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公开(公告)号:CN107611277B
公开(公告)日:2019-01-29
申请号:CN201710946831.1
申请日:2017-10-12
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于水溶液处理的氧化镧空穴注入层有机发光器件,所述器件的空穴注入层由水溶液处理的La2O3制备而成。另外,还公开了该器件的制备方法,所述方法至少包括如下步骤:(1)以硝酸镧六水合物和氨水为原料,采用共沉淀法制备La2O3纳米粉体颗粒;(2)将La2O3纳米粉体颗粒溶解在去离子水中,形成浓度为0.2wt%的La2O3悬浮液,然后对La2O3悬浮液过滤得到La2O3过滤液;(3)在ITO阳极玻璃基片上通过旋涂工艺旋涂La2O3过滤液形成La2O3薄膜,所述La2O3过滤液中的La浓度为0.01 mg/mL—0.03 mg/mL。本发明所述器件能有效的调节载流子的平衡,提高发光效率,同时器件的空穴注入层具有与MoOx空穴注入层几乎相当的空穴注入能力。
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公开(公告)号:CN108947530A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201810908551.6
申请日:2018-08-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/622 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3286 , C04B2235/602 , C04B2235/656 , C04B2235/6567
Abstract: 本发明公开了一种石榴石结构低介电透明RexGd3‑xAl3Ga2O12微波陶瓷及其制备方法,该微波陶瓷组成通式为RexGd3‑xAl3Ga2O12,其中0≤x≤0.065,Re为Nd和Er中的一种。制备时先采用传统固相合成法合成RexGd3‑xAl3Ga2O12粉体,再将合成的粉体与5%聚乙烯醇PVA按照0.5mL:10g的比例混合,烘干,研磨成粉末;最后将粉末压制成陶瓷坯体,在1580~1650℃保温15~60小时制成。本发明制备的石榴石结构低介电透明微波陶瓷,其介电常数(εr)介于9.7~10.3,品质因子与谐振频率乘积(Q.f)介于1600~5100GHz,谐振频率温度系数(Tcf)介于‑25~‑80ppm/℃,表明本发明成功制备出一种石榴石结构低介电透明微波陶瓷。这种微波陶瓷可用于制造微波介质元器件如滤波器、谐振器、介质基板等,特别是需要可视化透明窗口的信息通讯和集成电路中。
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公开(公告)号:CN108623302A
公开(公告)日:2018-10-09
申请号:CN201810670156.9
申请日:2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/626 , C04B41/00
CPC classification number: C04B35/475 , C04B35/626 , C04B41/0072 , C04B2235/3267 , C04B2235/3279 , C04B2235/442 , C04B2235/94 , C04B2235/95
Abstract: 本发明公开了一种无铅压电纳米阵列及其制备方法,材料组成为:0.9Bi0.5Na0.5TiO3-0.1Bi2(Mn4/3Ni2/3)O3。通过Bi0.5Na0.5TiO3和A位纯Bi的Bi2(Mn4/3Ni2/3)O3铁电体复合,结合固相烧结及热处理技术,生长纳米阵列,其中纳米线长度在2-10μm,直径为60-800nm,工艺简单,产率高,成本低廉,适合大规模工业生产。
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公开(公告)号:CN108516823A
公开(公告)日:2018-09-11
申请号:CN201810668010.0
申请日:2018-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01L41/187
CPC classification number: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/6567 , H01L41/1871 , H01L41/1873 , H01L41/1878
Abstract: 本发明公开了一种具有大压电应变及压光性能的无铅铁电陶瓷材料及其制备方法,该陶瓷材料组成为:0.9(Bi0.5Na0.5)0.689(Ba0.5Ca0.5)0.3Pr0.01Gd0.001TiO3-0.1Ca2Ta2O7。用微波快速烧结制得,产品经实验测量,具有非常优异的压电应变性及压光特性,最大压电应变系数 =353pm/V,在1000N应力下发光波长612nm,制备工艺简单,成本低廉,适合大规模工业生产。
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公开(公告)号:CN107068884A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201710218783.4
申请日:2017-04-05
Applicant: 桂林电子科技大学 , 电子科技大学中山学院
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0037 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种高效率紫外有机电致发光器件及其制备方法。所述紫外有机电致发光器件至少包括空穴注入层,所述空穴注入层所用材料是掺杂了MoOx的PEDOT:PSS,其中x=2~3。所述制备方法包括:将MoOx粉末溶解在纯水中,按质量百分比配置成浓度为0.1%~0.2%的MoOx水溶液,将该MoOx水溶液与PEDOT:PSS按质量比(1~3):(1~4)配成PEDOT:PSS+MoOx混合溶液,在ITO阳极上旋涂上述PEDOT:PSS+MoOx混合溶液制备空穴注入层。采用掺杂MoOx的PEDOT:PSS空穴注入层能有效提高空穴注入能力,增加发光层中的空穴数量,从而改善空穴‑电子的平衡性,提高紫外OLED器件的发光效率,同时器件的制备工艺简单,稳定性好,实用性广。
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公开(公告)号:CN104891989B
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201510244734.9
申请日:2015-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷及其制备方法,制备方法采用放电等离子烧结(SPS)技术制备Srx(Bi0.47Na0.47Ba0.06)1‑xMxTi1‑xO3高储能密度陶瓷,其中:0.05≤x≤0.3,M为Sn、Zr、(Mg1/3Nb2/3)、(Mg1/3Ta2/3)、(Zn1/3Nb2/3)、(Zn1/3Ta2/3)、(Ni1/3Nb2/3)、(Ni1/3Ta2/3)、(Al1/2Nb1/2)、(Al1/2Ta1/2)、(Co1/2Nb1/2)、(Co1/2Ta1/2)、(Cr1/2Nb1/2)、(Cr1/2Ta1/2)中的一种。本发明制备的高储能密度陶瓷,基于电滞回线计算的储能密度可达0.9~2.4 J/cm3,可承受最高交流电压介于115~210 kV/cm之间。
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公开(公告)号:CN107032784A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710301047.5
申请日:2017-05-02
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/45
Abstract: 本发明公开了一种大压电各向异性无铅压电陶瓷材料,配方为:0.94Bi1/2Na1/2Ti0.85(Cu1/3Ta2/3)0.15O3‑0.06LiBiO3;通过LiBiO3的辅助烧结,结合Bi的变价,在A位与B位出现相同元素的不同价态Bi3+/Bi5+,诱导出现特殊的同素异价A/B位离子有序态(Bi3+与Bi5+分别进入A位与B位),结合交直流极化工艺,产生特殊的大压电各向异性。该产品具有优良的大压电各向异性性能,稳定性好,绿色环保,可在超声换能器领域使用。
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公开(公告)号:CN104987060B
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201510344609.5
申请日:2015-06-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有骨架网络结构的氧化锌蒸镀靶材的制备方法:高温烧制获得微米级粉体,加入纳米级粉体、碎颗粒、氢氧化物浆料中的一种或者多种混合,再加入粘接剂压制成型,高温烧结后得到蒸镀靶材。本发明通过构建具有三维骨架网络的结构,实现对低密度蒸发材料的结构强化,所制备的氧化锌蒸镀材料具有较高的强度,抗热冲击性能好,彻底解决高能电子束轰击时开裂的问题。
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公开(公告)号:CN106129262A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201610540845.9
申请日:2016-07-11
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0032 , H01L51/56 , H01L2251/303
Abstract: 本发明公开了一种具有双空穴注入层的紫外有机发光器件及其制备方法,所述方法包括:采用第一空穴注入层和第二空穴注入层叠接组成双空穴注入层,第一空穴注入层材料采用氧化石墨烯或PEDOT:PSS,第二空穴注入层材料采用WO3、MoO3或V2O5;在阳极层上采用旋涂工艺制备第一空穴注入层,在第一空穴注入层上采用真空热蒸镀工艺制备第二空穴注入层,在第二空穴注入层上叠接空穴传输层。本发明能有效地促进空穴的注入、增加发光层中空穴的数量,从而促进空穴‑电子的平衡性,提高紫外OLED器件的辐照度和发光效率,同时制备工艺简单。
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公开(公告)号:CN104649663B
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201510104202.5
申请日:2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高耐压、高储能密度与储能效率的复相陶瓷介电材料,成分以通式(1‑x)(Bi0.49Na0.42)Ba0.06TiO3‑x(35BaO‑15ZnO‑10Al2O3‑20B2O3‑20SiO2)来表示,其中x表示摩尔分数,0.01≤x≤0.5。本发明在反铁电相中添加玻璃粉,采用两歩烧结,通过玻璃相填充孔洞,获得微观结构均匀致密复相陶瓷。本发明的复相度陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高耐压性,储能密度可达1.86J/cm3,储能效率可达80%、耐压可达223kV/cm,损耗低,在脉冲电源领域应用前景好。
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