公开(公告)号：CN118010499A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410172274.2

申请日：2024-02-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 马向阳 ,  陈昊 ,  吴德凡 ,  聂群霖 ,  杨德仁

IPC: G01N3/08 ,  G01N3/02

Abstract: 本发明公开了一种用于表征硅片室温断裂强度的装置及应用，属于材料性能测试技术领域。所述装置包括放置硅片的加载台、对硅片施压的加载杆和套设于加载杆外围的透明防护罩，加载台固定安装在重型双轨滑台模组的滑块上，运动控制器驱动滑块沿竖直方向移动；加载杆末端焊接有加载球，与加载台对应设置，加载台相对于加载球的相对静止运动对硅片加压，与加载杆连接力学传感器模块记录测试硅片受到的压力；防护罩与加载台适配，工作时罩住加载台。本发明设计巧妙，机械操作方便，且装备成本低，稳定性和可靠性好，具有良好的实用性和可扩展性，是一种能在室温下实现可靠断裂强度表征的装置。

公开(公告)号：CN117888205A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311779218.7

申请日：2023-12-22

Applicant: 浙江大学

Inventor： 马向阳 ,  吴德凡 ,  赵统 ,  陈昊 ,  杨德仁

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明公开了一种重掺磷直拉硅片的内吸杂工艺，属于半导体技术领域。所述内吸杂工艺包括：(1)将重掺磷直拉硅片置于保护气氛下在1100～1280℃条件下高温预处理20～120min，冷却至室温得到预处理硅片；(2)将预处理硅片置于保护气氛下在550～950℃条件下进行低温普通热处理。本发明提供的内吸杂工艺仅依赖重掺磷硅片内部的磷浓度，通过形成SiP沉淀进行内吸杂，可以有效地解决重掺磷硅片氧沉淀难以形成或氧沉淀内吸杂结构吸杂能力较弱的问题，可以在较低的热预算下形成具有良好吸杂能力的内吸杂结构。相比传统的氧沉淀吸杂结构，本发明与集成电路的工艺兼容性更好，能够极大的缩短热处理时间，减少企业成本。