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公开(公告)号：CN102668096B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201080048595.8
申请日：2010-10-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/42364 , H01L29/42384 , H01L29/518 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。一个目的是提供一种具有稳定的电特性的包括氧化物半导体的半导体装置。在氧化物半导体层之上形成具有很多以悬挂键为典型代表的缺陷的绝缘层，并在其间插入氧过量混合区域或氧过量氧化物绝缘层，由此使氧化物半导体层中的诸如氢或湿气(氢原子或者含有氢原子的化合物(诸如H2O))的杂质移动通过所述氧过量混合区域或氧过量氧化物绝缘层，并扩散到所述绝缘层中。因而，降低了所述氧化物半导体层的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN102598278B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201080045729.0
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L29/78669 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78678 , H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供以具有良好的显示质量的显示器件为代表的半导体器件，其中抑制产生于半导体层与电极之间的连接部分中的寄生电阻并且防止诸如电压降低、到像素的信号布线中的缺陷、灰度级中的缺陷等的由于布线电阻的不利影响。为了达到上述目的，根据本发明的半导体器件可具有将薄膜晶体管连接至具有低电阻的布线的结构，在所述薄膜晶体管中包含具有高氧亲和性的金属的源极电极及漏极电极被连接至具有被抑制的杂质浓度的氧化物半导体层。此外，包含氧化物半导体的薄膜晶体管可由绝缘膜围绕以便密封。
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公开(公告)号：CN103500712A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310376877.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C01G15/00 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/045 , H01L29/1033 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1333645A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01119049.3
申请日：2001-05-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5036 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/005 , H01L51/0078 , H01L51/0084 , H01L51/56
Abstract: 提供了一种获得具有包含掺杂剂的发光层的EL元件的优异发光性能的方法,从而提供了一种制造含有此具有优异发光性能的EL元件的发光器件的方法,其中用蒸发方法制作由发光材料和掺杂剂构成的第一发光层,并借助于继续蒸发发光材料,同时停止蒸发掺杂剂,而制作由发光材料构成的第二发光层。结果,提高了各个发光层的连续性,从而能够得到优异的发光性能。
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公开(公告)号：CN119965259A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510130329.8
申请日：2018-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种劣化少的正极活性物质粒子。或者，提供一种劣化少的蓄电装置。或者，提供一种安全性高的蓄电装置。一种正极活性物质粒子包括第一晶粒、第二晶粒及位于第一晶粒与第二晶粒间的晶界，其中第一晶粒及第二晶粒包含锂、过渡金属及氧，晶界包含镁和氧，并且该正极活性物质具有晶界中的镁的原子浓度与第一晶粒及第二晶粒中的过渡金属的原子浓度比为0.010以上且0.50以下的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118412464A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410496389.7
申请日：2018-05-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01M4/36 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 提供一种劣化少的正极活性物质粒子。或者，提供一种劣化少的蓄电装置。或者，提供一种安全性高的蓄电装置。一种正极活性物质粒子包括第一晶粒、第二晶粒及位于第一晶粒与第二晶粒间的晶界，其中第一晶粒及第二晶粒包含锂、过渡金属及氧，晶界包含镁和氧，并且该正极活性物质具有晶界中的镁的原子浓度与第一晶粒及第二晶粒中的过渡金属的原子浓度比为0.010以上且0.50以下的区域。
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公开(公告)号：CN118335886A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410589242.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/04 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M10/0525
Abstract: 一种正极活性物质在充电状态和放电状态间的结晶结构的变化很小。例如，与现有的正极活性物质相比，在放电状态时具有层状岩盐型结晶结构而在4.6V左右的高电压充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质通过充放电的结晶结构及体积变化小。为了形成在充电状态时具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质，优选混合氟等卤素源及镁源与预先合成的含有锂、过渡金属和氧的复合氧化物的粒子，然后以适当的温度及时间对该混合物进行加热。
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公开(公告)号：CN117810413A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311846345.4
申请日：2017-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/525 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/0567 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明提供一种循环特性良好且容量大的锂离子二次电池用正极活性物质。在正极活性物质的表层部上设置包含铝的覆盖层、包含镁的覆盖层。包含镁的覆盖层存在于比包含铝的覆盖层更接近粒子表面的区域。包含铝的覆盖层可以通过使用铝醇盐的溶胶‑凝胶法形成。可以对起始材料混合镁及氟，在溶胶‑凝胶法之后进行加热而镁偏析，由此形成包含镁的覆盖层。
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公开(公告)号：CN117038957A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310986923.8
申请日：2018-05-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/058 , H01M10/0525
Abstract: 本发明提供一种大容量且循环特性优良的锂离子二次电池。该正极活性物质的充电状态和放电状态间的结晶结构变化小。例如在放电状态下具有层状岩盐型结晶结构，并且在以4.6V左右的高电压充电的状态下具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质的起因于充放电的结晶结构及体积的变化比现有的正极活性物质少。
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公开(公告)号：CN116759629A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310819933.2
申请日：2017-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/525 , H01M4/36 , H01M4/485
Abstract: 本发明提供一种正极活性物质的制造方法以及锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
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