得的原生单晶硅片表面及内部完全不含COPs，可以直接用于集成电路，基本避免了热处理的弊端，对集成电路制造具有重要意义。
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